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山东天岳晶体材料有限公司

作品数：107 被引量：10H指数：2
相关机构：山东大学浪潮电子信息产业股份有限公司更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划山东省科技发展计划项目更多>>
相关领域：理学电子电信化学工程交通运输工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 101篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇理学
  • 4篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 52篇碳化硅
  • 43篇坩埚
  • 28篇石墨
  • 26篇籽晶
  • 16篇晶体
  • 11篇抛光
  • 10篇SIC
  • 9篇晶体生长
  • 8篇石墨坩埚
  • 8篇晶片
  • 7篇生产技术
  • 7篇抛光机
  • 7篇衬底
  • 6篇石墨烯
  • 6篇碳化硅衬底
  • 6篇抛光装置
  • 6篇外螺纹
  • 6篇螺纹
  • 6篇硅衬底
  • 6篇保温

机构

  • 107篇山东天岳晶体...
  • 3篇山东大学
  • 2篇浪潮电子信息...

作者

  • 3篇徐现刚
  • 3篇胡小波
  • 2篇陈秀芳
  • 2篇范志超
  • 1篇于国建

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 2篇通信电源技术
  • 1篇2014`全...

年份

  • 2篇2019
  • 6篇2018
  • 53篇2017
  • 25篇2016
  • 9篇2015
  • 12篇2014
共 107 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种可校准的籽晶生长装置
本实用新型涉及碳化硅籽晶生长技术领域，具体为一种可校准的籽晶生长装置。该装置采用液压伸缩杆以及空心管状籽晶轴设计，通过加入第一液压伸缩杆的方式，能够自主调控籽晶棒与坩埚之间的距离，同时由于滑槽的内腔对称设有第二液压伸缩杆...
梁庆瑞赵吉强刘家朋宁敏
一种在碳化硅衬底上制备石墨烯的装置
本实用新型属于新材料技术领域，具体涉及一种利用高温退火在碳化硅衬底上制备石墨烯的装置，该装置包括石英加热腔和可放置在使用加热腔内的石墨桶，使用时可将石墨桶放置在腔体内，利用常规的射频加热方式对其加热生产石墨烯，其中石英加...
高玉强宋建张红岩王建正
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基于Intel M5平台CPU服务器的可靠性建模预计
2019年
基于Intel M5平台CPU服务器的总体架构,建立了可靠性模型。根据MTBF指标进行了各部件的可靠性分配,预计了服务器的MTBF值。
张文昌刘海鹏于功山范志超
关键词：INTEL服务器可靠性
一种碳化硅加工夹具
一种碳化硅加工夹具，包括连接杆和与连接杆下端连接的连接件、与连接件下侧连接的T型槽，以及水平设置且与T型槽滑动连接的两个T型滑块和各T型滑块下端设置的夹持装置；所述的T型滑块中部设有与其滑动连接的丝杠，丝杠一侧端部连接有...
宗艳民柏文文梁庆瑞
文献传递
一种碳化硅夹持装置
本实用新型公开了一种碳化硅夹持装置，包括第一夹持件，所述第一夹持件上设置可移动控制器，控制器由数据线与第一夹持件通电连接，通过吸盘依附在第一夹持件上，第一夹持件上还设置显示屏和警示装置，用于显示压力和加持速度，警示装置可...
宗艳民梁庆瑞柏文文
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一种碳化硅溶液法中实时监测并调整固液界面高度的方法
本发明涉及碳化硅溶液法领域，尤其涉及一种碳化硅溶液法中实时监测液面接触高度的方法，采用了采用了高精密度电流计，通过指针的偏转来判断SiC籽晶是否与石墨坩埚内的熔融液面接触，根据电流计显示的确切数值推算出SiC籽晶与熔融液...
朱灿吕宇君李斌
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湿法腐蚀研究PVT法生长的SiC单晶中的位错
本论文研究的对象是山东天岳晶体材料有限公司(SICC)采用PVT法生产的高质量4H-SiC单晶，通过腐蚀法对晶片中的不同位错的密度及分布进行了研究。研究结果表明，以1:1的KOH和NaOH熔融液作为腐蚀剂，在460℃下对...
刘云青张红岩宁敏高玉强王希杰宗艳民
关键词：半导体材料单晶生长湿法腐蚀
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一种可移动的SiC生长坩埚平台
本申请涉及SiC生产技术领域，具体为一种可移动的SiC生长坩埚平台。该装置在石墨块的底部设置轨道，在防治石墨块的不锈钢底座顶部设置轨道，使得两处的轨道形成轨道副，所以石墨块可以在不锈钢底座上滑行，这为石墨块的移动极大地节...
宗艳民
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一种籽晶轴传动装置
本实用新型公开了一种籽晶轴传动装置。其包括安装座、升降机构，所述升降机构包括由伺服电机驱动的竖向设置的丝杠和安装在丝杠上的丝母座，所述安装座固定连接在所述丝杠的丝母座上，所述安装座上设有籽晶轴旋转机构，其包括由伺服电机驱...
宗艳民王晓梁庆瑞窦文涛
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一种获得液体硅的方法及实现该方法的坩埚
本发明涉及一种获得液体硅的方法及实现该方法的坩埚，该方法采用同步熔化助溶剂的方式获得高碳溶解度的液体硅溶液，实现该方法的坩埚包括坩埚体，所述坩埚体内壁上设置有凹槽，所述凹槽一端设置有挡板，所述凹槽末端底部均匀设置有小细孔...
朱灿李斌张亮
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