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国家自然科学基金(50902010)

作品数:4 被引量:2H指数:1
相关作者:王磊杜军黄立娟屠海令陈兴更多>>
相关机构:北京有色金属研究总院更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京有色金属研究总院创新基金更多>>
相关领域:理学机械工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 2篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇烧蚀
  • 3篇脉冲
  • 3篇脉冲激光
  • 3篇脉冲激光烧蚀
  • 3篇激光
  • 3篇激光烧蚀
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇发光
  • 2篇SI
  • 2篇PLA
  • 1篇电学
  • 1篇稀土
  • 1篇TBSI
  • 1篇CUBIC
  • 1篇DEPOSI...
  • 1篇ED
  • 1篇FCC
  • 1篇I-V
  • 1篇TB

机构

  • 3篇北京有色金属...

作者

  • 3篇杜军
  • 3篇王磊
  • 2篇黄立娟
  • 1篇朱世伟
  • 1篇陈兴
  • 1篇屠海令

传媒

  • 2篇中国稀土学报
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇Scienc...

年份

  • 4篇2010
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
YSi_2纳米颗粒的制备及光学、电学性能研究
2010年
采用脉冲激光烧蚀高纯YSi2靶,在n型Si(100)单晶衬底上制备YSi2纳米颗粒。原子力显微镜(AFM)观察样品表面颗粒尺寸约40-50 nm。X射线光电子能谱(XPS)测试结果表明,YSi2纳米颗粒成分为Y-O-Si。室温下对样品的光致发光(PL)性能进行测试,在500 nm处有一个较大的宽峰,409 nm附近出现强度较弱的发光峰。前者与样品中Y-O-Si电荷迁移带有关,后者为衬底表面纳米尺寸SiOx复合中心离子发光。室温下,对原位制备的薄膜电学(I-V/C-V)性能进行测试,结果表明薄膜的介电常数约为13.6。
黄立娟王磊杜军
关键词:脉冲激光烧蚀光致发光稀土
PLA制备Tb-Si纳米颗粒及室温光致发光性能研究被引量:1
2010年
采用脉冲激光烧蚀技术(PLA)在n型Si(100)单晶衬底上制备Tb-Si纳米颗粒。原子力显微镜(AFM)观察样品的表面形貌,发现样品表面是均匀分布的纳米颗粒,颗粒尺寸在10~20 nm之间,分布密度大约为6×1010/cm2。光电子能谱(XPS)及高分辨透射电镜(HRTEM)分析表明,纳米尺度的单晶硅化物颗粒的主要成分为Tb-Si及少量Tb-Si-O结构。室温下以荧光为激发光对样品的光致发光(photoluminescence)性能进行测试,结果表明样品在可见光区具有较强的发光现象,主要有4个发光峰,分别位于485,545,585和620 nm附近,这些发光峰主要由Tb3+中电子在不同能级之间的跃迁造成。
黄立娟王磊杜军
关键词:TBSI光致发光脉冲激光烧蚀
Photoluminescence of face-centered-cubic structure silicon nanoparticles deposited by pulsed laser ablation
2010年
Face-centered-cubic(fcc) structure silicon nanoparticles(Si-nps) are synthesized by using nanosecond pulse excimer laser ablation of Si target in Ar ambient.The nonequilibrium environment caused by the plume confined in argon ambient gas is responsible for the formation of fcc Si-nps.Photoluminescence(PL),transmission electron microscopy,and X-ray photoelectron spectroscopy are used to characterize these Si-nps.Broad PL spectrum is obtained with a double-peak at 403 and 503 nm by an exciting laser of 325 nm.After exposure to air for 60 days,air oxidation over time causes a clear blue-shift in green PL peak from 503 to 484 nm and no shift in violet PL peak of 403 nm.The present results indicate that the peak of 503 nm and blue-shift from 503 to 484 nm are attributed to the band-to-band recombination of quantum confinement model,while the violet PL peak of 403 nm is due to the recombination of electron transition from interface states of suboxides.
ZHU ShiWei,DU Jun,WANG Lei & TU HaiLing Advanced Electronic Materials Institute,General Research Institute for Nonferrous Metals,Beijing 100088,China
关键词:PHOTOLUMINESCENCE
脉冲激光烧蚀制备窄发光带的分散Si纳米颗粒被引量:1
2010年
采用KrF脉冲准分子激光器烧蚀高阻多晶Si靶,分别在液氮冷却至200K的高定向石墨(HOPG)和单晶Si(100)衬底上制备分散单晶Si纳米颗粒。采用拉曼谱(Raman)和高分辨透射电镜(HRTEM)分析证实Si纳米晶粒的形成。结果表明:所形成的纳米Si颗粒具有均匀分散性,相应的光致发光峰位出现在585nm,峰值半高宽为70nm;与相同参数下常温衬底的结果相比,所形成的纳米Si颗粒具有较窄的光致发光谱,并显示出谱峰蓝移现象;Si纳米颗粒尺寸的均匀分布是窄发光带的主要原因。
王磊屠海令朱世伟陈兴杜军
关键词:脉冲激光烧蚀光致发光
共1页<1>
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