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CdS_(0.1)Se_(0.9)纳米晶体的电光性质被引量：3: 2002年; 对嵌埋于玻璃基体中的ＣｄＳ０．１Ｓｃ０．９纳米晶体进行了室温电调制透射谱测量，观察到较强的共振和非共振电光响应倚号（１０－４～１０－３）．共振电光响应具有如下特征：同一组分的纳米晶体其倩号的峰位随着尺寸减小向高能方向移动；同一样品谱线形状不随外电场强度而变；信号幅度与外电场强度的平方成线性关系，并且随调制频率的增加而减小；共振电光效应的物理机制是量子受限的Ｓｔａｒｋ效应．非共振电光响应信号呈与波长有关的振荡线形；外电场强度增加，非共振电光响应信号幅度也增加；用介电受限的局域场增强理论解释了非共振电光效应的物理机制．; 孙萍王引书王若桢林永昌; 关键词：纳米晶体电光效应

快速热退火和氢等离子体处理对富硅氧化硅薄膜微结构与发光的影响被引量：3: 2002年; 采用micro Raman散射、傅里叶变换红外吸收谱和光致发光谱研究了快速热退火及氢等离子体处理对等离子体增强化学气相沉积法 2 0 0℃衬底温度下生长的富硅氧化硅 (SRSO)薄膜微结构和发光的影响 .研究发现 ,在 30 0—6 0 0℃范围内退火 ,SRSO薄膜中非晶硅和SiOx∶H两相之间的相分离程度随退火温度升高趋于减小 ;而在 6 0 0—90 0℃范围内退火 ,其相分离程度随退火温度升高又趋于增大 ;同时发现SRSO薄膜发光先是随退火温度的升高显著加强 ,然后在退火温度达到和超过 6 0 0℃后迅速减弱 ;发光峰位在 30 0℃退火后蓝移 ,此后随退火温度升高逐渐红移 .对不同温度退火后的薄膜进行氢等离子体处理 ,发光强度不同程度有所增强 ,发光峰位有所移动 ,但不同温度退火样品发光增强的幅度和峰位移动的趋势不同 .分析认为退火能够引起薄膜中非晶硅颗粒尺度、颗粒表面结构状态以及氢的存在和分布等方面的变化 .结果表明不仅颗粒的尺度大小 ,而且颗粒表面的结构状态都对非晶硅颗粒能带结构和光生载流子复合机理发挥重要影响 .; 王永谦陈维德陈长勇刁宏伟张世斌徐艳月孔光临廖显伯; 关键词：微结构发光快速热退火

GaNAs的声子拉曼散射研究被引量：1: 2001年; 对分子束外延生长的 Ga NAs外延层进行了拉曼散射研究 ,观测到了由于导带中的 E+态所引起的共振散射和由此产生的布里渊区非Γ点声子的拉曼峰 .清晰地观测到了随氮含量增大 ,氮在 Ga As中的局域模振动演变为Ga NAs中的类 Ga N晶格声子带模 .通过样品在 850度快速热退火前后拉曼谱的对比。; 江德生孙宝权谭平恒李连和潘钟; 关键词：拉曼散射分子束外延生长

玻璃中CdSeS纳米晶体的生长及其性能被引量：3: 2002年; 对掺有镉、硒、硫的玻璃在 5 0 0— 80 0℃退火 2— 2 4h ,生长了不同尺寸的CdSxSe1 x纳米晶体 .用分光光度计和光致发光光谱 (PL)分析了纳米晶体的性能 .退火温度低于 5 5 0℃ ,纳米晶体处于成核阶段 ,6 0 0— 6 2 5℃处于正常扩散生长阶段 ,70 0— 80 0℃处于竞争生长阶段 ;而 6 5 0℃处于两种生长阶段之间 .虽然 6 5 0℃下生长的纳米晶体的尺寸分布比较窄 ,但纳米晶体的尺寸随退火时间的延长几乎不变 ,在该温度改变退火时间很难改变纳米晶体的平均尺寸 .在所有样品中出现了深能级缺陷 ,在 6 5 0℃退火时间小于 4h或大于 16h有利于减少深能级缺陷的密度 .; 王引书孙萍丁硕罗旭辉李娜王若桢; 关键词：纳米晶体深能级缺陷

Microstructure of a-SiO_x:H: 2002年; A set of a-SiOx:H (0.52; 王永谦; 关键词：BONDING

单分散纳米CdSe超微粒的制备和发光性能的研究: 在有机配位溶剂中制备了具有明显的激子吸收峰和较强的带边荧光峰的尺寸单分散纳米CdSe超微粒。通过尺寸选择荧光光谱研究了与激发光波长相关的单分散纳米CdSe超微粒荧光峰形,发现纳米CdSe超微粒荧光峰由三种不同粒径的晶粒产...; 张敬波林原肖绪瑞; 关键词：荧光光谱激发光谱; 文献传递

玻璃中CdSeS纳米晶体的室温光致发光谱被引量：5: 2003年; 对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500～800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe1-xSx纳米晶体。测量了纳米晶体的室温吸收光谱和光致发光(PL)光谱,550℃生长的样品在300～800nm的范围没有观察到吸收和发光峰,表明温度低于550℃玻璃中不能形成纳米晶体。生长温度在600～650℃,纳米晶体的PL光谱主要为两个宽的发光带,即带边激子发光带和通过表面态复合的发光带。随着生长温度的升高,带边复合发光的蓝移减小,通过表面态的发光逐渐消失,并出现了叠加于宽发光带上的一系列明显的弱发射峰。不同温度生长的样品中,叠加峰的能量相同。同一样品中叠加峰的能量不随激发光波长的变化而变化。; 王引书郑东孙萍王一红刘惠民桑丽华王若桢; 关键词：纳米晶体室温光致发光谱

玻璃球形微腔中的量子点: 制备出了尺寸在微米量级的球形玻璃微腔,在球形微腔中嵌入了CdSeS半导体纳米团簇结构。激发嵌入的CdSeS量子点发光,在球形微腔中通过全内反射实现了球形回音壁模式的腔模共振,实现了受限电子态和光子态的耦合。; 贾锐江德生谭平恒孙宝权; 文献传递

半导体纳米结构物理性质的理论研究——2004年国家自然科学二等奖获奖项目介绍: 2005年; 半导体纳米结构是纳米材料的一个重要组成部分,纳米结构的电子和光子器件将成为下一代微电子和光电子器件的核心.半导体纳米结构有多种多样,如自组织量子点、纳米晶体、硅团簇、量子结构等,它们可以制成各种纳米电子学器件.根据以上几类半导体纳米结构,文章介绍的获奖项目提出了研究半导体纳米结构电子结构的四个理论,并利用这些理论研究了它们的电子态和物理性质,发现了许多新的效应.这些理论包括:一维量子波导理论、孤立量子线、量子点的有效质量理论、异质结构的空穴有效质量理论、经验赝势同质结模型.专著《半导体超晶格物理》全面系统地介绍了超晶格物理的概念、原理、理论和实验结果,主要总结了获奖项目参加者所在的研究组在超晶格物理研究方面所取得的成果.; 夏建白李树深常凯朱邦芬; 关键词：自组织量子点量子波导超晶格

镶嵌于玻璃中的CdSe_(1-x)S_x量子点的电调制光谱测量被引量：2: 2002年; 采用直流偏置的交流调制电场测量了玻璃中各向同性的CdSe1 xSx 量子点的电调制光谱 ,介绍了各向同性材料电调制光谱的测量方法 ,分析了与一般电调制光谱测量方法不同的原因。采用偏置后的交流调制电场 ,可以检测到与电场同频率 ( 1f)而位相差 90°的CdSe1 xSx 量子点的电吸收信号 ,该信号比采用二倍频检测 ( 2 f)的信号大一个数量级 ,比通常采用正弦波调制电场的信号大 3个数量级。; 王引书王若桢

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