国家教育部博士点基金(2000042204)
- 作品数：7 被引量：183H指数：5
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- 射频磁控溅射法制备ZnO薄膜的发光特性被引量：39
- 2003年
- 利用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有 (0 0 2 )择优取向的氧化锌薄膜 ,用波长为 30 0nm的光激发 ,观察到在 44 6nm处有一强的光致发光峰 ,它来自于氧空位浅施主能级上的电子到价带上的跃迁。并讨论了发光峰与氧压的关系以及退火对它的影响 ,且给出了解释。
- 王卿璞张德恒薛忠营陈寿花马洪磊
- 关键词：射频磁控溅射法发光特性ZNO薄膜氧化锌薄膜
- 不同衬底上的ZnO薄膜紫外光致发光被引量：84
- 2003年
- 用射频磁控溅射法在蓝宝石、硅和石英衬底上沉积出具有好的择优取向的多晶ZnO薄膜 .在 2 70nm波长的光激发下室温下可观察到显著的紫外光发射 (波长为 3 5 6nm)和较弱的蓝光发射 (波长为 44 6nm) .经高温退火后薄膜的结晶质量显著提高 ,在蓝宝石、石英衬底上沉积的薄膜 ,其积分发光强度分别增加了 7倍和 14倍 .而硅衬底上的膜发光强度增强不太显著 .紫外光发射源于电子的带间跃迁 。
- 张德恒王卿璞薛忠营
- 关键词：ZNO薄膜射频磁控溅射法氧化锌薄膜半导体材料退火发光强度
- 室温全电可操作的InAs/GaAs量子点存储器
- 2006年
- 报道基于高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的InAs/GaAs量子点存储器,它既可以在室温下工作,又可以完全由栅极电压来控制其存储状态.在室温下通过对InAs/GaAs量子点存储器的延滞回线、偏压降温C-V等特性的实时测试,证明了其存储机理是由量子点层的深能级引起的,而并非是由量子点本征能级的充、放电所造成的.
- 杜军王卿璞Balocco CSong A M
- 关键词：存储器深能级
- 射频磁控溅射ZnO薄膜的光致发光被引量：33
- 2003年
- 用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶 Zn O薄膜 .在室温下进行光致发光测量 ,观察到明显的紫光发射 (波长为 4 0 2 nm )和弱的紫外光发射 (波长为 384 nm ) .紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁 ;紫外光发射则源于导带与价带之间的电子跃迁 .随着光激发强度的增加 ,紫光发射强度超线性增强 ,且稍有蓝移 ,而紫外光发光强度则近似线性增加 .在氧气中高温退火后 ,薄膜结晶质量明显提高 ,紫光发射强度变弱 ,紫外光发射相对增强 .
- 王卿璞张德恒薛忠营
- 关键词：ZNO薄膜射频磁控溅射SI衬底光致发光
- ZnO薄膜材料的发光谱被引量：18
- 2003年
- 随着人们对ZnO薄膜材料发光特性的不断深入,发现了不同能量位置的多个发光峰,本文对用不同方法制备的ZnO薄膜材料的发光谱、发光特性及其相应的发光机制、国内外研究动态进行了综合评述。介绍了由带间跃迁、激子复合和缺陷能级引起的发光和发光谱特性。
- 薛忠营张德恒王卿璞
- 关键词：ZNO薄膜光致发光
- MgZnO薄膜及其量子阱和超晶格的发光特性被引量：24
- 2004年
- MgO和ZnO形成合金Mg_xZn_(1-x)O的带隙可以在3.3～7.9eV之间变化,在制备紫外波段光电器件方面有着广阔的应用前景。由ZnO和MgZnO交替沉积而成的ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱和超晶格在激光器、光探测器和其他光电器件方面也有潜在的应用价值。回顾最近几年对MgZnO薄膜材料发光特性的研究进展,介绍在不同衬底上用不同方法制备MgZnO合金薄膜的制备技术、发光特性以及发光特性与薄膜中Mg含量的关系;综述近年来在ZnO/Mg_xZn_(1-x)O超晶格、量子阱研究上的成果,特别介绍了ZnO/Mg_xZn_(1-x)O对超晶格、量子阱的发光特性、发光机理以及发光特性与势垒层镁含量、器件温度的关系。
- 张德恒张锡健王卿璞孙征
- 关键词：超晶格光致发光受激发射半导体材料
- 溅射法制备的ZnO薄膜的光发射被引量：3
- 2004年
- 报道了用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有好的 (0 0 2 )择优取向的多晶ZnO薄膜 ,在 5 14nm处观察到显著的单色绿光发射峰 ;且随着氧分压的增加 ,绿光发射峰的强度减弱 .经真空中退火该发射峰增强 ;而在氧气中退火该发射峰强度减弱 .该发射峰强度依赖于氧分压的事实表明 :5 14nm绿光发射峰与ZnO薄膜中的氧空位缺密切相关 ,认为它来自于氧空位缺陷深施主能级上的电子到价带顶上的跃迁 .
- 王卿璞马洪磊张兴华张锡健
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射氧空位
