国家重点基础研究发展计划(Y61398)
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
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- 相关机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国防基础科研计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 特种器件厚外延前后图形转移方法研究
- 2011年
- 提出了一种特种器件厚外延前后图形的转移方法。通过设计一块带外延前图形层的对位标记和投影光刻机识别标记的掩膜版,解决了厚外延之前图形的精确套准和厚外延之后投影光刻的难题,实现了厚外延前后的套刻精度高于0.5μm。该方法可广泛应用于带埋层的VDMOS、超结VDMOS、高压互补双极器件,以及高压BCD器件的投影光刻。
- 唐昭焕任芳谭开洲杨发顺王斌刘勇陈光炳
- 关键词：VDMOS
- 基于多晶外基区及SIC技术的高速NPN管设计
- 2011年
- 提出了一种先进的双多晶硅非自对准NPN管的器件结构,并实际用于一种高性能NPN管的研制。该器件结构主要通过多晶外基区减小基区电阻和基区结面积,以及使用SIC技术减小集电极电阻的方式,极大地提升了NPN管的特征频率。通过实际工艺流片验证,实现了BVCEO=5.6 V、fT=13.5 GHz的高速NPN管。该器件结构较双多晶自对准器件结构易于加工,可以广泛用于其他高速互补双极器件的研制。
- 唐昭焕甘明富钟怡谭开洲刘勇杨永晖胡刚毅徐学良李荣强
- 关键词：半导体器件
- 评价IC芯片质量与可靠性的关键技术研究被引量：2
- 2011年
- 对CPK、SPC和PPM三项评价IC芯片质量和可靠性的关键技术进行了研究。使用这三项技术,实际评价了芯片制造工艺中的氧化工艺。实践证明,这三项技术在工艺生产能力评估、工艺过程控制和失效分析等方面具有广阔的应用前景,特别是在工艺过程中对特殊工艺的评估。
- 唐昭焕周铭徐岚刘勇阚玲梁涛税国华
- 关键词：半导体工艺可靠性统计过程控制
- 双层铝互连倒梯形通孔刻蚀技术研究被引量：1
- 2012年
- 针对双层布线中二铝在通孔处台阶覆盖率低的问题,通过优化光刻胶膜的厚度、硬烘温度,以及调整刻蚀气体流量、腔室压力及极板功率,开发出坡度为62.5°的倒梯形通孔;二铝在通孔处的台阶覆盖率大于90%。将该技术用于D/A转换器的研制,成品率得到明显提高。
- 唐昭焕王大平梁涛李荣强王斌任芳崔伟谭开洲
- 关键词：半导体工艺刻蚀双层布线
- 等离子刻蚀铝硅铜表面质量控制技术研究
- 2012年
- 针对等离子刻蚀AlSiCu表面质量差、易被腐蚀、铜残留等问题,对采用等离子刻蚀的圆片进行烘焙以及使用混合溶液对圆片进行处理等方式,解决了AlSiCu腐蚀、铜残留以及表面发雾等圆片表面质量问题,得到了优化的AlSiCu刻蚀表面质量控制条件。使用优化刻蚀工艺条件,极大地提升了用AlSiCu作金属互连的模拟IC的表面镜检合格率,为其他金属互连的表面质量控制提供了参考。
- 王大平唐昭焕梁涛朱煜开王斌谭开洲
- 关键词：等离子体刻蚀金属互连
