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国家自然科学基金(69896260)

作品数:98 被引量:413H指数:9
相关作者:范希武张吉英余金中申德振刘益春更多>>
相关机构:中国科学院中国科学院长春光学精密机械与物理研究所天津大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 97篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 77篇电子电信
  • 35篇理学
  • 5篇机械工程
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇生物学
  • 1篇天文地球

主题

  • 15篇光学
  • 13篇半导体
  • 11篇激光
  • 10篇激光器
  • 9篇光电
  • 8篇发光
  • 8篇波导
  • 8篇衬底
  • 7篇量子
  • 7篇量子点
  • 6篇多量子阱
  • 6篇偏振
  • 6篇光开关
  • 6篇光致
  • 6篇光致发光
  • 6篇DFB激光器
  • 5篇导体
  • 5篇调制器
  • 5篇光学性
  • 5篇光学性质

机构

  • 58篇中国科学院
  • 18篇中国科学院长...
  • 12篇天津大学
  • 8篇吉林大学
  • 6篇厦门大学
  • 4篇华侨大学
  • 4篇清华大学
  • 3篇长春光机学院
  • 2篇哈尔滨师范大...
  • 2篇中国科学院长...
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇东南大学
  • 1篇南京大学
  • 1篇内蒙古大学
  • 1篇南昌大学
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇国家光电子工...
  • 1篇集成光电子学...
  • 1篇北京化工厂

作者

  • 19篇范希武
  • 16篇张吉英
  • 15篇申德振
  • 15篇余金中
  • 13篇刘益春
  • 12篇王圩
  • 11篇陈弘达
  • 9篇吕有明
  • 9篇毛陆虹
  • 8篇朱洪亮
  • 8篇吴荣汉
  • 8篇单崇新
  • 8篇刘国利
  • 7篇张静媛
  • 7篇汪孝杰
  • 7篇张振中
  • 7篇王启明
  • 7篇杜国同
  • 6篇黄美纯
  • 6篇王启明

传媒

  • 24篇Journa...
  • 19篇发光学报
  • 7篇光电子.激光
  • 6篇物理学进展
  • 6篇中国激光
  • 4篇半导体光电
  • 3篇厦门大学学报...
  • 3篇高技术通讯
  • 3篇固体电子学研...
  • 2篇物理学报
  • 2篇物理
  • 2篇激光与红外
  • 2篇Chines...
  • 1篇世界科技研究...
  • 1篇光电子技术与...
  • 1篇通信学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇光学学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2006
  • 3篇2005
  • 6篇2004
  • 25篇2003
  • 13篇2002
  • 24篇2001
  • 26篇2000
  • 3篇1999
98 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
非晶Si/SiO_2超晶格结构的交流电致发光被引量:4
2000年
设计并用磁控溅射方法制备了非晶 Si/Si O2 超晶格结构 ,以高纯多晶 Si为靶材 ,当以 Ar+O2 为溅射气氛时 ,得到 Si O2 膜 ,仅以 Ar为气氛时 ,得到 Si膜。重复地开和关 O2 气 ,便交替地得到 Si O2 和 Si膜。衬底在靶前往返平移 ,改变平移的速度或者改变溅射的功率 ,可以控制膜的厚度。通过透射电镜的照片可以看出 Si O2 和 Si膜具有均匀的周期结构 ,用低角 X-射线反射谱表征了超晶格的周期结构和各层的厚度。透射光谱表明 ,光学吸收边随 Si层厚度的减小向短波方向移动 ;从退火前和退火后样品的喇曼光谱的变化可判断硅量子点的存在及其尺寸。利用双绝缘层的交流电致发光器件结构 ,首次获得非晶 Si/Si O2 超晶格的蓝绿色电致发光 ,在发射光谱中存在几个分立的发光谱带 ,随 Si层厚度的减小 ,短波发光谱带的相对强度增加。
孙甲明钟国柱钟国柱
关键词:超晶格电致发光硅量子点
AlAs选择性湿氮氧化的工艺条件对氧化速率的影响被引量:18
1999年
结合垂直腔面发射激光器的制备 ,详细研究了 Al As选择性湿氮氧化工艺中氧化炉温、氮气流量、水温等条件和 Al As薄层的横向氧化速率之间的关系及其对氧化结果的影响 ,给出了合理的定性解释 ,并得到了可精确控制氧化过程及其均匀性的工艺条件 .在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出低阈值的 In Ga As垂直腔面发射激光器 .
张益潘钟杜云黄永箴吴荣汉
关键词:砷化铝氧化速率
一种新的基于最小平方逼近的广角光束传播方法被引量:5
2003年
用最小平方逼近展开传播算子 ,实现了一种新的半矢量显式高阶有限差分光束传播方法 .这种方法中不需要选择参考折射率 ,并在整个传播常数 (包括辐射模的传播常数 )分布区域进行逼近 ,解决了在泰勒展开和庞德逼近中存在的参考折射率选择和远离展开点误差增大等问题 .用这种方法对几种典型波导结构进行了数值模拟 ,模拟结果验证了算法的正确性和可靠性 .
夏金松余金中
关键词:有限差分集成光学数值模拟
RCE photodiodes at wavelength band of 1.06
2003年
Resonant cavity enhancement (RCE) typed optical detector and modulator which operating at wavelength band of 1.06 μm is reported. The peak quantum efficiency of detector is reasonably high as 50% without bias, and the photocurrent contrast ratio of modulator is 3.6 times at -3.5 V as compared to 0 V. The incident angle dependence of RCE device’s photoelectric response is investigated carefully.
梁琨杨晓红杜云吴荣汉
关键词:ASNMMODE
1.55μmSi基光电探测器的研究进展被引量:6
2003年
 从材料的生长、器件结构的选择等方面对1.55μm锗硅光电探测器的研究进展进行了综述,对Ge量子点共振腔增强型光电探测器的应用前景进行了探讨与展望。
李传波黄昌俊成步文王启明
关键词:锗硅光电探测器量子点RCE
恒星演化和超新星爆发理论中某些重要问题的核物理问题被引量:4
2001年
首先 ,在第 1节中我们依次介绍了各种不同质量的恒星演化进程中各个主要热核燃烧的点火条件 ,致密物质中自由电子系统的简并性对星体热核燃烧的主导作用以及爆炸性核燃烧条件。其次 ,在第 2节中我们讨论了导致恒星核心不稳定坍缩的物理因素和条件。此后 ,在本文第 3节中我们评述了Ⅰa 型超新星爆发理论尚在争论中的核物理和固体物理的问题。在第 4节中我们评述了Ⅱ型 (以及Ib 型 )超新星爆发理论中的严重困难 ,并且介绍了我们 (南京大学研究小组 )就超新星中微子延缓爆发机制的关键问题 (强大的中微子暴如何产生 ?)的物理机制提出的具体过程 :这中微子暴的强大中微子流量是从刚刚坍缩的高温高密核心通过核物质——— (u ,d)夸克系统——— (u ,d ,s)系统的相变过程在不到 1微秒的时间内很快地产生出来的的。而且 ,这个过程导致核心区域的负熵梯度 ,引起核心区域大规模对流 ,它将这强大的中微子流量很快地向外输送到中微子球的表面。在第 5节中本文还介绍了我们就超新星核心高密条件下电荷屏蔽对电子俘获过程的影响所作的探讨研究以及讨论了它对超新星坍缩核心质量 (它对超新星瞬时爆发机制成功与否起着关键作用 )的可能影响。
彭秋和
关键词:超新星
密度泛函理论的若干进展被引量:82
2000年
密度泛函理论 (DFT)作为处理非均匀相互作用多粒子体系的近似方法已经在计算凝聚态物理、计算材料科学和计算量子化学诸多领域取得巨大成功并获得广泛应用。然而它也存在一些被广泛关注的弱点或困难。例如关于激发态问题 ,强关联问题和处理大原子数复杂体系方面的困难。本文将针对DFT在以上三方面的问题 ,评述近年来的主要努力和进展。着重介绍最近发展的含时间密度泛函理论 (TDDFT) ,它有可能发展成为处理激发态问题的标准方法。关于强电子关联体系的处理 ,主要介绍LDA以外的新发展 ,包括LDA ++方法和计及动力学平均场理论的LDA +DMFT方法。最后 ,评述DFT框架内的线性标度Order N算法的物理基础和主要策略。该算法将在处理大原子数复杂体系问题上发挥重要作用。
黄美纯
关键词:强关联体系
单脊条形可调谐电吸收调制DFB激光器被引量:8
2001年
报道了一种波长可热调谐的电吸收调制分布反馈激光器(Electroabsorptionmodulateddistributedfeedbacklaser,EML)。在激光器条形的侧面淀积一薄膜加热器,EML实现了 2 2nm的连续调谐。在调谐范围内,激光器输出功率的变化小于 3dB。采用端面有效反射率方法和耦合波理论的计算表明:采用相调制方法,可实现调谐范围达3 2nm的EML。如果热调谐与相调谐方法结合。
刘国利王圩张静媛陈娓兮汪孝杰朱洪亮
关键词:DFB激光器电吸收调制器
渐变应变偏振不灵敏半导体光学放大器被引量:1
2002年
采用渐变应变有源区结构 ,制备出偏振不灵敏半导体光学放大器 ,工作电流在 6 0~ 16 0mA范围内 ,其 3dB带宽范围不小于 35nm ,偏振不灵敏度小于 0 35dB ,自发发射出光功率为 0 18~ 3 9mW .
张瑞英董杰冯志伟周帆王鲁峰王圩
关键词:半导体光学放大器偏振不灵敏SOA
以S-K和V-W模式生长ZnCdSe和ZnSeS量子点及其特性被引量:2
2005年
用低压金属有机化学气相外延(LP MOCVD)技术,以Stranski Krastanow(S K)模式,在GaAs衬底上生长了CdSe和ZnCdSe量子点(QDs)。用原子力显微镜(AFM),观测到了外延层低于临界厚度时,CdSe自组装量子点的形成过程,并把其机理归结为表面扩散效应和应变弛豫效应的联合作用。依据理论计算外延层临界厚度值的指导,用LP MOCVD技术在GaAs衬底上生长了ZnCdSe量子点,详细观测了ZnCdSe量子点的形成和演变,这些过程可用Ostwald熟化过程和形成过程的联合作用来解释。用LP MOCVD技术,以Volmer Weber(V W)模式,在GaAs衬底上生长了ZnSeS量子点,随着生长时间的增加,量子点尺寸增大,而量子点密度减少,这些现象可用表面自由能来解释。
范希武单崇新羊亿张吉英申德振吕有明刘益春
关键词:CDSE量子点
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