国家高技术研究发展计划(2002AA312080)
- 作品数：5 被引量：21H指数：4
- 相关作者：韩勤牛智川吴荣汉彭红玲佟存柱更多>>
- 相关机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 1.3μm GaAs基量子点垂直腔面发射激光器结构设计与分析被引量：6
- 2005年
- 结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了不同结构VCSEL的腔内损耗和量子点的模式增益.分析了激光器阈值特性以及氧化限制层对光损耗的影响.设计了含氧化限制层的1·3μm量子点VCSEL结构.
- 佟存柱牛智川韩勤吴荣汉
- 关键词：垂直腔面发射激光器GAASVCSEL阈值特性腔内损耗光损耗
- 1.55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器被引量：6
- 2006年
- 利用低温(200℃)生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1.55μm谐振腔增强型(RCE)光电探测器,对其光电特性进行了分析、研究·无光照0偏压下探测器暗电流为8.0×10-12A;光电流谱峰值波长1563nm;响应谱线半宽4nm,具有良好的波长选择性·
- 韩勤彭红玲杜云倪海桥赵欢牛智川吴荣汉
- 关键词：探测器LT-GAAS
- 1.3μm量子点垂直腔面发射激光器高频响应的优化设计被引量：4
- 2007年
- 结合垂直腔面发射激光器(VCSEL)原理以及量子点增益特点,计算了有源层p掺杂结构的量子点VCSEL的材料增益和3dB带宽,发现p掺杂结构可以大大提高频率特性.结合VCSEL激射条件和阈值特性,分析了对VCSEL结构的要求;分析了分布参数对频率特性的影响,对其外部封装提出了要求.设计了高频率响应的含氧化限制层的1.3μm量子点VCSEL结构.
- 彭红玲韩勤杨晓红牛智川
- 关键词：量子点垂直腔面发射激光器微分增益
- 氧化限制型垂直腔面发射激光器串联电阻分析被引量：5
- 2005年
- 含氧化限制孔的VCSEL具有低的阈值电流,但氧化孔的存在也会加大串联电阻.本文采用理论模型,详细计算了氧化限制型VCSEL的串联电阻.把串联电阻分解为垂直方向电阻和横向电阻,分析了串联电阻与氧化孔半径的关系,提出了降低VCSEL串联电阻的具体方法.
- 佟存柱韩勤彭红玲牛智川吴荣汉
- 关键词：垂直腔面发射激光器串联电阻阈值电流
- 1064nm RCE探测器光电响应特性分析被引量：1
- 2005年
- 对1064nm谐振腔增强型（RCE）光电探测器（PD）的光电响应特性进行了分析研究．利用MBE生长技术得到有源区分别为量子阱和量子点的1064nm RCE探测器的外延片，并对制作的探测器进行了各种光电特性测试．结果表明量子阱结构的RCE探测器量子效率峰值达到57％，谱线半宽6～7nm，峰值波长1059nm；而量子点结构的RCE探测器量子效率峰值达到30％，谱线半宽5nm，峰值波长1056nm．通过分析量子效率和吸收系数之间的关系，对两种结构器件的吸收进行了比较，发现虽然量子点探测器的吸收小，但通过合理设计共振腔等方法也可以达到较高的量子效率．两种结构的器件都有很好的I-V特性．
- 彭红玲章昊韩勤杨晓红杜云倪海桥佟存柱牛智川郑厚植吴荣汉
- 关键词：谐振腔增强型光电探测器量子点
