江西省自然科学基金(2009GQW008)
- 作品数：3 被引量：52H指数：2
- 相关作者：欧阳楚英徐波刘刚吴木生邹小翠更多>>
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- 应变对单层二硫化钼能带影响的第一性原理研究被引量：24
- 2012年
- 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法,研究了双轴拉应变下单层二硫化钼晶体的电子结构性质.本文的计算结果表明对单层二硫化钼晶体施加一个很小的应变(0.5%)时,其能带结构由直接带隙转变为间接带隙.随着应变的增加,能带仍然保持间接带隙的特征,且禁带宽度呈现线性下降的趋势.通过对单层二硫化钼晶体态密度和投影电荷密度的进一步分析,揭示了单层二硫化钼晶体能带变化的原因.
- 吴木生徐波刘刚欧阳楚英
- 关键词：二硫化钼第一性原理
- β-碳化硅/碳纳米管核壳结构的第一性原理研究
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了β-碳化硅/(15,0)碳纳米管和β-碳化硅/(16,0)碳纳米管核壳结构的电子结构特性.结果表明,两种核壳异质结构都呈现出金属性,它们的金属性主要是由碳纳米管和碳化硅纳米线表面的原子所贡献的.碳化硅纳米线表面呈现的金属性由其结构本身决定,而对于金属性的(15,0)和半导体性的(16,0)碳纳米管在填充碳化硅纳米线之后都表现出金属性,主要是由于碳纳米管和碳化硅纳米线之间的电荷转移导致的,而并不是由于碳纳米管形变造成的.
- 邹小翠吴木生刘刚欧阳楚英徐波
- 关键词：核壳结构电子结构第一性原理
- Cr和W掺杂的单层MoS_2电子结构的第一性原理研究被引量：29
- 2013年
- 采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法,研究了Cr和W掺杂对单层二硫化钼(MoS2)晶体的电子结构性质的影响.计算结果表明:当掺杂浓度较高时,W对MoS2的能带结构几乎没有影响,而Cr的掺杂则影响很大,表现为能带由直接带隙变为间接带隙,且禁带宽度减小.通过进一步分析,得出应力的产生是导致Cr掺杂的MoS2电子结构变化的最直接的原因.
- 吴木生徐波刘刚欧阳楚英
- 关键词：二硫化钼掺杂电子结构第一性原理
