国家高技术研究发展计划(2007AA05Z429)
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
- 相关作者：罗毅王磊胡健楠任凡赵维更多>>
- 相关机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信轻工技术与工程更多>>
- 以sol-gel技术制备太阳能减反射涂层被引量：3
- 2009年
- 着重介绍了sol-gel(熔胶-凝胶)技术大面积、工业化制备高硬度、耐摩擦太阳能减反射涂层的意义、原理和方法,并从其作为商品工业化的角度,介绍了SiO_2单层膜系和TiO_2-SiO_2双层膜系太阳能减反射涂层生产工艺、设备及环境要求等,给出了部分商业化减反射涂层的性能特征等技术参数。
- 雷振宇
- 关键词：折射率透射比
- AlN/蓝宝石模板上生长的GaN研究被引量：3
- 2010年
- 研究了在分子束外延制备的AlN/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂GaN的材料性质.采用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和原子力显微镜研究了AlN模板的晶体质量和表面相貌对GaN的影响.结果表明,当AlN的表面粗糙度较小时,尽管AlN模板的位错密度较高((102)面XRDω扫描半高全宽900—1500arcsec),但生长得到的GaN依然具有和在蓝宝石衬底上采用"二步法"生长的GaN可比拟的晶体质量((002)面XRDω扫描半高全宽200—300arcsec,(102)面400—500arcsec)和表面粗糙度(0.1—0.2nm).TEM照片表明GaN中位错密度降低的原因是AlN中的一部分位错在AlN和GaN的界面处被终止而未能延伸至GaN中.这可能是因为Ga原子尺寸较大,具有修复晶格缺陷的作用.而当AlN的表面粗糙度较大时,Ga原子在MOVPE生长过程中的迁移受到影响,得到的GaN晶体质量非常差.此外,采用范德堡法测量的GaN电阻率为105—106Ω·cm,比蓝宝石衬底上生长的GaN高大约6个数量级,这被认为是采用AlN代替GaN低温缓冲层所致.
- 汪莱王磊任凡赵维王嘉星胡健楠张辰郝智彪罗毅
- 关键词：氮化镓氮化铝
- 自由表面光学系统对白光LED色温角分布的影响被引量：2
- 2011年
- 基于非成像光学设计的自由表面光学系统,对提高以LED为核心的固态半导体照明的性能起着至关重要的作用。文章提出了简化模型模拟一次封装白光LED光源的色温角分布特性,并研究了自由表面光学系统对该色温角分布特性的影响。仿真与实验结果都表明,自由表面光学系统可以明显改善白光LED光源的色温角分布不均匀特性。
- 司徒文畅韩彦军冯泽心李洪涛罗毅
- 关键词：LED
