北京市科委基金(D0404003040221)
- 作品数：5 被引量：26H指数：3
- 相关作者：沈光地舒雄文田增霞徐晨罗丹更多>>
- 相关机构：北京工业大学中国科学院更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 透明导电ITO欧姆接触的AlGaInP薄膜发光二极管被引量：8
- 2007年
- 提出了一种透明导电氧化铟锡(ITO)欧姆接触的AlGaInP薄膜发光二极管(LED)的结构和制作工艺。在这个结构里,ITO还作为窗口层材料,增强电流扩展,并应用了高反射率的金属作为反光镜。用Au-Sn合金(Au∶Sn=8∶2,重量比)作为焊料,把带有金属反光镜的AlGaInPLED(RS-LED)外延片倒装键合到GaAs基板上,并去掉外延GaAs衬底,把被GaAs衬底吸收的光反射出去。与常规AlGaInP吸收衬底LEDs(AS-LED)和带有分布布拉格反光镜(DBR)的AlGaInP吸收衬底LEDs(DBR-AS-LED)电、光特性的比较,用透明导电ITO做欧姆接触的AlGaInP薄膜RS-LED结构能极大提高光输出功率和发光强度。正向电流20mA时,RS-LED的光输出功率分别是AS-LED和DBR-AS-LED的2.4倍和1.7倍;RS-LED20mA下峰值波长624nm的轴向光强达到了179.6mcd,分别是AS-LED20mA下峰值波长627nm和DBR-AS-LED20mA下峰值波长623nm轴向光强的2.2倍和1.3倍。
- 张剑铭邹德恕刘思南朱彦旭沈光地
- 关键词：ALGAINP发光强度
- 高亮度AlGaInP红光发光二极管被引量：8
- 2008年
- 对用于提高AlGaInP红光发光二极管(LED)出光效率的分布布拉格反射镜(DBR)和增透膜进行了分析,用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长了包含DBR和增透膜的LED,在20mA注入电流下,LED的峰值波长为623nm,光强达到200mcd,输出光功率为2.14mW。与常规的LED相比,光强和输出光功率有很大的提高。
- 韩军李建军邓军邢艳辉于晓东林委之刘莹沈光地
- 关键词：增透膜
- 电子束蒸发非晶硅光学薄膜工艺研究被引量：11
- 2006年
- 研究了沉积时真空室真空度、基片温度和沉积速率对常用电子束蒸发非晶硅（a-Si）光学薄膜的折射率和消光系数的影响。结果表明，在300～1100nm的波长范围内，真空室真空度、基片温度和沉积速率越高，则所得a-Si薄膜折射率越高，消光系数越大。并将实验结果用于半导体激光器腔面高反镜用a—Si膜镀制，发现在选择初始真空为1E-6×133 Pa、基片温度为100℃和沉积速率为0．2nm／s时所得高反镜的光学特性比较好，在808nm处折射率和消光系数分别为3．1和1E-3。
- 舒雄文徐晨田增霞罗丹沈光地
- 关键词：消光系数半导体激光器
- 电子束蒸发Ar离子辅助沉积Si光学薄膜的特性被引量：2
- 2006年
- 对用常规电子束蒸发和Ar离子辅助沉积所得的非晶硅光学薄膜的光学常数、表面形貌、热稳定性和湿度稳定性等进行了研究。结果发现Ar离子辅助沉积所得非晶硅光学薄膜的折射率大大提高,表面粗糙度明显降低,湿度稳定性和热稳定性也得到较大改善,但是光学带隙变窄,光学吸收增加。
- 舒雄文徐晨田增霞沈光地
- 关键词：光学薄膜离子辅助沉积光学常数
- LD内损耗测试新方法
- 2006年
- 提出了一种新的测试LD内损耗方法,它通过对后腔面镀高反膜,并对前腔面镀不同反射率增透膜,然后根据外微分量子效率倒数1/ηe与1/ln[1/(RfRr)的线性关系(Rf和Rr分别为前后腔面反射率)求出内损耗值。这样可以消除常用的测试LD内损耗方法中因管座反射带来的误差,使误差降低达15%。
- 舒雄文徐晨田增霞沈光地
- 关键词：光功率
