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上海-AM基金(0204)

作品数:2 被引量:13H指数:1
相关作者:王闯钱蓉孙晓玮顾建忠更多>>
相关机构:中国科学院更多>>
发文基金:上海-AM基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇倒扣
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电路
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇增益
  • 1篇增益放大
  • 1篇增益放大器
  • 1篇迁移率
  • 1篇赝配高电子迁...
  • 1篇微波单片
  • 1篇微波单片集成
  • 1篇微波单片集成...
  • 1篇晶体管
  • 1篇集成电路
  • 1篇高增益

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇孙晓玮
  • 2篇钱蓉
  • 2篇王闯
  • 1篇顾建忠

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇微波学报

年份

  • 2篇2005
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基于倒扣技术的K波段CPW环形混频器被引量:1
2005年
本文给出了一种应用在汽车防撞雷达前端的单平衡环形混频器。混频器设计中采用CPW线作为传输线,以降低传输损耗,并提出了一种新的混合环的分析方法。电路设计中重点考虑了在较低的本振功率的情况下获得较小的变频损耗。当本振在25GHz有9dBm的信号功率输入时,混频器有5. 2dB的变频损耗,本振到射频和本振到中频分别有46. 4dB和37. 7dB的隔离度。该混频器的结构简单,便于批量生产。
王闯钱蓉孙晓玮
关键词:共面波导倒扣
高增益自偏S波段MMIC低噪声放大器被引量:12
2005年
报道了具有高增益自偏结构的低噪声S波段MMIC宽带低噪声高增益放大器.该放大器是采用国际先进的0.25μmPHEMT工艺技术加工而成.电路设计采用了两级级联负反馈结构,并采用电阻自偏压技术,单电源供电,使用方便,可靠性高,一致性好.MMIC芯片测试指标如下:在1.9~4.2GHz频率范围内,输入输出驻波小于2.0,线性功率增益达30dB,带内增益平坦度为±0.7dB,噪声系数小于2.7dB.芯片尺寸:1mm×2mm×0.1mm.这是国内报道的增益最高,芯片面积最小的S波段放大器.
王闯钱蓉孙晓玮顾建忠
关键词:赝配高电子迁移率晶体管低噪声高增益放大器微波单片集成电路
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