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国家自然科学基金(61176127)

作品数:12 被引量:15H指数:2
相关作者:郝瑞亭刘思佳郭杰王书荣杨海刚更多>>
相关机构:云南师范大学河南师范大学华北电力大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电气工程电子电信一般工业技术动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 7篇电气工程
  • 3篇电子电信
  • 2篇动力工程及工...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 6篇电池
  • 6篇太阳电池
  • 5篇铜锌
  • 5篇溅射
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 4篇薄膜太阳电池
  • 4篇CZTS
  • 3篇溅射制备
  • 3篇红外
  • 2篇固相
  • 2篇固相反应
  • 2篇红外探测
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇粉体
  • 2篇粉体材料
  • 2篇TH
  • 2篇GASB
  • 2篇IN_FIL...

机构

  • 13篇云南师范大学
  • 5篇河南师范大学
  • 4篇华北电力大学
  • 3篇中国科学院
  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇洛阳光电技术...
  • 1篇河南省光伏材...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 12篇郝瑞亭
  • 6篇刘思佳
  • 5篇杨海刚
  • 5篇郭杰
  • 4篇王书荣
  • 3篇牛智川
  • 3篇徐应强
  • 3篇杨敏
  • 3篇李志山
  • 3篇蒋志
  • 2篇常方高
  • 2篇刘颖
  • 2篇唐语
  • 2篇王国伟
  • 2篇任洋
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  • 1篇许林
  • 1篇邓书康
  • 1篇王天兴
  • 1篇段剑金

传媒

  • 2篇红外与毫米波...
  • 1篇化工新型材料
  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇云南师范大学...
  • 1篇物理学报
  • 1篇河南师范大学...
  • 1篇功能材料
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2021
  • 5篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
PIN、NBP及NBN型InAsSb中波红外探测器光电性能研究被引量:1
2016年
系统探索了GaSb(001)衬底上InAsSb体材料的分子束外延生长和PIN型、NBP型及NBN型InAsSb单元单色红外探测器的制备工艺,并对其光学、电学等相关物理特性进行了研究对比.PIN型InAsSb单元探测器的R0A为224Ω·cm2(100K),77K下峰值探测率为3.6×1010cmHz1/2/W.NBN型和NBP型InAsSb单元探测器的R0A都达到了105Ω·cm2(100K)的量级,但NBN型比NBP型的R0A值更大,暗电流密度更低,77K下峰值探测率分别为8.5×101 2cmHz1/2/W和2.4×108cmHz1/2/W.最后制备完成了50%截止波长为3.8μm(PIN型)、3.4μm(NBP型)、2.6μm(NBN型)的InAsSb单元探测器.
任洋郝瑞亭刘思佳王国伟徐应强牛智川
关键词:分子束外延INASSB中波红外探测器
预制层中Zn和ZnS对CZTS薄膜太阳电池的影响被引量:2
2016年
采用磁控溅射后硫化的方法制备Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜,分别用Zn和Zn S作为锌源,在镀钼的钠钙玻璃衬底上以Zn(或Zn S)/Sn/Cu的顺序制备出不同的CZTS薄膜预制层。首先对预制层进行低温合金,然后以硫粉作为硫源进行高温硫化,得到CZTS薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及能谱仪(EDS)分别对所制备薄膜的晶体结构、表面形貌和薄膜组分进行分析表征;并用拉曼光谱表征了CZTS相的纯度。最后用CZTS薄膜制备了太阳电池,发现在预制层中以Zn S作为锌源得到的太阳电池有较高的性能参数,其开路电压:Voc=651 m V,短路电流密度:Jsc=11.4 m A/cm2,光电转换效率达到2.8%。
杨敏王书荣蒋志李志山刘思佳陆熠磊唐语
关键词:薄膜太阳电池磁控溅射
化学水浴法制备薄膜太阳电池缓冲层材料的研究进展
2014年
从各反应条件对薄膜生长及其性能影响的角度,对CdS缓冲层的制备工艺进行了评述,并对新型无镉缓冲层的研究进展给予了重点介绍。最后展望了薄膜太阳电池缓冲层材料的发展方向,并指出了其发展应用中需要解决的问题。
刘颖缪彦美郝瑞亭杨海刚邓书康郭杰
关键词:薄膜太阳电池缓冲层
InAs/GaSb超晶格/GaSb体材料中短波双色红外探测器被引量:1
2021年
采用GaSb体材料和InAs/GaSb超晶格分别作为短波与中波吸收材料,外延生长制备了NIPPIN型短中双色红外探测器。HRXRD及AFM测试表明,InAs/GaSb超晶格零级峰和GaSb峰半峰宽FWHM分别为17.57 arcsec和19.15 arcsec,10μm×10μm范围表面均方根粗糙度为1.82Å。77 K下,SiO_(2)钝化器件最大阻抗与面积乘积值RA为5.58×10^(5)Ω∙cm^(2),暗电流密度为5.27×10^(-7) A∙cm^(-2),侧壁电阻率为6.83×10^(6)Ω∙cm。经阳极硫化后,器件最大RA值为1.86×10^(6)Ω∙cm^(2),暗电流密度为4.12×10^(-7)A∙cm^(-2),侧壁电阻率为4.49×10^(7)Ω∙cm。相同偏压下,硫化工艺使器件暗电流降低1-2个数量级,侧壁电阻率提高了1个数量级。对硫化器件进行了光谱响应测试,器件具有依赖偏压极性的低串扰双色探测性能,其短波通道与中波通道的50%截止波长分别为1.55μm和4.62μm,在1.44μm、2.7μm和4μm处,响应度分别为0.415 A/W、0.435 A/W和0.337 A/W。
马晓乐郭杰郝瑞亭魏国帅王国伟徐应强徐应强
关键词:INAS/GASB超晶格红外探测
无硫化过程磁控溅射制备Cu2ZnSnS4薄膜及其结构和光学性质研究
2014年
使用Cu2ZnSnS4(CZTS)靶材,通过射频磁控溅射方法镀膜,不经后期硫化处理,在钠钙玻璃衬底上沉积了锌黄锡矿结构的CZTS薄膜材料。在薄膜的沉积过程中,衬底温度分别为300,400和500℃。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、能量色散X射线光谱仪和紫外-可见-近红外分光光度计等对薄膜样品的微观形貌、晶体结构、元素成分、光学性质等进行了研究。分析讨论了衬底温度对样品的表面形貌、晶体结构、化学成分、光吸收系数和禁带宽度的影响关系。结果表明,在衬底温度为500℃条件下沉积得到的CZTS薄膜样品,具有较好的锌黄锡矿晶体结构,晶粒大小为23 nm,光吸收系数在可见光范围内高于1×104cm-1,禁带宽度为1.49 eV。
杨海刚张基东郝瑞亭曹伟伟李美成常方高
关键词:禁带宽度磁控溅射衬底温度
沉积温度对磁控溅射制备掺铝ZnO透明薄膜电极结构和性能的影响
作为透明电极的掺铝ZnO薄膜的明导电性能对太阳电池的光吸收和电荷传输有很大的影响。本研究介绍了一种应用于低价薄膜太阳能电池透明电极的掺铝ZnO(AZO)薄膜的制备与光电性能研究,探讨了沉积温度对磁控溅射制备的AZO薄膜的...
杨海刚曹伟伟郝瑞亭宋桂林王天兴常方高
文献传递
电化学沉积法制备Cu2ZnSnS4薄膜电池被引量:1
2016年
采用简单的两电极电化学沉积金属薄膜技术,在镀钼的钠钙玻璃衬底上共沉积Cu-Sn层后,再沉积Zn金属层,制备出Cu-Sn-Zn金属预制层。在不同的温度下进行低温退火后,以硫粉作为硫源高温硫化金属预制层,制备出晶体质量较好的Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及能谱仪(EDS)对薄膜的晶体结构、表面形貌和薄膜组分进行分析表征,发现共沉积Cu-Sn层,再沉积Zn金属层得到的CZT预制层表面平整但晶粒尺寸较小,经过退火处理后晶粒尺寸得到改善,且硫化后所得到的CZTS薄膜不易从Mo衬底上脱落,粘附性较强。用其制备的CZTS薄膜太阳电池的开路电压Voc=569mV,短路电流密度Jsc=8.58mA/cm2,光电转换效率为1.40%。
杨敏蒋志李志山刘涛刘思佳郝瑞亭王书荣
关键词:薄膜太阳电池电化学沉积
Effect of Sulfurization Time on the Structural and Optical Properties of Cu2ZnSnS4 Thin Films
Cu2ZnSnS4(CZTS) thin films were successfully prepared by magnetron sputtering. The composition, phase structur...
Si-jia LIURui-ting HAOFa-ran CHANGQi-chen ZHAOXin-xing LIUShu-rong WANGYan-mei MIAOHai-gang YANG;
关键词:SULFURIZATION
文献传递
单靶溅射制备铜锌锡硫薄膜及原位退火研究被引量:1
2017年
采用衬底加热溅射铜锌锡硫(CZTS)四元化合物单靶制备CZTS薄膜,并研究原位退火对制备薄膜的影响.结果表明:在溅射结束后快速升温并保持一段时间,所得到的样品相比于未原位退火的CZTS薄膜结晶质量更好,且表面更平整致密;原位退火后的CZTS薄膜太阳电池性能参数也相应地有所提升,其开路电压(V_(OC))为575 mV,短路电流密度(J_(SC))为8.32 mA/cm^2,光电转换效率达到1.82%.
赵其琛郝瑞亭刘思佳刘欣星常发冉杨敏陆熠磊王书荣
关键词:磁控溅射太阳电池
InAs/GaSb超晶格中波红外二极管的Ⅳ特性研究被引量:2
2014年
采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs(8ML)/GaSb(8ML)超晶格中波红外光电二极管。经过(NH4)2S表面钝化后的Ⅳ特性曲线表明:低的正偏压下,理想因子n在2左右,势垒区的复合电流起主要作用;偏压超过0.14 V时,n在1左右,少子扩散电流占主。表面势垒区中过多的Ⅲ族元素的空位缺陷导致表面出现大量复合中心。采用阳极硫化后,表面漏电大大减小,反偏漏电流密度降低三个数量级,零偏阻抗R0达到106欧姆,R0A达到103量级。
郭杰张小雷段剑金郝瑞亭许林
关键词:INAS
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