吉林省科技厅资助项目(201101100)
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 相关作者：尤明慧刘国军刘羽刘学东李占国更多>>
- 相关机构：长春理工大学空军航空大学更多>>
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- 通讯波段低密度InAs量子点的研究
- 2011年
- 1.3和1.5μm波长低密度自组织双层量子点被期望首先用在在单个光子光纤传输中,这种结构是基于由一薄层GaAs隔离的双层InAs量子点实现的,由于应变场的存在,第一层量子点为第二层量子点提供了一个成核区,低温生长的双层InAs量子点发光主要来自于顶层量子点,顶层量子点发光波长会向长波长移动。在本论文中,利用低密度InAs量子点作为获得长波长双层InAs的种子层,实验制备的双层InAs量子点,波长约为1.4μm。
- 李占国尤明慧刘国军李林李梅高欣王晓华
- 关键词：低密度量子点
- 分子束外延生长长波长多层InAs量子点
- 2014年
- 采用应变InGaAs覆盖层可以实现GaAs基量子点1.3μm,但是1.55μm GaAs基量子点的制备难度要大得多,需要高In含量的覆盖层和较大的量子点。但是高In量子点容易引起快速降解的非辐射复合中心,影响QD材料的晶体和光学特性。较为系统的研究了长波长多层InAs量子点的MBE生长,优化了生长条件,获得了波长约为1568nm的多层InAs量子点材料。
- 刘学东刘羽尤明慧刘国军
- 关键词：长波INAS量子点
