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南通大学自然科学基金(05Z040)

作品数:2 被引量:1H指数:1
相关作者:王强施敏孙玲郭迎冬徐晨更多>>
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相关领域:电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇带隙基准电压...
  • 1篇电池
  • 1篇电路
  • 1篇电特性
  • 1篇电压源设计
  • 1篇太阳电池
  • 1篇模拟电路
  • 1篇基准电压
  • 1篇基准电压源
  • 1篇光电
  • 1篇光电特性
  • 1篇版图
  • 1篇版图设计
  • 1篇PN结
  • 1篇TCAD
  • 1篇CMOS模拟...
  • 1篇ITO
  • 1篇ITO薄膜

机构

  • 2篇南通大学

作者

  • 2篇施敏
  • 2篇王强
  • 1篇徐晨
  • 1篇孙玲
  • 1篇郭迎冬

传媒

  • 1篇半导体光电
  • 1篇南通大学学报...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2008
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基于0.13μm工艺的低于1V带隙基准电压源设计
2008年
采用GSMC0.13μmCMOS工艺设计了一种适合于SOC的低压高精度带隙基准电压源.仿真结果表明,该电路可以在0.9~1.5V电源电压下工作,输出的基准电压可以稳定在约0.708V,温度在0~60℃之间时,温度系数不超过44ppm/K,电源抑制比为66dB,最大功耗小于0.5μW.基于GSMC0.13μm1P8M CMOS工艺几何设计规则实现了其版图,版图面积约为0.2mm×0.15mm.
施敏郭迎冬王强徐晨
关键词:带隙基准电压源基准电压CMOS模拟电路版图设计
ITO/Si/Al结构太阳电池pn结光电特性仿真研究被引量:1
2010年
设计了基于SILVACO-TCAD仿真工具的具有ITO/Si/Al结构太阳电池单元,研究了在此结构中pn结特性对光电流的影响。研究表明,pn结位置越浅,光电流越大;光电流随pn结中杂质浓度增加而先增加后减小,电流极值向短波方向移动。
施敏王强孙玲
关键词:太阳电池ITO薄膜TCAD
共1页<1>
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