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Mg掺杂对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜介电性能的影响: 2006年; 用醋酸盐和钛酸四丁酯为原料,采用solgel工艺在Pt/TiO2/SiO2/Si基片上制备了含有Mg元素的Sr0.5Ba0.5xMgxTiO3薄膜,其退火处理温度为750℃。通过X射线衍射和扫描电镜分析技术研究了薄膜的相结构和形貌。采用美国HPAngilent4294A阻抗分析仪测试了以Pt为底电极、Ag为上电极的MFM电容器的介电性能。实验结果表明:掺镁Sr0.5Ba0.5xMgxTiO3薄膜较未掺杂的Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜相对介电常数高、介电损耗低。介温谱表明在居里温度附近发生了弥散型相变,且居里温度有向低温方向漂移的趋势。; 韦其红陶文宏付兴华侯文萍; 关键词：钛酸锶钡薄膜 X射线衍射

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博士科研启动基金(60518)