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EKC技术公司
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2003
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用于清洁半导体设备上有机残余物和等离子蚀刻残余物的组合物
一种用于二氧化硅蚀刻从基片上将光致抗蚀剂剥离并清洁残余物的组合物,其包括约0.01wt%到10wt%的一种或多种氟化物、约10wt%到95wt%的亚砜或砜溶剂以及20wt%到50wt%的水。该组合物可包含阻蚀剂、螯合剂、...
R·J·斯莫尔
B·P·帕特尔
W·M·李
J·戴沃特
C·里德
文献传递
用于晶片级包装中光刻胶剥离和残留物去除的组合物和方法
公开了用于从互联、晶片级包装、和印刷电路板基底中除去光刻胶、聚合物、蚀刻后残余物、和氧灰化后残留物的改进的组合物和方法。一种方法,其包括使该基底与含有效量的有机铵化合物、约2~约20wt%的氧代铵化合物、任选的有机溶剂、...
W·M·李
文献传递
亚砜吡咯烷(啉)酮链烷醇胺剥离和清洗组合物
本发明尤其涉及一种用于从基片上剥离光致抗蚀剂的组合物,其包括:大约5wt%到大约50wt%的烷基取代的吡咯烷酮、烷基取代的哌啶酮、或它们的混合物;大约0.2%到大约20%的一种或多种链烷醇胺;以及大约50%到大约94%的...
D-L·周
R·J·斯莫
文献传递
清洗半导体装置的磷酸组合物水溶液
本发明涉及多种含有磷酸的稀水溶液,和多种使用此稀水溶液从半导体基板清洗等离子体蚀刻残渣的方法。根据本发明的溶液优选含有碱性化合物、一种或多种其它酸化合物和/或含氟化合物,并且可以任选含有例如有机溶剂、螯合试剂、胺和/或表...
J·达维奥
C·里德
D·霍姆斯
文献传递
沉积金属和金属氧化物膜以及图案薄膜的方法
本发明涉及不含光刻胶的由金属配合物沉积金属,如铜,或其氧化物膜的方法。更具体地,该方法包含将金属配合物的非晶膜涂敷在衬底上。该金属配合物具有通式M<Sub>f</Sub>L<Sub>g</Sub>X<Sub>h</Sub...
R·H·希尔
石有茂
文献传递
用于从包含低介电常数介电材料和铜的半导体设备基板选择性移除金属硬遮罩和其它残留物的方法和组合物
本发明公开了具有2至14范围内的pH的含水移除组合物和用于从半导体基板相对于低介电常数材料选择性移除基本上由TiN、TaN、TiNxOy、TiW、W、或者Ti或W的合金组成的蚀刻遮罩的方法,所述半导体基板包含所述低介电常...
H·崔
文献传递
用于在化学机械抛光之后清洁半导体器件基板的清洁组合物和方法
一种用于包含铜互连器的半导体器件的CMP后清洁的含水清洁组合物和方法,其中所述清洁组合物包含:(A)N,N,N'-三甲基-N,-(2-羟乙基)乙二胺;以及(B)至少一种抗蚀剂,所述抗蚀剂基本上选自尿酸、黄嘌呤、茶碱、副黄...
大竹敦
黑田聪
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稳定的含羟胺溶液和其制备方法
本发明涉及偕胺肟用于防止羟胺化合物的不良分解或使其稳定的应用。
W·M·李
文献传递
打印机头和打印机盘清洁组合物及其使用方法
本发明涉及用于清洁的组合物和方法,具体是通过使其上具有残余物的硬盘数据存储设备、喷墨打印机盒式打印头等与本发明的清洁组合物在一定温度下接触一段时间以足以除去残余物,所述残余物具体是有机金属或金属氧化物残余物。可任选使用搅...
X-D·T·迪恩
C·谢
C·里德
文献传递
从包括铜和低k电介体的基片上除去抗蚀剂、蚀刻残余物和氧化铜的方法
本发明描述了多种特别可用于从包括铜和低k电介体的基片上除去一种或多种抗蚀剂、蚀刻残余物、平坦化残余物和氧化铜的组合物。通过将基片表面与该组合物在25℃到45℃的温度下通常接触30秒至30分钟的时间,将抗蚀剂、残余物和氧化...
T·铃木
T·平贺
Y·卡茨亚
C·里德
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