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电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金(KFJJ200805)

作品数:3 被引量:11H指数:2
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文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇牺牲层
  • 1篇倒台
  • 1篇电极
  • 1篇亚胺
  • 1篇亚胺化
  • 1篇酰亚胺
  • 1篇微测辐射热计
  • 1篇牺牲层技术
  • 1篇聚酰亚胺
  • 1篇光敏聚酰亚胺
  • 1篇胺化
  • 1篇MEMS器件
  • 1篇测辐射热计

机构

  • 3篇电子科技大学

作者

  • 3篇蒋亚东
  • 3篇袁凯
  • 3篇彭自求
  • 3篇王军
  • 1篇何峰

传媒

  • 2篇电子器件
  • 1篇微处理机

年份

  • 3篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
双牺牲层微测辐射热计最新研究进展被引量:3
2010年
通过改善结构,来研制更小尺寸、更高分辨率的器件,成为微测辐射热计研制的新趋势,而其中最普遍的做法就是使用双牺牲层。本文介绍了双牺牲层微测辐射热计研究的最新成果,即以Raytheon和DRS等为代表的两种做法,并从器件结构和工艺上比较了两种思路的优劣。
彭自求王军袁凯蒋亚东
关键词:微测辐射热计
光敏聚酰亚胺牺牲层工艺研究被引量:8
2010年
微机电系统(Micro Electromechanical System,MEMS)作为微电子技术应用的新突破,促进了现代信息技术的发展。牺牲层技术是MEMS应用的关键。介绍了光敏性聚酰亚胺作为牺牲层材料的优势,研究了工艺中光敏聚酰亚胺的厚度控制、亚胺化过程以及牺牲层的去除。并讨论了各工艺的最优化,制备了性能稳定的悬桥结构。
彭自求王军袁凯何峰蒋亚东
关键词:牺牲层技术光敏聚酰亚胺亚胺化
图形反转方法制备MEMS器件电极的研究
2010年
研究了利用AZ5214光刻胶图形反转实现抗腐蚀金属NiCr剥离的关键工艺步骤,该方法可以用于制备金属电极,进而优化器件性能。理论上讨论了图形反转的形成机理,根据Dill理论对光刻胶曝光模型进行了推导,并使用MATLAB模拟工具对其进行了仿真。通过优化各项工艺参数,得到了最佳倒台面结构,并制备了精度达到1μm宽的用于MEMS器件的金属NiCr电极。
彭自求王军袁凯蒋亚东
共1页<1>
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