国家自然科学基金(10605011)
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 相关作者：张利民张小东刘正民葛琴刘列文更多>>
- 相关机构：兰州大学中国科学院近代物理研究所中国科学院研究生院更多>>
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- 相关领域：理学更多>>
- 84.5MeV^12C^4+离子诱发金属靶原子发射的Kβ与Kα-X射线强度比值的研究被引量：1
- 2008年
- 本实验是在中国科学院兰州近代物理研究所,国家实验室的重离子加速器上完成的.实验用OR-TEC公司生产的HPGe X射线探测器测量了84.5 MeV的12C4+离子轰击Cu,Mo,Ag,Cd,In,Sn,W和Au金属靶产生的K壳层特征X射线谱,计算了Kβ与Kα-X射线强度的比值,并将结果与Scofield用Hartree-Fock-Slater模型计算出的理论值与用其它方法(如:衰变幅射,用光子,电子,质子等粒子与靶相互作用)得到的实验值进行了比较.比较结果表明用84.5 MeV的12C4+离子轰击Cu,Mo,Ag,Cd,In,Sn,W和Au金属靶产生的Kβ与K-αX射线强度比值比理论值和其它实验值要大许多.
- 朱可欣杨治虎阮芳芳宋张勇张红强邵剑雄崔莹高志民杜娟刘列文陈熙盟
- O、C离子注入n型GaN的黄光发射研究被引量：1
- 2008年
- 采用光致发光（Photoluminescence，PL）谱的测量，研究了10^13-10^17cm^-2。的O和C两种离子注入和退火对非有意掺杂的n型GaN黄光发射（Yellow luminescence，YL）的影响，注入后的样品在流动N2的保护下进行退火，退火温度950℃，退火时间30min。对比相同剂量下N离子注入GaN黄光发射，结果表明O、C两种离子的注入在GaN中分别引入了与黄光发射相关的不同的深能级中心，当C离子注入剂量高达10^17cm^-2时，能引起黄光发射的C相关的深能级中心显著增多。
- 张利民张小东尤伟王文秀葛琴刘正民
- 关键词：GAN离子注入光致发光谱
- C注入GaN光致发光和微区拉曼散射的研究被引量：1
- 2010年
- 使用光致发光谱和微区拉曼散射谱的测量,研究了C离子注入原生无黄光发射的GaN。C离子的注入剂量范围为1013-1017cm-2。发光谱的研究表明,C注入的GaN经950℃高温退火后出现了黄光发射,而近带边发射峰的峰位则由于C注入产生的某种缺陷而发生了蓝移。拉曼谱的测量表明,GaN薄膜的应力不随C注入而改变。当注入剂量增加至1015cm-2时,出现了与无序激活拉曼散射相关的300cm-1峰,但随着注入剂量进一步增加,300cm-1峰减弱并未消失,这被归因于注入束流强度随注入剂量增大。
- 张利民张小东刘正民
- 关键词：GAN离子注入光致发光谱
