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中央高校基本科研业务费专项资金(K50511250002)

作品数：1 被引量：2H指数：1
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题名
作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

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  • 1篇位错
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石衬底
  • 1篇GAN
  • 1篇GAN薄膜
  • 1篇MOCVD生...
  • 1篇衬底

机构

  • 1篇西安电子科技...

作者

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  • 1篇吕玲
  • 1篇刘子扬
  • 1篇薛军帅
  • 1篇薛晓咏
  • 1篇林志宇
  • 1篇郝跃

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2012
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斜切蓝宝石衬底MOCVD生长GaN薄膜的透射电镜研究被引量：2
2012年
利用MOCVD技术在斜切角度为0.3°的c面蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用透射电子显微镜对材料的质量和材料内部缺陷进行了分析.研究发现斜切蓝宝石衬底上外延的GaN材料中,位错在距离衬底0.8μm附近大量湮灭,同时位错扎堆出现.基于上述现象,提出了斜切衬底上GaN材料中位错的湮灭机制,解释了斜切衬底能够提高GaN晶体质量的原因.
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