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国家杰出青年科学基金(60025411)

作品数：10 被引量：33H指数：4
相关作者：郑有炓顾书林张荣施毅修向前更多>>
相关机构：南京大学江苏省光电信息功能材料重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 3篇理学

主题

  • 4篇半导体
  • 3篇纳米
  • 3篇INN
  • 2篇导体
  • 2篇扫描电子显微...
  • 2篇退火
  • 2篇纳米线
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性质
  • 2篇二极管
  • 2篇发光
  • 2篇半导体材料
  • 2篇MOCVD
  • 1篇带隙
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化物
  • 1篇电子谱
  • 1篇淀积

机构

  • 8篇南京大学
  • 2篇江苏省光电信...

作者

  • 10篇张荣
  • 10篇顾书林
  • 10篇郑有炓
  • 9篇施毅
  • 8篇修向前
  • 7篇谢自力
  • 7篇韩平
  • 6篇刘斌
  • 5篇沈波
  • 5篇江若琏
  • 5篇朱顺明
  • 5篇毕朝霞
  • 3篇俞慧强
  • 2篇陈敦军
  • 2篇赵红
  • 2篇李亮
  • 2篇濮林
  • 1篇张禹
  • 1篇卢佃清
  • 1篇周玉刚

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇高技术通讯
  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇纳米技术与精...

年份

  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 3篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2002
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
在MOCVD系统中用预淀积In纳米点低温下合成生长InN被引量：1
2005年
利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜。首先以TM In作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金属In纳米点,然后在一定条件下合成生长InN薄膜。X射线衍射谱(XRD)和X射线光电子发射谱(XPS)显示适当的预淀积In不仅能够促进InN的生长,同时还能够抑制金属In在InN薄膜中的聚集。原子力显微镜(AFM)观察表明,金属In纳米点不仅增强了成核密度,而且促进了InN岛的兼并。自由能计算表明预淀积的In优先和NH3分解得到的NH与N基反应生成InN。我们认为这种优先生成的InN为接下来InN的生长提供了成核位,从而促进了InN的生长。
谢自力张荣修向前毕朝霞刘斌濮林陈敦军韩平顾书林江若琏朱顺明赵红施毅郑有炓
关键词：INNMOCVD
InN材料及其应用被引量：10
2004年
由于具有独特的本征特性,InN材料已经成为最近两年国际上最热门的研究材料之一。本文介绍了InN材料的基本性质,探讨了材料的生长技术和应用方向。最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景。
谢自力张荣毕朝霞刘斌修向前顾书林江若琏韩平朱顺明沈波施毅郑有炓
关键词：INN带隙半导体材料晶格常数晶格匹配
InN薄膜的退火特性被引量：3
2006年
对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量.
谢自力张荣修向前毕朝霞刘斌濮林陈敦军韩平顾书林江若琏朱顺明赵红施毅郑有炓
关键词：INN热退火扫描电子显微镜X射线光电子谱
Mn^+离子注入的GaN薄膜的光学性质及其磁性被引量：2
2003年
利用离子注入法将磁性离子 Mn+注入到采用金属有机化学气相沉积法制备的 Ga N薄膜中 ,获得了稀磁半导体 (Ga,Mn) N.光致发光谱结果显示由于 Mn的注入 ,使 Ga N中常见的黄带发射被大大抑制 .在反射和吸收光谱中 ,观察到锰引入的新吸收带 ,分析表明该带是由电荷转移过程和锰引入能级 (价带顶上 310 m e V处 )的吸收组成的 .透射光谱显示 (Ga,Mn) N的光学带隙发生了红移 ,计算表明该红移量为 30± 5 m e V.震动样品磁强计的测量结果证实了 Mn掺杂的 Ga N样品在室温下具有铁磁性 .
李杰张荣修向前卢佃清俞慧强顾书林沈波郑有炓
关键词：稀磁半导体GAN薄膜光学性质光致发光谱
Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究
2002年
用氢化物气相外延 (HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料。透射电子显微镜 (TEM )的研究结果表明 ,横向外延区域GaN的位错密度明显减小。由于SiO2 掩膜腐蚀角的不同 (分别为 90°和 6 6°) ,导致了横向外延GaN材料一些独特的微观形貌。微区拉曼光谱由数百条拉曼散射曲线组成 ,每一条曲线有三个振动模 ,分别对应Si振动模式 (5 2 0cm- 1) ,E2 模式 (5 6 6cm- 1)和E1(LO)模式(732cm- 1)。在垂直条纹方向 ,峰位和峰宽没有明显的变化 ,而峰强约 5
汪峰张荣陈志忠朱健民顾书林沈波李卫平施毅郑有炓
MOCVD生长In_xGa_(1-x)N薄膜的表征被引量：2
2005年
本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生工艺条件下的InxGa1-xN薄膜的制备,并通过XRD、SEM、AFM等测量分析方法系统研究了生长工艺参数对InxGa1-xN薄膜的组分和性质的影响。InxGa1-xN薄膜的制备包括蓝宝石衬底表面上GaN缓冲层的生长以及缓冲层上InxGa1-xN薄膜的沉积两个过程。通过对所制备InxGa1-xN薄膜的XRD、SEM、AFM分析发现,调节生长温度和TMGa的流量可以有效控制InxGa1-xN薄膜中In的组分,并且随着生长温度的升高,InxGa1-xN薄膜的表面缺陷减少。
李亮张荣谢自力张禹修向前刘成祥毕朝霞陈琳刘斌俞慧强韩平顾书林施毅郑有炓
关键词：MOCVD缓冲层
退火温度对纳米ZnO薄膜结构与发光特性的影响被引量：6
2004年
利用溶胶鄄凝胶法在硅衬底上制备了纳米ZnO薄膜。研究了热处理对ZnO薄膜的质量与发光性能的影响。结果表明,纳米ZnO薄膜具有六方纤锌矿结构,并且,随着退火温度的升高,ZnO的晶粒变大,c轴取向性变好,紫外发光强度增强。
陈晓清谢自力张荣修向前顾书林韩平施毅郑有炓
关键词：纳米ZNO薄膜发光特性退火温度C轴取向发光强度锌矿
GaN纳米线材料的特性和制备技术被引量：4
2004年
GaN是一种具有优越热稳定性和化学性质的宽禁带半导体材料 ,这种材料及相关器件可以工作在高温、高辐射等恶劣环境中 ,并可用于大功率微波器件 .最近几年 ,由于GaN蓝光二极管的成功研制 ,使GaN成为了化合物半导体领域中最热门的研究课题 .简要介绍了GaN纳米线材料的制备技术 ;综述了GaN纳米线材料的制备结果和特性 .用CVD法研制的GaN纳米线的直径已经达到 5～ 12nm ,长度达到几百个微米 .纳米线具有GaN的六方纤锌矿结构 ,其PL谱具有宽的发射峰 ,谱峰中心在 42 0nm .GaN纳米线已经在肖特基二极管的研制中得到应用 .
谢自力张荣修向前毕朝霞刘斌江若琏沈波顾书林韩平朱顺明施毅郑有炓
关键词：GAN纳米线宽禁带半导体相关器蓝光二极管PL谱CVD法
III族氮化物基的肖特基势垒二极管的研制
2003年
研制了三类不同金属和III族氮化物接触的肖特基势垒二极管。测量了器件的电流 电压特性 。
俞慧强张荣周玉刚沈波顾书林施毅郑有炓
关键词：III族氮化物肖特基势垒二极管半导体材料氮化铝势垒高度
In_2O_3纳米线制备及其特性被引量：5
2006年
使用管式加热炉成功地制备出In_2O_3纳米线.通过扫描电子显微镜可以看到样品为In_2O_3纳米线;X射线衍射分析证实该材料是立方结构的In_2O_3;X射线光电子谱分析发现该In_2O_3中存在大量氧缺陷;光致发光谱研究显示制得的In_2O_3纳米线有比较强的发光现象,主要集中在紫外光谱区.同时对反应的气相-固相(V-S)生长机理和In_2O_3的光致发光机理进行了详细分析.
谢自力张荣高超刘斌李亮修向前朱顺明顾书林韩平江若琏施毅郑有炓
关键词：IN2O3纳米线X射线衍射扫描电子显微镜
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