教育部“新世纪优秀人才支持计划”(05-0326)
- 作品数：3 被引量：11H指数：2
- 相关作者：荆海王龙彦马仙梅马凯王中健更多>>
- 相关机构：北方液晶工程研究开发中心中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院研究生院更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- ZnO薄膜及ZnO-TFT的性能研究被引量：7
- 2009年
- 采用MOCVD法在SiNx绝缘薄膜上生长了ZnO薄膜,通过X射线衍射与光致发光光谱表征了ZnO薄膜的质量。其结果是:XRD特征峰半高全宽0.176°,光致发光仅有381.1nm的发光峰,展现了ZnO薄膜光电特性的优势。制备了底栅型ZnO薄膜晶体管,测试表明器件具有明显的场效应特性及饱和特性。
- 马仙梅荆海马凯王龙彦王中健
- 关键词：氧化锌薄膜X射线衍射光致发光
- 氩气压强对溅射法制备Ga掺杂ZnO薄膜性能的影响被引量：4
- 2009年
- 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了高质量的Ga掺杂ZnO透明导电薄膜(GZO)。通过X射线衍射、原子力显微镜、四探针电导率测试仪等表征方法研究了溅射气压对薄膜结晶特性及导电性能的影响。所制备的GZO薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着溅射气压的增大,薄膜方块电阻与薄膜电阻率均随之增大。最小方块电阻可达17.6Ω/□,最小薄膜电阻率为7.3×10-4Ω.cm。另外,GZO薄膜在可见光范围内的透过率达到了90%以上。
- 马仙梅荆海王永刚王龙彦王中健马凯
- 关键词：GZO磁控溅射
- 不同氧气分压下的MOCVD法氧化锌薄膜生长
- 2010年
- 采用金属有机化学气相沉积方法,在不同氧气分压下,对硅衬底氧化锌薄膜材料生长做了研究。X-射线衍射方法对氧化锌薄膜的结晶质量做了比对测试。测试结果表明薄膜是沿着(002)方向生长。利用光荧光谱测试分析,对薄膜的发光特性做了研究,研究发现随着氧气分压增大,薄膜的紫外发光峰增强。通过原子力显微镜测试,对薄膜的表面形貌做了观察,发现结晶颗粒的平均粗糙度、均方根,以及平均直径随着氧气分压的增大呈现逐渐变小的趋势。
- 赵春雷杨小天王超唐魏杨佳高晓红
- 关键词：氧化锌MOCVD
