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低温烧结BIT掺杂NiCoZn铁氧体及高频EMI抑制性能研究被引量：2: 2020年; 高频高Q的NiCoZn铁氧体可作为关键材料应用于EMI(electromagnetic Interference)滤波器,但高烧结温度限制了其与目前主流的LTCC(low temperature Co-fired ceramic)无源集成技术的结合。本文制备了一系列低温烧结(900℃)的Bi4Ti3O12(BIT)掺杂NiCoZn铁氧体,分析了掺杂量变化对关键性能的影响,并与高温烧结(1100℃)的未掺杂NiCoZn铁氧体进行了对比。其中,6%(质量分数)BIT掺杂的铁氧体可以在大幅降低烧结温度的同时得到和高温烧结铁氧体相近的磁导率。进一步,研究了两类铁氧体制作的滤波器的高频EMI抑制性能,发现两种滤波器都能在2~40 MHz的频带内表现出优异的噪声抑制性能。在部分频段,BIT掺杂铁氧体作差模电感的滤波器对差模噪声抑制能力更强,在结合LTCC集成技术开发高性能EMI器件方面表现出很好的潜力。; 雷鹏凌味未张婉婷李元勋苏桦张怀武; 关键词：高频高Q值

A 9-bit 10MSps SAR ADC with Double Input Range for Supply Voltage: This paper presents a pre-charge VCM-based method for 1.2 V 9-bit 10 MSps Successive Approximation register(SA...; Gong ChenWeiwei LingRui YangLi LiHua WeiJuan ZhouYao YaoYao HuangJiang Du

Influence of oxygen annealing on electromagnetic properties of low temperature fired ferrite/ceramic composite materials: Ni-Cu-Zn ferrite (NCZF)/BaTiO3 (BT) composites with different mass ratios of BT/NCZF (x) were prepared at 900℃...; Weiwei LingWenying MaChengxin XuZhu Chen

低温烧结铁电/铁磁复相陶瓷研究进展被引量：1: 2018年; 随着电子器件和系统的集成度进一步提高,低温共烧陶瓷(LTCC)技术在无源集成领域的地位越来越重要。在这一背景下,铁电/铁磁复相陶瓷的低温烧结研究有重要的现实意义。本文重点描述了BaTiO_3/NiCuZn和Bi_4Ti_3O_(12)/NiCuZn两个复相陶瓷体系的低温烧结研究进展,为新复合体系的开发提供了有价值的参考。; 赵子谦凌味未张凯轩相博镪税国龙颜世林张若阳; 关键词：LTCC

基于FPGA的RNN硬件加速架构被引量：1: 2022年; 针对边缘计算场景下,循环神经网络消耗计算资源过多,且计算流程相对复杂所导致的计算效率较低的问题,提出一种RNN模型的硬件加速方法,并在FPGA平台对该方法进行验证。为在计算资源可复用的前提下尽可能提高计算速度,该加速器利用一种SIMD指令集,通过软件编程的形式来配置运算流程,适配不同层数和维度的RNN及其相关模型。还根据RNN模型数据流的特点,对加速器设计进行优化,并设置合理的片内缓存方式和并行逻辑以充分利用存储器带宽,降低资源开销。实验结果表明,加速器在100 MHz的工作频率下运算性能达到6.7 GOPS,需要的功耗为2.15 W。基于指令集和软硬件协同的方式对两种网络模型进行实现,速度是微控制器的230倍。; 相博镪凌味未李蠡邹金成; 关键词：硬件加速器可编程逻辑器件循环神经网络

低温烧结铁氧体/陶瓷复合材料的电磁性能研究被引量：5: 2013年; 采用MgCuZn铁氧体(MCZF)分别与少量CaTiO3(CT)和BaTiO3(BT)复合,以Bi2O3为助熔剂,通过标准陶瓷工艺在900和950℃烧结得到适合低温共烧陶瓷(LTCC)工艺的两类复合材料MCZF/CT和MCZF/BT。对比研究铁氧体与两类复合材料的磁性能和介电性能发现,与陶瓷复合后材料的截止频率可以从13.9MHz提高到136.5MHz,而1MHz处的介电损耗可以从0.741降低到0.012。对比研究不同烧结温度下复合材料的电磁性能发现,950℃烧结的样品比900℃烧结时有更高的起始磁导率、Snoek产量、介电常数及更低的介电损耗,其中MCZF/CT的起始磁导率达到51.8,明显高于MCZF/BT,但后者有更优良的介电频率特性。此外,结合微结构分析讨论了950℃烧结样品的电磁性能变化原因。; 聂海凌味未张怀武; 关键词：铁氧体陶瓷复合材料 LTCC 磁性能介电性能

一种大电流LDO稳压器的设计被引量：1: 2016年; 设计了一种最大输出电流为3 A的LDO电路。通过优化误差放大器,并采用两个NMOS管作为调整管,增强了电路上拉和下拉负载电流的能力。采用20μF的陶瓷电容,保证电路具有足够快的负载瞬态响应,在空载时,电路仅消耗80μA的负载电流。该芯片能够驱动高达3A的负载电流,极大地提高了LDO的带载能力,并保持了良好的系统稳定性,具有快速的瞬态响应和较小的输出纹波。; 杨燕赵健雄陈祝; 关键词：LDO 大电流

制备工艺对低温烧结Ni-Cu-Zn铁氧体/BaTiO_3复合材料性能的影响: 2014年; 采用2种复合工艺流程在900°C和950°C制备了适用于低温共烧陶瓷(LTCC)工艺的Ni-Cu-Zn铁氧体/BaTiO3复合材料。对比研究了不同工艺流程下,烧结温度及助剂用量变化对复合体系烧结性能和电磁性能的影响。900°C烧结时,在铁氧体预烧前添加BaTiO3(工艺流程Ⅱ)制备的复合材料比在铁氧体预烧后添加BaTiO3(工艺流程Ⅰ)制备的复合材料有更高的烧结密度(5.40g/cm3)和Snoek乘积(5.56GHz);950°C烧结时,工艺流程Ⅱ制备的复合材料的介电性能优于工艺流程Ⅰ制备的。; 凌味未许诚昕马文英聂海陈祝; 关键词：复合材料 LTCC 磁性能介电性能

一种超低比导通电阻的L型栅漏极LDMOS: 2016年; 提出了一种具有超低比导通电阻的L型栅漏极LDMOS器件。该器件在两个氧化槽中分别制作L型多晶硅槽栅。漏极n型重掺杂区向下延伸,与衬底表面重掺杂的n型埋层相接形成L型漏极。L型栅极不仅可以降低导通电阻,还具有纵向栅场板的特性,可有效改善表面电场分布,提高击穿电压。L型漏极为电流提供了低阻通路,降低了导通电阻。另外,氧化槽折叠漂移区使得在相同耐压下元胞尺寸及导通电阻减小。二维数值模拟软件分析表明,在漂移区长度为0.9μm时,器件耐压达到83V,比导通电阻仅为0.13mΩ·cm^2。; 石琴陈祝吴丽娟蔡鹏飞何航丞; 关键词：LDMOS 槽栅比导通电阻击穿电压

CBS玻璃掺杂铁电/铁磁复合材料性能研究: 2017年; 采用标准陶瓷工艺,在900℃和950℃成功制备了可应用于LTCC(低温共烧陶瓷)工艺的掺杂CBS的Ba Ti O3/N i Cu Zn复合材料。对比研究了添加CBS前后复合体系磁性能和介电性能变化。发现CBS能够减弱低频段的磁导率频散,并能在一定程度提高高频段的Q值;同时,它还能明显抑制界面极化对复合材料介电性能的影响,可使高频段的介电损耗降低至0.001。; 程春华凌味未; 关键词：LTCC 磁性能介电性能

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