国家自然科学基金(60807038)
- 作品数：4 被引量：12H指数：2
- 相关作者：姜文海李忠辉董逊李亮许晓军更多>>
- 相关机构：南京电子器件研究所中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- MSM型氮化镓紫外探测器研究
- 2009年
- 以宽禁带半导体氮化镓材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器。材料生长是以MOCVD设备完成的,为非故意掺杂的n型材料。器件在362nm处具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,在1.5 V偏压下响应度为0.71 A/W,紫外/可见抑制比接近103。通过击穿单侧肖特基结对另一侧的肖特基结进行测试,结果表明肖特基结具有较理想的特性,并以此对器件的工作方式和设计优化进行了讨论分析。
- 姜文海陈辰周建军李忠辉郑惟彬董逊
- 关键词：紫外探测器宽带隙
- GaN薄膜表面形貌与AlN成核层生长参数的关系被引量：2
- 2011年
- 采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明,高质量的GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核点,这是生长高质量GaN薄膜的一个先决条件。
- 倪金玉李忠辉李亮董逊章咏梅许晓军孔月婵姜文海
- 关键词：金属有机物化学气相淀积
- 紫外光电阴极研究进展被引量：7
- 2011年
- 本文对传统的紫外光电阴极以及新型的宽禁带半导体光电阴极进行了总结和分析,并介绍了它们目前的研究现状。同时,针对紫外探测的需求,提出了它们目前还存在的一些问题,并对未来改进紫外光电阴极性能提出了一些设想和方法。
- 唐光华戴丽英钟伟俊申屠军李慧蕊姜文海
- 关键词：量子效率稳定性
- MOCVD生长AlGaN／GaN／Si(111)异质结材料被引量：3
- 2009年
- 利用MOCVD在Si(111)衬底上生长了无裂纹的GaN外延薄膜和AlGaN/GaN异质结构。通过优化Si衬底的浸润处理时间、AlN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了SiN缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和面密度分别达到1410cm2/V.s和1.16×1013cm-2。
- 李忠辉李亮董逊李赟张岚许晓军姜文海陈辰
- 关键词：高电子迁移率晶体管二维电子气
