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JX日矿日石金属株式会社
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597
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东邦钛株式会社
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2022
6篇
2020
17篇
2019
41篇
2018
45篇
2017
79篇
2016
107篇
2015
86篇
2014
56篇
2013
87篇
2012
72篇
2011
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铜阳极或含磷铜阳极、在半导体晶片上电镀铜的方法及粒子附着少的半导体晶片
一种在半导体晶片上电镀铜中使用的铜阳极或含磷铜阳极,其特征在于,铜阳极或除磷以外的含磷铜阳极的纯度为99.99重量%以上、杂质硅的含量为10重量ppm以下。本发明提供进行电镀铜时能够有效防止在被镀物特别是半导体晶片上粒子...
相场玲宏
高桥祐史
文献传递
多晶硅的制造方法及四氯化硅的制造方法
本发明提供多晶硅以及四氯化硅的制造方法,其中在多晶硅的制造工艺中,可以使用廉价且可稳定供给的原料,顺利地进行氯化反应,氯化反应后的杂质得到抑制,可以有效地利用能量来进行制造。该多晶硅的制造方法的特征在于,包含:将由二氧化...
笼桥亘
堀川松秀
垣內康辅
文献传递
电子材料用铜合金的制造方法
本发明提供适合用作端子、连接器、开关、继电器用途的材料的电子材料用铜合金,所述铜合金在强度、导电率及弯曲加工性的平衡方面优异。电子材料用铜合金,其特征在于,含有Co:1.00-2.50%质量、Si:0.20-0.70%质...
桑垣宽
江良尚彦
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电磁波屏蔽用复合体
本发明提供一种针对弯折或反复弯曲等变形防止铜箔开裂,屏蔽性能不易随着时间的推移而劣化的电磁波屏蔽用复合体。该电磁波屏蔽用复合体中,在厚5~15μm的铜箔的单面被覆有附着量为90~5000μg/dm<Sup>2</Sup>...
冠和树
村田正辉
文献传递
印刷电路用铜箔及覆铜箔层压板
一种印刷电路用铜箔,在铜箔的表面具有通过铜-钴-镍合金镀形成的粗化处理层、在该粗化处理层上形成的钴-镍合金镀层及在该钴-镍合金镀层上形成的锌-镍合金镀层,其特征在于,所述锌-镍合金镀层的总量为150~500μg/dm<S...
樋口直树
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附载体铜箔
本发明涉及附载体铜箔。本发明提供一种适于形成窄间距的附载体铜箔。该附载体铜箔具备铜箔载体、积层于铜箔载体上的剥离层、与积层于剥离层上的极薄铜层,极薄铜层经粗化处理,极薄铜层表面的Rz以非接触式粗糙度计进行测定为1.6μm...
古曳伦也
永浦友太
坂口和彦
千叶徹
锂离子电池用正极活性物质、锂离子电池用正极及锂离子电池
本发明提供一种具有良好电池特性的锂离子电池用正极活性物质。锂离子电池用正极活性物质以组成式Li<Sub>x</Sub>Ni<Sub>1-y</Sub>M<Sub>y</Sub>O<Sub>2+α</Sub>表示(前式中,...
冈本健太郎
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铜箔、及使用有它的构件、电路的形成方法、半加成法、印刷配线板的制造方法
本发明提供一种用于半加成法的铜箔,当铜箔积层于树脂衬底并进行整面蚀刻时,转印有铜箔表面轮廓的树脂衬底的蚀刻面与镀敷膜层的结合力变得良好。本发明的铜箔依序具备铜箔主体层、粗化处理层、及含有铬的防锈处理层,在将上述铜箔自具有...
石井雅史
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从含有导电氧化物的废料中回收有价值金属的方法
一种从氧化物废料中回收有价值金属的方法,其特征在于,通过使用不溶性电极作为阳极、使用氧化物废料作为阴极进行电解,将该阴极的废料以金属或低氧化物形式回收。本发明提供从例如由铟-锡氧化物(ITO)构成的溅射靶或制造时产生的边...
新藤裕一朗
竹本幸一
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轧制铜箔及其制造方法以及层叠板
提供与树脂良好地接合、而且采用蚀刻除去铜箔之后的树脂的透明性优异的轧制铜箔及其制造方法以及层叠板。在以X轴为轧制平行方向的60度光泽度G、以Y轴为轧制平行方向的算术平均倾斜Δa的图表中,轧制铜箔位于由以下的式子1~4包围...
中室嘉一郎
吉川拓摩
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