您的位置: 专家智库
>
资助详情>
电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金(KFJJ200805)
电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金(KFJJ200805)
- 作品数:3 被引量:11H指数:2
- 相关作者:王军彭自求袁凯蒋亚东何峰更多>>
- 相关机构:电子科技大学更多>>
- 发文基金:电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金更多>>
- 相关领域:电子电信更多>>
- 双牺牲层微测辐射热计最新研究进展被引量:3
- 2010年
- 通过改善结构,来研制更小尺寸、更高分辨率的器件,成为微测辐射热计研制的新趋势,而其中最普遍的做法就是使用双牺牲层。本文介绍了双牺牲层微测辐射热计研究的最新成果,即以Raytheon和DRS等为代表的两种做法,并从器件结构和工艺上比较了两种思路的优劣。
- 彭自求王军袁凯蒋亚东
- 关键词:微测辐射热计
- 光敏聚酰亚胺牺牲层工艺研究被引量:8
- 2010年
- 微机电系统(Micro Electromechanical System,MEMS)作为微电子技术应用的新突破,促进了现代信息技术的发展。牺牲层技术是MEMS应用的关键。介绍了光敏性聚酰亚胺作为牺牲层材料的优势,研究了工艺中光敏聚酰亚胺的厚度控制、亚胺化过程以及牺牲层的去除。并讨论了各工艺的最优化,制备了性能稳定的悬桥结构。
- 彭自求王军袁凯何峰蒋亚东
- 关键词:牺牲层技术光敏聚酰亚胺亚胺化
- 图形反转方法制备MEMS器件电极的研究
- 2010年
- 研究了利用AZ5214光刻胶图形反转实现抗腐蚀金属NiCr剥离的关键工艺步骤,该方法可以用于制备金属电极,进而优化器件性能。理论上讨论了图形反转的形成机理,根据Dill理论对光刻胶曝光模型进行了推导,并使用MATLAB模拟工具对其进行了仿真。通过优化各项工艺参数,得到了最佳倒台面结构,并制备了精度达到1μm宽的用于MEMS器件的金属NiCr电极。
- 彭自求王军袁凯蒋亚东