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pH值对化学沉积制备CdS薄膜性质的影响被引量：3: 2003年; 实验研究了pH值对化学沉积制备CdS薄膜性质的影响。表明:在柠檬酸钠作为络合剂的体系中随着溶液中氨水浓度的提高CdS薄膜会发生相变,从立方相变为六方相,即当氨水浓度为0 31M时,得到立方相的CdS薄膜;而当氨水的浓度大于0 51M时,得到六方相的CdS薄膜。氨水浓度的提高也使得CdS薄膜的形貌有了很大的改善,且制备得到的CdS薄膜从富Cd变为富S,但是薄膜仍是n型。氨水浓度对CdS薄膜的光学性质也有很大的影响,随着氨水浓度的提高所得到的CdS薄膜的禁带宽度增大。; 张辉马向阳杨德仁; 关键词：CDS 化学沉积

电沉积法制备Cu_xS薄膜及其性质研究: 2003年; 利用电沉积的方法制备CuxS薄膜,研究了不同的络合剂,不同的硫源及不同的热处理温度对电沉积制备CuxS薄膜性质的影响。研究发现:不同的络合剂可以制备得到不同相的CuxS薄膜,用EDTA作为络合剂的时候得到是六方相的Cu2S其主要晶面是(102),当用柠檬酸钠作为络合剂的时候得到的是单斜的Cu31S16其主要晶面是(842)。当用Na2S2O3作为硫源的时候得到的是单斜的Cu31S16其主要晶面是(842),当用硫脲作为硫源的时候得到是六方相的Cu2S其主要晶面是(102)。随着热处理温度的提高,薄膜的结晶程度有了很大的提高,晶粒有了明显的长大,不同温度的热处理证实了CuxS薄膜的生长是沿着[102]方向定向生长的。; 张辉汤会香马向阳杨尚炯杨德仁; 关键词：电沉积相结构

化学水浴法制备CuxS薄膜: 2003年; CuInS2薄膜是最有前途的多晶薄膜太阳电池材料.为了用化学水浴法制备CuIn岛薄膜,该文研究了化学水浴法制备CuxS薄膜,用SEM、XRD、EDX分别研究了薄膜的形貌、结构和组分,并且对薄膜的光学性质进行了讨论.; 汤会香

氢处理对太阳薄膜材料Mo/CuIn_(1-X)Ga_XSe_2/CdS的影响: 2004年; 将固态源硒化法制备的太阳薄膜材料(Mo/CuIn1-XGaXSe2/CdS)在500℃进行氢处理和氮处理,然后利用XRD、SEM和I-V测试分析了氢处理和氮处理对CuIn1-XGaXSe2薄膜结构、形貌和太阳电池性能的影响。研究表明在500℃的条件下,经过不同时间的氢处理,可以使样品的开启电压减小(特别是经过180min氢处理的样品),提高了p-n结的性能,从而提高光电转换效率,并可以使样品表面的大颗粒逐渐减少,促进CuIn0 7Ga0 3Se相的形成,这和I—V性能的测试结果相符合。而氮气的处理对于样品的I—V性能几乎没有影响,这证明了上述性能的提高是由于氢的钝化作用引起的,而非普通的热处理所致。; 张辉丁绍林汤会香张会锐马向阳杨德仁刘维一张加友孙云; 关键词：CIGS 氢

A Novel Hydrothermal Synthesis of Single Crystalline PbS Nanorods and Their Characterization被引量：2: 2005年; Lead sulfide （PbS） nanorods with a high aspect ratio were prepared by a novel thioglycolic acid assisted hydrothermal method. X-ray diffraction and transmission electron microscopy revealed that the product was rod-like PbS with cubic rock-salt structure. Further characterizations by selected area electron diffraction and high-resolution transmission electron microscopy showed that the PbS nanorods were single crystalline in nature. Furthermore, the mechanism and critical factors for the hydrothermal synthesis of the nanorods have been discussed.; Hongliang ZHUDeren YANGHui ZHANG; 关键词：NANOSTRUCTURES

磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe_2薄膜工艺条件的优化被引量：16: 2004年; 采用四因素四水平的正交实验法优化了磁控溅射金属预置层后硒化法制备CuInSe2 薄膜的工艺条件 .调节四个较为重要的影响因素 ,即Cu/In比、硒化时间、硒化温度和硒源温度制备得到 16个CuInSe2 样品 .用Hall效应仪对薄膜的电学性能进行了研究 ,并且通过XRD研究了薄膜的结构性能 .得到了制备具有较好电学性能的CuInSe2 薄膜的优化条件为 :Cu/In比 1 133,硒化温度 4 2 0℃ ,硒化时间 2 0min ,硒源温度 2 0 0℃ .在此优化条件下得到的薄膜Hall迁移率可以达到 3 19cm2 /(V·s) ,XRD结果表明薄膜中没有杂相存在 .; 汤会香严密张辉张加友孙云薛玉明杨德仁; 关键词：正交实验

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国家高技术研究发展计划(2001AA513023)