中国工程物理研究院科学技术发展基金(2008A0403016)
- 作品数：8 被引量：18H指数：3
- 相关作者：赵兴海鲍景富郑英彬杜亦佳邓成更多>>
- 相关机构：中国工程物理研究院电子工程研究所电子科技大学香港城市大学更多>>
- 发文基金：中国工程物理研究院科学技术发展基金国家自然科学基金国家部委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程理学更多>>
- 内外电极分离的延伸酒杯模态微机械圆环谐振器
- 针对传统微机械圆环谐振器要么换能面积太小,要么不易激发（高换能效率）延伸酒杯模态（extensional wine-glass mode）振动的问题,本文提出了一种内外电极相互分离的新结构,获得了大的换能面积,同时容易谐...
- 邓成鲍景富杜亦佳赵兴海
- 关键词：射频微机电系统
- 文献传递
- MAM电容在RF MEMS器件中的应用和模型研究
- 本文对RF MEMS（射频微机电）器件中广泛应用的MAM（金属-空气-金属）电容结构进行建模和分析。首先分析了MEMS桥在工作过程中可能出现的误差,阐述了采用MAM电容进行优化的必要性。研究了这种结构的不连续性效应,提出...
- 杜亦佳鲍景富赵兴海郑英彬
- 关键词：等效电路模型
- 文献传递
- MEMS技术在THz无源器件中的应用被引量：6
- 2011年
- 太赫兹技术将在未来高精度频谱探测技术、高分辨率成像和高性能通讯等应用前景良好。太赫兹技术处于电子学与光子学领域的交叉领域,太赫兹器件的尺寸在数十微米到毫米量级,传统的机械加工技术很难达到加工精度要求,甚至无法加工。MEMS技术在太赫兹器件的加工方面具有巨大的优势。总结了目前采用DR IE,LIGA等工艺加工太赫兹器件的研究现状,包括太赫兹传输波导器件、太赫兹传输线器件、慢波结构和特种复合结构的加工。分析了MEMS加工工艺的优缺点和在太赫兹器件加工中的应用前景。
- 赵兴海鲍景富杜亦佳高杨郑英彬
- 关键词：微机电系统LIGA深反应离子刻蚀
- 单偏置电压多位分布式MEMS传输线移相器
- 2012年
- 针对传统多位分布式MEMS传输线(DMTL)移相器需要多个偏置电压控制的问题,提出了一种单电压控制多位DMTL移相器的设计方案。这种移相器的每一位具有不同的弹性系数,因此它们的下拉电压各不相同。给出了这种移相器的相关理论、设计实例及仿真结果。通过仿真结果可知,单偏置电压3位DMTL移相器低位到高位的下拉电压分别为19.73,40.49和74.89 V,低位发生下拉时高位相移偏移小于0.062%(10 GHz,2.925×10-4 rad)。单偏置电压4位DMTL移相器低位到高位的下拉电压分别为19.73,32.55,48.41和74.89 V,低位发生下拉时高位相移偏移小于0.094%(10 GHz,4.425×10-4 rad)。
- 邓成鲍景富杜亦佳凌源赵兴海郑英彬
- 140GHz MEMS矩形波导滤波器被引量：7
- 2013年
- 设计并实现了一种采用微机械制造(MEMS)技术加工的D波段矩形波导膜片滤波器.采用有限元仿真软件HFSS分析了滤波器内腔镀膜厚度、粗糙度以及感性膜片厚度对滤波器主要性能的影响.采用MEMS深刻蚀工艺(DRIE)成功加工出了滤波器主体结构.通过完成结构深刻蚀、金属电镀和键合等关键工艺,首次制造出了D波段MEMS波导滤波器.样品测试结果为插入损耗0.4～0.7 dB,中心频率(140±3)GHz,带外抑制为≥18 dB,样品主要技术指标与设计值符合.
- 赵兴海单光存郑英彬杜亦佳陈颖慧鲍景富苏伟
- 关键词：波导滤波器太赫兹
- 缩短RFMEMS开关释放时间的上悬梁方法被引量：1
- 2011年
- 针对RF MEMS开关释放时间过长的问题,提出了在开关梁上设计一个上悬梁的方法,以增大开关梁所受压膜阻尼,抑制开关梁在平衡位置附近的振动,从而缩短RF MEMS开关的释放时间。给出了这种方法的相关理论、等效模型及仿真结果。通过ANSYS仿真雷声梁在设置上悬梁前后的动态特性:对于4μm高的梁,释放时间由设置上悬梁前的103μs(0.5μm厚),176μs(0.8μm厚)和232.5μs(1.1μm厚)分别下降为53.3,89和123.4μs;对于3μm高0.5μm厚的梁,释放时间由43.3μs下降为22μs。仿真结果均表明:在标准大气压下,当雷声梁高度为上悬梁高度的一半时,加入上悬梁后雷声梁的释放时间约为原来的1/2,即开关速度约为原来的2倍。
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- 关键词：释放时间开关速度
- RFMEMS技术对小型化雷达的作用被引量：2
- 2012年
- 该文采用至上而下的方式,介绍了应用RF MEMS技术的雷达系统,将雷达子系统与RF MEMS技术联系起来,具体分析了应用于雷达的RF MEMS开关、移相器、滤波器和谐振器。同时,文中以开关和移相器为例,讨论了如何提高RFMEMS雷达的性能:修改空气桥形状可以提高RF MEMS收发(T/R)组件的功率处理能力,从而减少雷达相控阵的T/R组件数量;缩短转换时间的RF MEMS移相器能够应用于高速电扫描阵列;蜿蜒型5位分布式MEMS传输线移相器面积仅为5.36mm×4.72mm,相比传统移相器长度降低70%,易于实现雷达阵列的小型化。
- 魏恭邓成鲍景富黄伟
- 关键词：射频微机电系统雷达相控阵收发组件开关
- 提高RF MEMS开关速度的电压控制方法被引量：1
- 2012年
- 针对RF MEMS开关释放时间过长的问题,提出了一种电压控制方法有效地缩短了开关的释放时间,提高了开关的速度。这种方法无需修改器件设计,仅需要调整偏置电压变化形式,用线性压降替代传统的阶跃压降,就能有效抑制MEMS梁在释放过程中的振动。给出了这种方法的相关理论、等效模型及仿真结果。由ANSYS仿真结果可知,在标准大气压下,采用28μs单段线性压降后,梁的释放时间从103μs缩短到62.5μs;采用26μs双段线性压降后,梁的释放时间进一步缩短到26μs,仅为原来的1/4,即开关速度约为原来的4倍。
- 邓成鲍景富凌源杜亦佳赵兴海郑英彬
- 关键词：MEMS开关释放时间开关速度梁振动偏置电压
- MEMS THz滤波器的制作工艺被引量：3
- 2011年
- 基于MEMS技术制作了太赫兹（THz）滤波器样品,研究了制作滤波器的工艺流程方案,其关键工艺技术包括硅深槽刻蚀技术、深槽结构的表面金属化技术、阳极键合和金-硅共晶键合技术。采用4μm的热氧化硅层作刻蚀掩膜,成功完成了800μm的深槽硅干法刻蚀;采用基片倾斜放置、多次离子束溅射和电镀加厚的方法完成了深槽结构的表面金属化,内部金属层厚度为3~5μm;用硅-玻璃阳极键合技术和金-硅共晶键合技术实现了三层结构、四面封闭的波导滤波器样品加工。测试结果表明,研制的滤波器样品中心频率138GHz,带宽15GHz,插损小于3dB。
- 郑英彬施志贵席仕伟赵龙李红赵兴海
- 关键词：滤波器干法刻蚀
- D波段MEMS波导滤波器研究
- 本文采用有限元仿真软件HFSS设计了一种D波段电感膜片耦合三腔波导滤波器,中心频率140GHz,带宽10%。采用MEMS深刻蚀工艺（ICP）加工了滤波器样品。解决了深刻蚀、电镀金属和键合等关键工艺,获得的样品测试结果为插...
- 赵兴海杜亦佳郑英彬陈颖慧高杨鲍景富苏伟
- 关键词：波导滤波器MEMS深刻蚀
- 文献传递
