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国家自然科学基金(50502008)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：刘安生马通达胡广勇邵贝羚屠海令更多>>
相关机构：北京有色金属研究总院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇应变SI
  • 1篇高分辨X射线...

机构

  • 1篇北京有色金属...

作者

  • 1篇屠海令
  • 1篇邵贝羚
  • 1篇胡广勇
  • 1篇马通达
  • 1篇刘安生

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
应变硅结构的高分辨X射线衍射及其图谱分析被引量：1
2006年
运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及外延层之间的取向关系、SiGe外延层的Ge含量及其弛豫度等异质外延生长的重要参数.TAD倒易空间图谱能够给出全面的晶体结构信息.高分辨率TAD倒易空间图谱可实现对应变Si层应变量的测定.
马通达屠海令邵贝羚刘安生胡广勇
关键词：应变SI
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