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中央高校基本科研业务费专项资金(HEUCF100212)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇碰撞
  • 1篇频率特性
  • 1篇鞘层

机构

  • 1篇哈尔滨工程大...
  • 1篇哈尔滨工业大...

作者

  • 1篇丁永杰
  • 1篇张凤奎

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Hall推力器内饱和鞘层下电子与壁面碰撞频率特性
2011年
利用二维粒子模拟方法研究Hall推力器内电子与壁面的碰撞频率.研究发现,饱和鞘层状态下的电子与壁面的碰撞频率较经典鞘层下大大增加,甚至高出经典鞘层状态下电子与壁面碰撞频率两个数量级,这样饱和鞘层状态下电子与壁面的碰撞频率对近壁电流的贡献将不容忽略.进一步分析造成饱和鞘层状态下电子与壁面碰撞频率增加的原因后认为,饱和鞘层状态下电子与壁面碰撞频率的增加是鞘层电势降过低和壁面发射的二次电子回流造成的.
张凤奎丁永杰
关键词：鞘层碰撞
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共1页<1>
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