北京市科委基金(D0404003040321)
- 作品数：3 被引量：8H指数：2
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- 基于Ni/Ag/Pt的P型GaN欧姆接触被引量：3
- 2006年
- 提出了新型的Ni/Ag/Pt结构作为具有高光学反射率、低比接触电阻率(SCR)的p-GaN欧姆接触电极。在Ni/Ag/Pt厚度分别为3 nm/120 nm/2 nm的条件下,在500℃、O2气氛中退火3 min,获得了80%的光学反射率(460 nm处)和4.43×10-4Ω.cm2的SCR,样品的表面均方根(RMS)粗糙度约为8nm。俄歇电子能谱(AES)分析表明,Pt很好地改善了Ag基电极退火后的表面形貌,Ni、Ag对形成良好的欧姆接触起了重要的作用。
- 马洪霞韩彦军申屠伟进张贤鹏罗毅钱可元
- 关键词：GAN欧姆接触
- 基于图形衬底生长的GaN位错机制分析被引量：4
- 2008年
- 采用缺陷选择性腐蚀法结合光学显微镜及原子力显微镜(AFM)对金属有机化合物气相外延(MOVPE)在蓝宝石图形衬底(PSS)上生长的非掺杂GaN体材料的位错产生机制进行了研究,分析结果表明,位错来源于三个方面:一是"二步法"生长机制引入的位错;二是是由于图形衬底上不同区域GaN晶体相互连接时由于晶面不连续所造成的位错群;三是由于图形衬底制作工艺过程中引入的表面污染与损伤。
- 江洋罗毅薛小琳汪莱李洪涛席光义赵维韩彦军
- 关键词：图形衬底位错
- 基于BCl_3感应耦合等离子体的蓝宝石光滑表面刻蚀被引量：1
- 2007年
- 利用Ar/BCl3、Cl2/BCl3和SF6/BCl3感应耦合等离子体(ICP),研究了蓝宝石(Al2O3)材料的干法刻蚀特性。实验表明,优化BCl3含量(80%),可以提高对Al2O3衬底的刻蚀速率;在BCl3刻蚀气体中加入20%的Ar气可以在高刻蚀速率下同时获得优于未刻蚀Al2O3衬底表面的光滑刻蚀表面和较好的刻蚀侧壁,原子力显微镜(AFM)分析得到最优刻蚀平整度为0.039nm,俄歇电子能谱(AES)分析其归一化Al/O原子比为0.94。
- 薛小琳韩彦军张贤鹏江洋马洪霞刘中涛罗毅
- 关键词：刻蚀速率
