国家自然科学基金(69671011)
- 作品数：4 被引量：11H指数：2
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- 相关机构：华东师范大学中国科学院上海冶金研究所更多>>
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- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 提高FEA电子发射可靠性和均匀性的几种结构
- 2002年
- 首先介绍了稳定FEA电子发射均匀性和可靠性的几种结构 ,然后提出了以离子注入和干法刻蚀技术 ,在常规电阻率P型衬底上制成具有串联电阻负反馈特性的单片硅FEA。这些设计和工艺可供研究人员在设计具体FEA电子源的不同应用领域 ,如平版显示器、微波真空器件。
- 范忠李琼徐静芳郭方敏茅东升
- 关键词：电子发射可靠性均匀性
- SP^2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响被引量：2
- 2000年
- 该文研究了真空磁过滤弧沉积方法制备的非晶金石薄膜 (a-DF)的电子场发射性能 ,SP2 键含量不同的薄膜的场发射性能有很大的差异 ,SP2 键含量越高 ,阈值电场越小 ,发射电流越大 ,同时失效率也较高。SP2 键含量为 6 .5% ,2 0 % ,40 %的薄膜 ,其阈值电场分别为2 .7V/ μm,1 .5V/ μm ,0 .7V/ μm ,远小于金属和硅尖锥的阈值电场。所有样品的发射点均为随机的点状分布。
- 周江云李琼徐静芳茅东升柳襄怀
- 关键词：非晶金刚石薄膜场发射FAD
- 金刚石粉末淀积层的场发射特性研究被引量：8
- 2000年
- 采用电镀方法和直接刷涂的方法在钨针衬底和硅衬底上沉积高压合成的金刚石粉末形成冷阴极。将这种冷阴极与荧光阳极组成真空二极管结构。通过该结构电流 电压特性的测量和发光特性的观察研究了金刚石粉末冷阴极的电子场发射性能。实验显示 ,这些冷阴极都具有很高的电子发射能力 ,最低开启场强达到3 2 5V/μm。
- 周江云徐静芳茅东升柳襄怀
- 关键词：场发射电镀法
- 单片Si-FED的结构和设计被引量：1
- 2001年
- 根据场发射显示器（ＦＥＤ）的工作原理和所要求的电学参数，利用常规的硅半导体工艺和微机械加工技术，设计和试制了显示面积为１０．８ｍｍ×１０．８ｍｍ的研究性器件。版图设计中采用了离子注入法形成导电网络结构和横向负反馈电阻。工艺流程采用了全干法两步刻蚀和热氧化增尖形成理想硅微尖锥的方案。硅场发射冷阴极阵列（Ｓｉ－ＦＥＣＡ）是ＦＥＤ的核心。
- 范忠李琼徐静芳茅东升
- 关键词：场发射显示器干法刻蚀离子注入硅
