教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-11-1064)
- 作品数：3 被引量：33H指数：2
- 相关作者：张楷亮王芳冯玉林苗银萍韩叶梅更多>>
- 相关机构：天津理工大学天津大学更多>>
- 发文基金：天津市科技计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程理学自动化与计算机技术更多>>
- 基于Cu/SiO_x/Al结构的阻变存储器多值特性及机理的研究被引量：1
- 2014年
- 采用氧化硅材料构建了Cu/SiOx/Al的三明治结构阻变存储器件.用半导体参数分析仪对其阻变特性进行测量,结果表明其具有明显的阻变特性,并且通过调节限制电流,得到了四个稳定的阻态,各相邻阻态的电阻比大于10,并且具有良好的数据保持能力.在不同温度条件下对各个阻态进行电学测试及拟合,明确了不同阻态的电子传输机理不尽相同:阻态1和阻态2为欧姆传导机制,阻态3为P-F(Pool-Frenkel)发射机制,阻态4为肖特基发射机制.根据电子传输机制,建立了铜细丝导电模型并对Cu/SiOx/Al阻变存储器件各个阻态的电致阻变机制进行解释.
- 陈然周立伟王建云陈长军邵兴隆蒋浩张楷亮吕联荣赵金石
- 关键词：SIOX薄膜
- 层状二硫化钼研究进展被引量：27
- 2016年
- 近年来,层状二硫化钼由于其特殊的类石墨烯结构和独特的物理化学性质已成为国内外研究的热点.本文综述了层状二硫化钼的物理结构、价带结构和光学性质;介绍了制备方法,包括生长制备和剥离制备.生长制备的原料包括四硫代钼酸铵((NH4)_2MoS_4)、钼(Mo)和三氧化钼(MoO_3)等.剥离制备包括微机械剥离、液相超声法、锂离子插层法和电化学锂离子插层法等.归纳了层状二硫化钼在场效应晶体管、传感器和存储方面的应用,展望了层状二硫化钼的研究前景.
- 顾品超张楷亮冯玉林王芳苗银萍韩叶梅张韩霞
- 关键词：电子器件
- 氧化钒薄膜的微结构及阻变特性研究被引量：5
- 2013年
- 采用射频反应溅射法于室温下在Cu/Ti/SiO2/Si基底上制备了氧化钒薄膜.X-射线衍射、X射线光电子能谱分析仪及原子力显微镜结果表明,室温下制备的氧化钒薄膜除微弱的V2O5(101)和V2O3(110)峰外,没有明显的结晶取向,是VO2,V2O5,V2O3及VO的混合相薄膜,且薄膜表面颗粒大小均匀,表面均方根粗糙度约为1nm.采用半导体参数分析仪对薄膜的电开关特性进行测试.结果表明薄膜具有较低的开关电压(VSet<1V,VReset<0.5V),并且具有稳定的可逆开关特性.薄膜从低阻态转变为高阻态的电流(IReset)随限流的增大而增大.通过高低阻态时I-V对数曲线的拟合(高阻态斜率>1,低阻态斜率=1),认为Cu离子在薄膜中扩散形成的导电细丝是该体系发生电阻转变的主要机制.
- 韦晓莹胡明张楷亮王芳刘凯
- 关键词：氧化钒薄膜电阻开关
