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教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-10-0331)

作品数:7 被引量:29H指数:3
相关作者:孙伟锋刘斯扬王建华钟和平张春伟更多>>
相关机构:东南大学湖南大学华中科技大学更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:文化科学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇文化科学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇高校
  • 1篇电荷泵
  • 1篇动态应力
  • 1篇应力
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元法
  • 1篇载流子
  • 1篇政府
  • 1篇政府责任
  • 1篇善治
  • 1篇社会
  • 1篇社会参与
  • 1篇缺位
  • 1篇热载流子
  • 1篇热载流子退化
  • 1篇热阻
  • 1篇准饱和效应
  • 1篇问责
  • 1篇问责制
  • 1篇教育

机构

  • 4篇东南大学
  • 3篇湖南大学
  • 2篇华中科技大学
  • 1篇中国空空导弹...

作者

  • 4篇孙伟锋
  • 3篇刘斯扬
  • 2篇张春伟
  • 2篇钟和平
  • 2篇王建华
  • 1篇徐申
  • 1篇龙献忠
  • 1篇朱荣霞
  • 1篇万维俊
  • 1篇张頔
  • 1篇黄栋
  • 1篇王永平
  • 1篇于冰
  • 1篇李敏
  • 1篇王锦春
  • 1篇马德军

传媒

  • 3篇大学教育科学
  • 2篇东南大学学报...
  • 1篇电子器件
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 2篇2011
  • 1篇2010
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
基于PDP扫描驱动芯片的LQFP封装热特性研究被引量:2
2013年
研究了LQFP封装的96路等离子平板显示(PDP)扫描驱动芯片的封装热特性,利用有限元法对所建立的封装模型进行数值求解,并与实测结果进行比较,验证了模型求解的可靠性与准确性。研究表明,在集成电路封装设计中,增大散热基板面积、优化引线框架、提高封装热导率,对于散热性能的提高非常有效,而在外围设计中,增大印制电路板(PCB)有效覆铜面积、增加PCB有效过孔数、在芯片顶部添加散热片、加大空气流速都可使芯片散热能力显著增强。
于冰张頔刘斯扬孙伟锋
关键词:热特性有限元法
高校治理中社会参与的困境及对策分析被引量:12
2011年
随着我国社会力量的发展壮大,社会作为利益相关者之一参与高校治理的利益诉求日趋强烈,但由于传统观念制约、经济条件限制、参与制度缺失等诸多因素,社会组织参与高校治理还面临着参与志愿失灵、参与权利弱化、参与体系不完备、参与力度不够的困境。因此,我们必须从强化社会参与意识、政府适当的介入和扶持、建立健全社会参与的运行机制以及充分利用现代技术手段等方面强化高校治理中的社会参与。
王建华钟和平
关键词:高校治理社会参与
一种测试功率MOSFET热阻的新方法被引量:2
2014年
阐述了一种测试功率MOSFET热阻的新方法。该方法选取漏源电流作为温度敏感参数,在相同漏源电压和栅源电压幅度下,当栅源电压条件由直流形式变为脉冲形式时,漏源电流是有差异的,这一差异是由结温的不同造成的。而脉冲栅源电压下环境温度的调整可以用来模拟直流条件下的结温,由此可以测得器件在直流条件下的热阻。该方法具有精度高、实现容易和操作方便等优点,可作为功率MOS器件结温和热阻的有效测试方法。
卫能刘斯扬万维俊孙伟锋
关键词:功率场效应晶体管结温热阻
动态应力下功率n-LDMOS器件热载流子退化恢复效应被引量:2
2013年
针对功率n-LDMOS器件在动态应力条件下的热载流子退化恢复效应进行了实验和理论研究.电荷泵实验测试和器件专用计算机辅助软件的仿真分析结果表明,在施加不同的动态应力条件下,功率n-LDMOS器件存在2种主要的热载流子退化机理,即鸟嘴区域的热空穴注入和沟道区域的界面态产生,均有明显的退化恢复效应.对功率n-LDMOS器件施加2个连续3 600 s的不同应力,观察每个阶段结束时刻的CP电流曲线,发现该器件在应力变换期间确实发生了热空穴的退陷阱效应.然后,对功率n-LDMOS器件施加3个连续3 600 s的不同应力,观察每个阶段结束时刻的CP电流曲线,发现器件处于关断阶段时,已产生的界面态存在一定程度的复合.
徐申张春伟刘斯扬王永平孙伟锋
关键词:热载流子电荷泵
功率VDMOS器件的新型SPICE模型
2013年
为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N沟道金属氧化物半导体(NMOS)与4个电阻的串联.采用表面势建模的原理计算了积累区的电阻,并对寄生结型场效应晶体管(JFET)耗尽及夹断2种状态进行分析,计算出寄生JFET区的电阻.分别考虑VDMOS器件外延层区与衬底区的电流路径,建立了这2个区域的电阻模型.模型仿真值与器件测试值的比较结果表明,该模型能够准确拟合VDMOS器件线性区、饱和区及准饱和区的电学特性.
朱荣霞黄栋马德军王锦春孙伟锋张春伟
关键词:VDMOSSPICE模型准饱和效应
从缺位到归位:高等教育财政中的政府责任被引量:5
2010年
20世纪90年代以来,我国高等教育财政陷入了困境,原因包括规模扩大过快、制度不健全等因素,但政府同样承担着不可推卸的责任。当前高等教育财政中政府责任缺位体现在投资责任缺失和转移、效率与公平问题突出、法制建设滞后、多元筹资缺乏政策供给和中介组织发展缓慢等方面。可通过增加公共财政投入、促进制度变迁、开源与节流并重、加快高等教育财政法制化进程、培育和管理中介组织以及建立高等教育财政问责制等措施来实现政府责任的回归。
王建华钟和平
关键词:高等教育财政政府责任缺位归位
基于善治视角的我国高校问责制发展趋向被引量:6
2011年
当前,我国高校中的腐败现象、泛行政化倾向给高校的发展带来了许多消极影响,推行高校问责制是我国高校改革与发展的必然选择。善治为我国高校问责制的实施奠定了理论基础,善治视野下我国高校问责制的发展趋向主要有:由"事后问责"走向"预防问责";由重"问"走向"问"与"答"的结合;由重"惩"走向"奖"与"惩"的结合;由注重"他律"走向"自律"与"他律"的结合;由注重"上问下责"走向"下问上责"与"上问下责"的结合。
龙献忠李敏
关键词:善治高校问责制
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