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国家自然科学基金(59872037)

作品数:10 被引量:281H指数:6
相关作者:林碧霞傅竹西林鸿生贾云波段开敏更多>>
相关机构:中国科学技术大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金安徽省自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 3篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇氧化锌
  • 4篇光致
  • 4篇光致发光
  • 4篇发光
  • 3篇电池
  • 3篇叠层
  • 3篇光谱
  • 3篇A-SI
  • 3篇POLY-S...
  • 2篇叠层太阳能电...
  • 2篇氧化锌薄膜
  • 2篇太阳能电池
  • 2篇光致发光光谱
  • 2篇发光光谱
  • 2篇发光特性
  • 2篇半导体
  • 2篇
  • 1篇叠层太阳电池
  • 1篇异质结
  • 1篇阴极射线

机构

  • 10篇中国科学技术...

作者

  • 4篇林鸿生
  • 4篇傅竹西
  • 4篇林碧霞
  • 3篇段开敏
  • 3篇贾云波
  • 2篇廖桂红
  • 2篇施朝淑
  • 1篇彭小滔
  • 1篇马雷
  • 1篇杨震
  • 1篇刘丽萍
  • 1篇杨秀健
  • 1篇彭聪
  • 1篇刘磁辉
  • 1篇林罡
  • 1篇陈宇林
  • 1篇付竹西
  • 1篇朱俊杰
  • 1篇祝杰

传媒

  • 3篇发光学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇物理学进展
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇光电子技术
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2003
  • 1篇2002
  • 5篇2001
  • 2篇2000
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
a-Si/poly-Si叠层太阳电池稳定性的数值模拟分析
2003年
通过应用Scharfetter Gummel解法数值求解Poisson方程 ,对热平衡态a Si/ poli Si叠层太阳电池的光稳定性进行计算机数值模拟 ,详细分析光照射前后a Si/ poli Si叠层太阳电池中电场强度分布 ,指出在光照射下 ,光生空穴俘获造成的a Si:H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si:H薄膜中的电场强度 ,没有给a Si/ poli Si叠层结构中的a Si:H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,不会发生a Si/poli Si叠层太阳电池的光诱导性能衰退 ,因而a Si/ poli Si叠层结构太阳电池具有较高的稳定性。
林鸿生段开敏
MOCVD方法生长的氧化锌薄膜及其发光特性被引量:31
2001年
近年来 ,随着近紫外光发射氧化锌薄膜研究的进展 ,许多先进的薄膜生长手段被广泛采用。本文探索了用MOCVD方法在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 ,试验了用几种不同的有机金属源生长ZnO薄膜 ;研究了源材料及生长压力和温度对薄膜生长的影响 ;观察了样品的室温光致发光光谱。通过与溅射方法生长的ZnO薄膜的比较 ,提出了影响材料结构和发光特性的可能原因。
傅竹西林碧霞祝杰贾云波刘丽萍彭小滔
关键词:结构特性光致发光MOCVD发光特性
纳米ZnO的研究及其进展被引量:57
2003年
纳米ZnO的许多优异性能使其成为人们研究的热点并得到广泛的应用.随着ZnO颗粒尺度的不断减小,其量子限域效应越来越明显,观察到电荷载流子,声子,光子的局域化效应;表面、界面态对其性质影响逐渐明显,通过表面修饰和置入多孔及束管等束缚结构,可有效增强ZnO紫外(一个量级)或可见光区(1-2个量级)的发射强度;并使ZnO的电导率,磁化率有很大提高.纳米ZnO与其他材料的复合体系能得到一些新的功能材料.纳米ZnO的自组织行为,使人们可以获得许多形态各异,特殊用途的纳米材料及器件.本文综述了近年来纳米ZnO的研究新动态.
杨秀健施朝淑许小亮
关键词:纳米ZNO量子限域效应自组织生长氧化锌纳米材料功能复合材料
溅射方法生长的氧化锌薄膜的阴极射线和光致发光特性被引量:21
2001年
近紫外光发射氧化锌薄膜是一种新兴的发光材料 ,它的发光波长比氮化镓的蓝光波长更短 ,在光存储应用中可以进一步提高光存储的密度 ,因而在光电子领域具有重要应用价值而备受关注。在此介绍我们用直流反应溅射方法在硅衬底上生长的氧化锌薄膜 ,观察了它们的阴极射线发光和光致发光光谱 ,研究了发光与薄膜晶体结构 ,以及发光与激发电子束流的关系等。
林碧霞傅竹西贾云波廖桂红
关键词:氧化锌光致发光光谱发光特性
n-ZnO/p-Si异质结J-V特性的实验研究被引量:5
2001年
本文首次报道 n-Zn O/p-Si异质结 J-V特性实验测量的初步结果——经退火处理的异质结反向饱和电流密度比未经退火的减少一个数量级 ,表明退火改善 Zn O/Si晶格界面结构 ,提高了 n-Zn
林鸿生马雷付竹西
关键词:异质结退火处理氧化锌半导体材料
a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的空间电荷效应和稳定性分析
2002年
基于pin结构的a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论了a Si/poly Si叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,在光照射下 ,光生空穴俘获造成了a Si∶H中正空间电荷密度的增加 ,从而改变了电池内部的电场分布 ,提高了a Si∶H薄膜中的电场强度。空间电荷效应不会给a Si/poly Si叠层结构中的a Si∶H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,也没有发生a Si/poly Si叠层太阳能电池的光诱导性能衰退 ,因而a Si/poly
林鸿生段开敏
关键词:A-SIA-SINEWTON-RAPHSON
a-Si/poly-Si叠层太阳能电池稳定性研究被引量:1
2000年
通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解泊松方程,对经高强度光辐照过的a-Si/poly-Si叠层太阳能电池进行计算机数值模拟分析。结果表明,光生空穴俘获造成的a-Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布,普遍抬高a-Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下,空间电荷效应不会给a-Si/poly-Si叠层结构中的a-Si∶H薄膜带来准中性区(低场“死层”),因而没有发生a-Si/poly-Si叠层太阳能电池的光诱导性能衰退。a-Si/poly-Si叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。
林鸿生林罡段开敏
关键词:太阳能电池叠层
非掺杂ZnO薄膜中紫外与绿色发光中心被引量:103
2001年
用直流反应溅射方法在硅衬底上淀积了ZnO薄膜 ,测量它们的光致发光 (PL)光谱 ,观察到两个发光峰 ,峰值能量分别为 3 .18(紫外峰 ,UV)和 2 .3 8eV(绿峰 ) .样品用不同温度分别在氧气、氮气和空气中热处理后 ,测量了PL光谱中绿峰和紫外峰强度随热处理温度和气氛的变化 ,同时比较了用FP LMT方法计算的ZnO中几种本征缺陷的能级位置 .根据实验和能级计算的结果 ,推测出ZnO薄膜中的紫外峰与ZnO带边激子跃迁有关 ,而绿色发光主要来源于导带底到氧错位缺陷 (OZn)能级的跃迁 ,而不是通常认为的氧空位 (VO)、锌填隙 (Zni)或锌空位 (VZn)、氧填隙 (Oi) .
林碧霞傅竹西贾云波廖桂红
关键词:ZNO薄膜光致发光光谱
ZnO/p-Si异质结的深能级及其对发光的影响被引量:15
2001年
利用深能级瞬态谱 (DLTS)和光致发光谱 (PL) ,研究了ZnO/p Si异质结的两种不同温度 (85 0℃ ,10 0 0℃ )退火下的深能级中心。发现 85 0℃退火的样品存在 3个明显的深中心 ,分别为E1=Ev+0 2 1eV ,E2=Ev+0 44eV ,E3=Ev+0 71eV ;而 10 0 0℃退火样品仅存在一个E1=Ev+0 2 1eV的中心 ,且其隙态密度要比 85 0℃退火的大。同时 ,测量了两个样品的PL谱。发现 10 0 0℃退火可消除一些影响发光强度的深能级 ,对改善晶格结构 ,提高样品的发光强度有利。
刘磁辉朱俊杰林碧霞陈宇林彭聪杨震傅竹西
关键词:深能级瞬态谱DLTSPL谱光致发光谱发光强度深能级
纳米微晶结构ZnO及其紫外激光被引量:62
2000年
本文介绍了近年来研制Ⅱ Ⅵ族半导体激光器的一个新的途径———ZnO的纳米微晶结构。它分为两大类别 :即六角柱形蜂巢状结构和粉末状颗粒结构。都已在近紫外波段实现了室温下光泵激发的受激发射。它将是继Ⅱ Ⅵ族硒化物和Ⅲ Ⅴ族氮化物之后的新型半导体激光器材料。
许小亮施朝淑
关键词:紫外激光氧化锌半导体激光材料
共1页<1>
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