湖南省自然科学基金(12JJ3003)
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
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- 有机半导体场效应管中电荷输运的准二维限制效应
- 2014年
- 从Vissenberg-Matters模型出发,研究不同有机层厚度下有机半导体场效应管中载流子的输运特性。在满足一定的温度和栅极电压条件下,得出三维情况下有机半导体场效应管源漏电流随有机层厚度和栅极电压的变化关系。对基于聚噻吩乙炔(PTV)的场效应管进行数值模拟。研究结果表明:随有机层厚度的增加,源漏电流呈现饱和现象,其电荷输运主要发生在电荷积累层的几个分子层厚度内。对于可视为准二维结构的单层有机半导体场效应管,从不同于三维情况下的载流子浓度分布函数出发,得出二维情况下,源漏电流随栅极电压的关系表达式。尽管二维、三维情况下,源漏电流随栅极电压的变化规律形式上一致,但其源漏电流随栅极电压变化的幂律指数存在一定的区别,二维、三维时的幂律指数分别为T0/T和2T0/T-1,表明二维时指数对温度的依赖性较弱,二维时对电荷输运的限制效应体现在减弱迁移率对温度的依赖上。
- 刘小良许红波易士娟李燕峰
- 关键词：传输特性
- 关联无序有机半导体中载流子迁移率的描述
- 2013年
- 基于偶极子无序模型,研究了有机半导体格点能量之间存在空间关联的物理机理,通过数值计算得到了简立方晶格和体心立方晶格模型下格点能量的约化关联函数.研究发现,电荷与有机半导体分子的偶极矩的静电吸引可以导致有机半导体格点能量之间存在空间关联,其约化关联函数大致随格点距离的增大成反比减小.为了获得有机半导体中电荷的输运特性,本文基于关联无序模型(CDM),从求解晶格间的电荷跃迁主方程的数值解出发,模拟计算了有机半导体载流子迁移率对温度、电场及载流子浓度的依赖关系,与基于高斯无序模型的结果对比表明,关联无序模型的结果更贴近于实验结果,其迁移率对温度和载流子的浓度的依赖性比高斯无序模型弱.
- 刘小良许红波易士娟
- 关键词：载流子浓度主方程
