国家自然科学基金(60778032)
- 作品数：17 被引量：51H指数：5
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- 液晶光栅三基色的电光特性研究被引量：4
- 2009年
- 用MLC-7700-100向列相液晶制备光栅常量为100μm、占空比为0.5的液晶光栅。并且温度为25℃时,在频率为100 Hz的交流电压驱动下,用UV-Vis 8500型双光束紫外/可见分光光度计测试液晶光栅三基色R(700.0 nm)、G(546.1 nm)、B(435.8 nm)的电光特性,得到三基色的T-V电光特性曲线,分析液晶光栅在对三基色的光谱特性变化。结果表明,液晶光栅在电压驱动下三基色的电光特性变化比较大,透射率差值最大为6.11%,最小为1.13%,以此作为基础,可对颜色进行一定的校正和补偿,以获得精确的色调和色饱和,便于进一步研究液晶光栅作为光学器件的显示性能。
- 黄翀郑泽浩欧阳艳东吴永俊沈奕
- 关键词：液晶光栅三基色透射率电光特性
- 电容触摸式LCD三基色电光特性研究被引量：3
- 2012年
- 电容触摸屏广泛应用于手机、平板电脑等诸多产品。由于电容触摸屏四层复合膜技术对各波长光的透光率不一致,存在色彩失真问题,光线在各层间的反射,还容易造成图像字符模糊。用UV-Vis8500型双光束紫外/可见分光光度计测不同电压下黑白和彩色两种电容触摸屏的电光显示特性,分析其对三基色的透射率变化情况;结果表明:随着电压的变化,黑白和彩色两种电容触摸屏对三基色透射率的变化都不一致;黑白电容触摸屏对三基色透射率变化的差值最大为9%,最小为0。彩色电容触摸屏对三基色透射率变化的差值最大为2.5%,最小为0。在电压6V以后,彩色电容触摸屏三基色透射率的差值可以维持在一个非常微小的范围。以此作为基础,可对颜色进行一定的校正和补偿,以获得精确的色调和色饱和,便于进一步研究改善电容触摸式液晶显示器件的显示性能。
- 黄翀郭阳明邹敏欧阳艳东吴永俊
- 关键词：电容触摸屏电光特性三基色透射率
- 电阻触摸式LCD三基色电光特性研究被引量：1
- 2012年
- 由于电阻技术的多层复合薄膜屏对光吸收性大,导致各波长透射率不均匀,从而引起色彩失真或图像显示不清晰。用UV-Vis8500型双光束紫外/可见分光光度计测试不同电压下电阻触摸屏的电光特性,分析其对三基色的透射率变化情况。结果表明:随着电压的变化,黑电阻触摸屏对三基色透射率的变化并不一致;黑白电阻触摸屏对三基色透射率变化的差值最大为12%,最小为0;彩色电阻触摸屏对三基色透射率变化的差值最大为4%,最小为0。研究结果能够为提升电阻触摸式液晶显示器件的显示性能提供一定的依据。
- 黄翀邹敏郭阳明欧阳艳东吴永俊
- 关键词：三基色电光特性透射率
- BaMoO_4:Eu^(3+)发光材料的制备及光谱特性研究被引量：6
- 2011年
- 利用高温固相法制备了BaMoO4:Eu3+发光材料,采用X射线衍射(XRD)和荧光光谱仪对样品进行测试。结果表明,在800℃时得到BaMoO4纯相,属四方晶系。激发光谱由一个宽带和处在350 nm后的若干个线状谱组成,宽带归属于Eu3+—O2-电荷迁移吸收带(CT),线状谱属于Eu3+的f—f激发跃迁吸收。发射光谱由5D0—7F1(591 nm),5D0—7F2(615 nm),5D0—7F3(654 nm)和5D0—7F4(702 nm)四组峰组成,其红光5D0—7F2辐射跃迁发射最强,对应Eu3+的电偶极跃迁。
- 邱桂明许成科黄翀
- 关键词：发光材料光致发光
- 菲涅尔液晶透镜的制备及偏光织构研究被引量：1
- 2013年
- 针对现有的液晶透镜制备工艺复杂、工作电压高等缺陷,提出了一种制备工艺简单、工作电压低的新型菲涅尔液晶透镜.用紫外光曝光光刻掩膜版,得到了相应的菲涅尔波带式电极,灌注TN型液晶并制成样品,其工作电压为3.0 V,占空比为1:1,偏压为1:1.施加频率为100 Hz的交流方波信号,用正交偏光显微镜在不同外加电压下对偏光织构进行了观察.结果表明,偏光织构随外加电压的改变呈连续性变化,电极结构存在边缘效应,且随着电压的增大,边缘效应越严重.
- 黄翀邹敏欧阳艳东吴永俊
- 触摸屏金属桥Al膜层表面粗糙度控制及机理研究
- 2013年
- Al薄膜作为钼/铝/钼三层金属桥的中间层,在电容式触摸屏中起到ITO图形搭桥的作用。金属Al在可见光范围内具有较高的反射率,导致在电容屏上有金属桥的部分反射率大于周边没有金属桥的部分,影响屏幕的显示效果。为了减少Al薄膜的反射率,可以采取增大Al薄膜表面粗糙程度的办法,增加漫反射。在不同的直流磁控溅射工艺下制备了表面粗糙度不同的Al薄膜,并分析了引起粗糙度不同的原因。得出了解决金属桥影问题的工艺条件。
- 黄翀李成欧阳艳东刘骥吴永俊
- 关键词：触摸屏表面粗糙度
- Ca_2SnO_4:Tb^(3+)绿色荧光粉的制备及光致发光研究被引量：11
- 2011年
- 采用高温固相法合成了Ca2SnO4∶Tb3+绿色荧光粉。利用X射线衍射分析了Ca2SnO4∶Tb3+物相的形成。测量了Ca2SnO4∶Tb3+的激发和发射光谱,激发光谱由一个宽激发峰组成,研究了Tb3+浓度对样品激发光谱的影响,结果显示,随Tb3+浓度增大,宽带激发峰发生了红移。发射光谱由四个主要发射峰组成,峰值分别位于491,543,588和623nm处,Tb3+以5 D4—7 F5(543nm)跃迁发射最强,低掺杂浓度下,Tb3+的7 F6能级出现斯托克劈裂,劈裂峰(481nm处)随Tb3+浓度增加,先增强然后减弱;在发光强度方面,随Tb3+浓度的增大呈现先增大后减小的趋势,当Tb3+摩尔浓度为9%时,发光强度最大,根据Dexter理论,确定了在Ca2SnO4基质中Tb3+自身浓度猝灭机理。荧光寿命测试表明Tb3+在Ca2SnO4基质中荧光衰减平均寿命为4.4ms。
- 邱桂明许成科黄翀
- 关键词：荧光粉光致发光荧光寿命
- ZnMoO_4:Tb^(3+)绿色荧光粉的制备及发光特性研究被引量：9
- 2010年
- 采用高温固相法制备了ZnMoO4∶Tb3+绿色荧光粉,对样品进行了X射线衍射(XRD)和荧光光谱测定。XRD结果表明,样品在800℃时能得到单一ZnMoO4相。激发光谱由1个宽带峰和若干个尖峰组成,宽带属于Mo6+—O2-电荷迁移吸收带(CT),并且发现宽带峰位随Tb3+掺杂浓度增加而出现蓝移,尖峰属于Tb3+的4f—4f跃迁,最强激发峰位于377 nm处。发射光谱由四组峰组成,最强发射峰在543 nm处,对应于Tb3+的5D4—7F5跃迁,属于磁偶极跃迁。研究了ZnMoO4∶Tb3+荧光粉在543 nm的主发射峰强度随Tb3+掺杂浓度的变化情况。结果显示,随Tb3+浓度的增加,发射峰强度先增大;当Tb3+浓度x=0.15时,峰值强度最大;而后随Tb3+浓度增加,峰值强度减小。荧光寿命测试得到Tb3+的5D4—7F5跃迁发射的荧光寿命值为0.506 ms。光谱特性研究表明,Zn-MoO4∶Tb3+是一种可能应用在白光LED上的绿基色发光材料。
- 许成科邱桂明黄翀
- 关键词：荧光粉光致发光
- 温度对液晶光阀电光特性的影响被引量：5
- 2008年
- 采用DMS 505显示器测量系统测量并分析了环境温度对TB3639型液晶光阀的电光特性的影响,结果表明:阈值电压,饱和电压和陡度因子均是温度的函数。温度从-25℃变化到70℃,阈值电压从2.015 V降到1.631 V;饱和电压从2.748 V降到2.323 V;陡度因子从1.364增大到1.424。为设计高稳定性的液晶显示器件提供了依据。
- 黄翀王建国欧阳艳东刘骥
- 关键词：液晶光阀温度电光特性
- 不同结构的电控双折射无刻痕光栅研究被引量：2
- 2011年
- 用MLC-7700-100向列相液晶制备了不同结构的电控双折射无刻痕液晶光栅。用波长为632,8 nm的He-Ne激光为光源,测量两种液晶光栅的光学衍射特性,用偏光显微镜观察不同电压下两种液晶光栅的液晶分子偏转状态和织构态改变的情况,并进行分析对比。发现双面电极条纹液晶光栅的电控衍射特性比单面电极条纹液晶光栅好。此结果对液晶器件的设计、制作、使用都具有一定的参考价值。
- 黄翀郭阳明郑泽浩欧阳艳东
- 关键词：液晶光栅衍射特性电极结构
