江苏省高校自然科学研究项目(03KJB140116)
- 作品数：9 被引量：28H指数：3
- 相关作者：诸葛兰剑吴雪梅吴兆丰蒋平王晓飞更多>>
- 相关机构：苏州大学江苏省薄膜材料重点实验室南京航空航天大学更多>>
- 发文基金：江苏省高校自然科学研究项目国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- Si和C共掺杂的SiO_2薄膜的光致发光被引量：1
- 2004年
- 采用双离子束溅射技术制备了Si和C共掺杂的SiO2薄膜,在N2气氛下进行了不同温度的退火处理。分析了样品在室温下的光致发光(PL)特性,在该样品中观察到分别位于410nm和470nm的两个发光峰。这两个发光峰的强度随着退火温度的变化呈现不同的变化趋势,表明两个发光峰的来源并不相同。用XRD和FTIR测试手段分析了样品的结构,认为470nm的发光来源于中性氧空位缺陷(O3≡Si-Si≡O3),而410nm的发光来源于Si1-xCx纳米晶粒与SiO2基质之间的界面缺陷。
- 成珏飞吴雪梅诸葛兰剑王文宝
- 关键词：光致发光红外吸收谱碳化硅掺杂二氧化硅薄膜
- 过渡金属掺杂ZnO形成稀磁半导体的研究进展被引量：4
- 2007年
- 由于稀磁半导体(DMS)潜在的应用前景,近年来许多研究小组开始了对过渡金属(TM)掺杂ZnO形成稀磁半导体的研究。综述了TM掺杂ZnO的制备以及TM掺杂对ZnO薄膜结构和性能的影响,特别是对磁学性质的影响。
- 陈正才诸葛兰剑吴雪梅
- 关键词：稀磁半导体ZNO薄膜过渡金属掺杂
- Zn1-xCuxO薄膜的结构和光学性质被引量：6
- 2008年
- 采用CS-400型射频磁控溅射仪在Si(111)和石英基底上成功的制备了Zn1-xCuxO薄膜,薄膜的晶体取向和表面形貌用X射线衍射(XRD)仪和扫描电子显微镜(SEM)进行测量。利用紫外-可见光(UV-vis)分光光度计来测量基片为石英的Zn1-xCuxO薄膜的透射光谱。实验表明,采用射频磁控溅射制备的掺Cu氧化锌薄膜具有(002)峰的择优取向。随着Cu掺入量的增加样品成膜质量降低,禁带宽度减小,透射率下降。
- 王晓飞吴雪梅诸葛兰剑
- 关键词：射频磁控溅射CU掺杂氧化锌薄膜透射率光学带隙
- 沉积气压对磁控溅射制备ZnO薄膜的结构与光学性能影响被引量：9
- 2009年
- 采用CS-400型射频磁控溅射仪在Si（111）和石英基底上成功的制备了ZnO薄膜，分别用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和荧光分光光度计表征样品的结构和光学性质。实验表明，采用射频磁控溅射制备的ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构的（002）峰和（101）峰的两种取向。在沉积气压〉1．0Pa时所制备的ZnO薄膜具有（002）择优取向，并且十分稳定。SEM图表明，ZnO薄膜颗粒大小较为均匀，晶粒尺寸随着气压升高而变小，沉积气压不同时，薄膜样品的生长方式有所差异。在400～1000nm范围内，可以看出除0．5Pa下制备的ZnO薄膜外，其余ZnO薄膜在可见光区域的平均透过率超过80％，吸收边在380nm附近，所对应的光学带隙约为3．23～3．27eV，并随着沉积气压上升而变大。ZnO薄膜的PL谱上观察到了392nm的近紫外峰和419nm的蓝峰；沉积气压对ZnO薄膜的发光峰位和峰强有影响。
- 蒋平吴雪梅诸葛兰剑吴兆丰
- 关键词：射频磁控溅射ZNO薄膜透射率光学带隙PL谱
- 双离子束溅射室温沉积生长SiC薄膜
- <正>SiC作为一种优秀的微电子材料,以其禁带宽、饱和电子漂移速度大、临界雪崩击穿电场高和热导高的特点,在大功率、高频、耐高温、抗辐射器件及光电子集成器件方面具有重要的应用价值而备受重视。工艺上又可以与集成电路兼容,被期...
- 金成刚吴雪梅诸葛兰剑
- 文献传递
- Cu掺杂浓度对ZnO薄膜的结构、透光性和电学性质的影响被引量：3
- 2008年
- 采用射频磁控溅射方法在导电玻璃和石英衬底上制备了未掺杂和不同Cu掺杂量的ZnO薄膜。XRD显示,适当的Cu掺杂增强了ZnO的(002)衍射峰的强度;用紫外分光光度计测量了样品的透光性,结果显示,随掺杂量的增加,其透光性减弱,但在Cu掺杂量为9.6%时其透光性还在60%以上。用四探针测量了样品的表面电阻率,薄膜的电阻率随Cu掺杂量的增加而增加。
- 徐庆岩吴雪梅诸葛兰剑陈学梅吴兆丰
- 关键词：CU掺杂ZNO薄膜
- 硼碳氮材料的研究进展
- 2008年
- 硼碳氮材料以其优异的机械、电学和光学性质,在工业领域、光电子领域等方面具有广阔的应用前景。对硼碳氮材料的研究进展作一综述,介绍了材料的结构特性、性质特点、制备方法、表征手段以及在器件方面潜在的应用。结合本实验研究小组的工作,阐述了硼碳氮材料的结构以及其高硬度特性。
- 杨旭敏吴雪梅诸葛兰剑周飞
- 关键词：高硬度
- ZnO基稀磁半导体磁性起源的探索被引量：3
- 2007年
- 对掺杂过渡金属(TM)制备得到的ZnO基稀磁半导体的磁性起源作了理论和实验两方面知识的调研,在理论方面主要介绍了几种磁性交换的模型:直接超交换和间接超交换、载流子媒介交换和跃迁磁极子。在实验方面分析众多国内外相关文献,发现选择正确的生长条件对于成功获得稀磁半导体至关重要,低生长温度、高氧偏压和较少的TM离子掺杂浓度能促使TM掺杂物的均一分布,并能削弱反铁磁性(AFM)交换进而增进铁磁性(FM)交换。同时据文献报道发现很多样品的磁性并不是固有的,载流子尤其空穴的存在对于铁磁交换作用起着至关重要的作用。
- 居健吴雪梅诸葛兰剑
- 关键词：稀磁半导体铁磁性
- ZnO薄膜的磁电光性质研究进展被引量：1
- 2006年
- ZnO薄膜是一种具有优良性质的材料,如光电、p-n结特性等,并有多种制备方法,其性质取决于不同的掺杂组分。概述了ZnO薄膜的制备方法、晶格特性、光电特性、p-n结特性及其磁性掺杂。
- 陈爱军吴雪梅诸葛兰剑
- 关键词：ZNO薄膜P-N结
- SiC稀磁半导体材料研究进展被引量：1
- 2007年
- 稀磁半导体(DMS)材料同时利用了电子的电荷和自旋属性,具有优异的磁、磁光、磁电等性能,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。系统地概述了SiC基DMS材料的研究进展,介绍了材料的制备方式、结构、性质、铁磁性起源的机理以及器件潜在的应用前景。结合本实验小组的研究工作,重点阐述了材料的结构以及磁性机制。
- 金成刚吴雪梅诸葛兰剑
- 关键词：碳化硅稀磁半导体过渡金属
