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国家高技术研究发展计划(2006AA03Z434)

作品数:2 被引量:1H指数:1
相关作者:丛秀云陈朝阳王军华陶明德董茂进更多>>
相关机构:中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院研究生院更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇深能级
  • 2篇深能级杂质
  • 2篇NI
  • 2篇N型
  • 2篇AU
  • 1篇硅材料
  • 1篇NICKEL
  • 1篇NTC
  • 1篇N型硅
  • 1篇DOPED
  • 1篇GOLD
  • 1篇IMPURI...
  • 1篇MATERI...
  • 1篇掺杂

机构

  • 2篇中国科学院新...
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 2篇董茂进
  • 1篇范艳伟
  • 1篇陶明德
  • 1篇王军华
  • 1篇陈朝阳
  • 1篇丛秀云

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇功能材料

年份

  • 2篇2009
  • 1篇2008
2 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性被引量:1
2009年
为了制备高B低阻的硅单晶热敏材料,采用开管涂源的方法,对n型单晶硅进行Au、Ni两种过渡族金属的双重高温掺杂,得到对温度敏感的补偿硅材料,并对其进行测试和分析。掺杂后得到的硅单晶热敏材料,其导电类型仍为n型,且电阻率较低,为欠补偿,测试结果表明其常温电阻率ρ25=64~416Ω·cm,温度敏感系数(B值)在5300K左右;根据半导体中深能级杂质理论推导计算得到的材料的B值,与实验值基本一致。
董茂进陈朝阳范艳伟丛秀云王军华陶明德
关键词:深能级杂质AUNI
多重杂质(Au、Ni)掺杂n型硅材料的热敏特性
为了制备高B低阻的硅单晶热敏材料,采用开管涂源的方法对n型硅材料进行Au、Ni两种过渡族金属的高温掺杂。实验表明:通过多重掺杂后得到的硅单晶热敏材料,其电阻率可低至与硅片原始电阻率相近,B值保持在4500k以上.
董茂进陈朝阳范艳伟丛秀云
关键词:深能级杂质
文献传递
NTC and electrical properties of nickel and gold doped n-type silicon material
2009年
Silicon materials compensated by deep level impurities such as nickel and gold have negative temperature coefficient (NTC) characteristics. In this work, n-type silicon wafers are smeared by nickel chloride ethanol solution and gold chloric acid ethanol solution, and subsequently put in the opening environment to heat. The electrical resistance and B-value of the thermistors made by this silicon material are measured and analyzed. When the silicon surface concentration of gold atoms is 2 × 10-6 mol/cm2, the uniformity of the single-crystal silicon material is optimal. When the diffusion temperature is between 900 and 1000 ℃, a material with high B-value and low electrical resistivity is obtained. The B-T and R-T change laws calculated by the theory of semiconductor deep level energy are basically consistent with the experimental results.
董茂进陈朝阳范艳伟王军华陶明德丛秀云
关键词:NICKELGOLDNTC
共1页<1>
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