襄樊台基半导体有限公司
- 作品数：10 被引量：8H指数：1
- 相关机构：华中科技大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信历史地理电气工程更多>>
- 大功率超高速半导体开关的换流特性研究被引量：8
- 2007年
- 研究了一种应用于激光驱动源的大功率超高速半导体开关反向开关晶体管(RSD)的新结构,以实现μs、ns脉宽、MW以上的高重复率脉冲的产生和控制。RSD具有大面积快速均匀开通、可无限串联、功率大、换流效率高、寿命长的特点。利用单次脉冲试验平台研究了RSD的开通机理及高密度能量转换、允许通过的峰值电流、开通条件与预充、准静态损耗及其di/dt等多项特性。根据经验公式,对小直径RSD做极限电流试验,φ20mm的RSD堆体通过了19.9kA脉冲电流(脉宽30μs)。通过减小主回路电感考核了RSD的高di/dt耐量特性,放电电压3kV时得到di/dt接近8kA/μs。
- 余岳辉梁琳颜家圣彭亚斌
- 关键词：大功率开关反向开关晶体管开通特性DI/DT
- RSD开关关断时间的实验检测
- 本文对RSD（reversely switched dynistor）开关的关断时间进行了实验研究。根据RSD特殊的工作方式,提出了判别RSD关断的依据和一种RSD关断时间的检测方法,设计并搭建了关断时间检测平台,测量精...
- 梁琳余岳辉冯仁伟颜家圣吴拥军
- 关键词：RSD关断时间开关脉冲功率
- 文献传递
- 一种功率半导体元器件用水冷散热器
- 本实用新型是有关一种功率半导体元器件用水冷散热器，属于功率半导体元器件如整流管、晶闸管、IGBT、IGCT、模块等用水冷散热器技术领域。它主要是解决现有水冷散热器热交换效率不高，散热区域散热不均匀和腔体内易积水垢的问题。...
- 颜家圣邹宗林吴拥军羊伯平
- 文献传递
- RSD开关关断时间的实验检测
- 本文对RSD(reversely switched dynistor)开关的关断时间进行了实验研究。根据RSD特殊的工作方式，提出了判别RSD关断的依据和一种RSD关断时间的检测方法，设计并搭建了关断时间检测平台，测量精...
- 梁琳余岳辉冯仁伟颜家圣吴拥军
- 关键词：RSD开关关断时间脉冲功率
- 文献传递
- 包装盒
- 1.后视图无设计要点、省略后视图。;2.请求保护的外观设计含有色彩。
- 王艳颜家圣何平安
- 脉冲功率开关RSD的高dI/dt特性研究
- 2007年
- 基于等离子体双极漂移模型,得到了超高速大功率半导体开关反向开关晶体管(RSD)的dI/dt耐量解析表达式,分析了RSD的主放电回路模型,在此基础上讨论了影响RSD的dI/dt特性的因素,dI/dt随预充电荷总量的增加、通过p基区的电子扩散时间和p基区电子寿命的缩短而增大,随主放电回路电压的上升和电感的减小而增大.RSD的dI/dt耐量可达1×105A.μs-1,远高于普通晶闸管,可应用于短脉冲大电流领域.
- 梁琳余岳辉颜家圣周郁明
- 关键词：反向开关晶体管开关
- 半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范
- 本标准是晶闸管空白详细规范系列国家标准之一。
- 关键词：额定值半导体整流器半导体二极管三极管
- 文献传递
- 标签（晶闸管）
- 1.省略其它视图。;2.请求保护的外观设计包含有色彩。
- 王艳颜家圣何平安
- 超高速半导体开关RSD的开通特性研究
- 基于反向注入控制RSD的大面积快速均匀开通、可无限串联、功率大、换流效率高、寿命长的特点,新开通机制的RSD将在脉冲功率技术中获得重要应用.本文研究PSD的开通机理和开通条件,为器件开通特性的改进和预充电路的合理设计提供...
- 余岳辉颜家圣刘玉华彭昭廉
- 关键词：半导体开关脉冲功率技术
- 文献传递
- 一种平板式半导体器件稳态热阻测试装置
- 本实用新型为一种平板式半导体器件稳态热阻测试装置。属于功率电力电子器件(整流管、晶闸管、IGBT、GTO、IGCT等)的热阻技术领域。它主要解决传统热阻测试设备复杂、投资大、测试精度低、测试结果重复性差的问题。它的主要特...
- 颜家圣吴拥军邹宗林羊北平
- 文献传递
