天津市科技计划(10SYSYJC27700)
- 作品数：5 被引量：14H指数：2
- 相关作者：杨保和王芳张楷亮苏林韦晓莹更多>>
- 相关机构：天津理工大学天津大学更多>>
- 发文基金：天津市科技计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 靶基距对反应溅射AlN薄膜微结构和性能的影响被引量：2
- 2012年
- 采用射频(RF)磁控反应溅射法在Si基底上制备了氮化铝(AlN)薄膜,利用X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和纳米力学测试系统研究靶基距对AlN薄膜取向性、微结构、形貌和力学性能的影响。结果表明,靶基距较大时,形成的AlN薄膜为非晶态,薄膜表面较疏松;随着靶基距的减少,AlN薄膜变为多晶态,且具有(100)择优取向;随着靶基距的进一步减少,薄膜结晶质量变好,晶粒变大,薄膜变得更致密,择优取向也由(100)逐渐向(002)转变;靶基距较小时,AlN压电薄膜与基底结合得更牢固,而压电薄膜与基底结合的紧密程度对多层膜声表面波(SAW)器件性能优劣的影响至关重要。
- 王进李翠平杨保和张庚宇尹涛涛苏林
- 适用于FBAR的ZnO薄膜制备及压电特性分析
- 2013年
- 采用射频磁控溅射法在Al电极层上制备了适用于薄膜体声波谐振器(FBAR)的ZnO薄膜,研究了溅射功率对ZnO薄膜择优取向、压电响应和极化分布的影响。X射线衍射(XRD)测试结果表明,在一定范围内,随着溅射功率的增大,ZnO薄膜的择优取向和结晶质量得到提高;但溅射功率过大,ZnO薄膜的择优取向变差。压电响应力显微镜(PFM)测量表明,溅射功率对薄膜的压电性能和极化取向也有很大影响,在所制备的薄膜中,多数晶粒的自发极化方向均垂直向上,表明所制备ZnO薄膜的表面主要为O截止;压电响应的振幅与薄膜的结晶质量和择优取向相关,在溅射功率为150W条件下制备的ZnO在垂直于表面方向上表现出最大压电响应振幅,同时薄膜极化取向分布的一致性最好。
- 苏林杨保和王芳李翠萍朱宇清
- 关键词：ZNO薄膜溅射功率
- 基于电感耦合氧等离子体金刚石膜表面修饰的功率优化被引量：2
- 2011年
- 采用电感耦合等离子体(ICP)氧等离子体刻蚀金刚石膜,探寻金刚石膜表面处理的方法。通过分析不同ICP射频源功率和不同偏压源功率下的刻蚀速率,研究了金刚石膜刻蚀的机理作用;通过拉曼光谱进行表征,分析刻蚀前后sp2与sp3的含量。结果表明,在ICP氧等离子体刻蚀的过程中,sp3键部分转化为sp2键;刻蚀后表面粗糙度降低;当刻蚀功率较高时,可同时刻蚀sp2和sp3键,而且刻蚀sp2的速率强于sp3。在刻蚀实验及机理探索基础上优化了刻蚀功率。
- 张楷亮王莎莎王芳吴小国孙大智
- 关键词：金刚石薄膜
- 氧化钒薄膜的微结构及阻变特性研究被引量：5
- 2013年
- 采用射频反应溅射法于室温下在Cu/Ti/SiO2/Si基底上制备了氧化钒薄膜.X-射线衍射、X射线光电子能谱分析仪及原子力显微镜结果表明,室温下制备的氧化钒薄膜除微弱的V2O5(101)和V2O3(110)峰外,没有明显的结晶取向,是VO2,V2O5,V2O3及VO的混合相薄膜,且薄膜表面颗粒大小均匀,表面均方根粗糙度约为1nm.采用半导体参数分析仪对薄膜的电开关特性进行测试.结果表明薄膜具有较低的开关电压(VSet<1V,VReset<0.5V),并且具有稳定的可逆开关特性.薄膜从低阻态转变为高阻态的电流(IReset)随限流的增大而增大.通过高低阻态时I-V对数曲线的拟合(高阻态斜率>1,低阻态斜率=1),认为Cu离子在薄膜中扩散形成的导电细丝是该体系发生电阻转变的主要机制.
- 韦晓莹胡明张楷亮王芳刘凯
- 关键词：氧化钒薄膜电阻开关
- ZnO薄膜/金刚石在不同激励条件下声表面波特性的计算与分析被引量：5
- 2013年
- 本文首先以刚度矩阵法为基础,给出了ZnO薄膜/金刚石在四种不同激励条件下的有效介电常数计算公式.然后以此为工具,分别计算了多晶ZnO(002)薄膜/多晶金刚石和单晶ZnO(002)薄膜/多晶金刚石的声表面波特性,并根据计算结果及设计制作声表面波器件的要求,对ZnO膜厚的选择进行了详细地分析.最后讨论了ZnO/金刚石/Si复合晶片可以忽略Si衬底对声表面特性影响时对金刚石膜厚的要求.
- 钱莉荣杨保和
- 关键词：声表面波有效介电常数
