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全球变化研究国家重大科学研究计划(2009CB930504)
作品数:
2
被引量:11
H指数:1
相关作者:
邢兵
杜为民
曹文彧
王伟
王磊
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相关机构:
北京大学
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发文基金:
全球变化研究国家重大科学研究计划
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相关领域:
理学
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王伟
传媒
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年份
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2010
共
2
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不同In含量InGaN/GaN量子阱材料的变温PL谱
被引量:10
2010年
通过对不同In含量的InGaN/GaN量子阱材料的变温光致发光(PL)谱进行实验分析,得出样品激活能和PL谱峰值能量随温度变化的S形曲线中拐点温度与In含量的关系。说明对于我们的样品,这种S形曲线并不是来源于量子限制Stark效应(QCSE),而是与量子阱中In团簇有关。对比结果表明,含In量越多的材料其局域的能量越大,由热扰动脱离局域所需要的温度越高。
邢兵
曹文彧
杜为民
关键词:
INGAN
激活能
变条长实验测量GaN增益时条宽的影响
被引量:1
2010年
研究了光学变条长实验中条的宽度对半导体激光器光增益测量的影响,提出利用光刻溅射处理样品来严格控制泵浦条的宽度,并详细研究了泵浦条宽度与样品增益及饱和长度关系。实验表明:泵浦条宽度越窄,饱和长度越长,但测得的增益系数有所减小。本文利用非平衡载流子扩散模型对此现象进行了解释。
王伟
杨子文
于涛
邢兵
王磊
李睿
杜为民
胡晓东
关键词:
GAN
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