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杭州士兰集昕微电子有限公司

作品数：85 被引量：3H指数：1
相关机构：杭州士兰集成电路有限公司杭州士兰微电子股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术交通运输工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 79篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 30篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇电气工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 29篇半导体
  • 27篇半导体器件
  • 14篇麦克风
  • 14篇空腔
  • 12篇掺杂
  • 11篇光刻
  • 10篇电极
  • 10篇牺牲层
  • 10篇衬底
  • 8篇源区
  • 8篇外延层
  • 8篇背腔
  • 7篇叠层
  • 7篇掩膜
  • 7篇功率半导体
  • 7篇功率半导体器...
  • 6篇电阻
  • 6篇压电式
  • 6篇氧化层
  • 6篇元胞

机构

  • 85篇杭州士兰集昕...
  • 31篇杭州士兰集成...
  • 7篇杭州士兰微电...

作者

  • 8篇夏志平
  • 6篇季锋
  • 2篇肖金平
  • 2篇姚国亮
  • 2篇刘宪成
  • 1篇王平
  • 1篇胡铁刚
  • 1篇陈洪雷

传媒

  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇自动化博览
  • 1篇电子器件
  • 1篇电子技术与软...
  • 1篇中文科技期刊...

年份

  • 13篇2024
  • 17篇2023
  • 18篇2022
  • 30篇2021
  • 5篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
共 85 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体器件及其隔离结构
本申请公开了一种半导体器件及其隔离结构，该隔离结构自半导体层的表面延伸至半导体层中，在与半导体层的表面平行的截面上，隔离结构的形状为多边形环，其中，多边形环中包括呈弧状凸起的外环顶角和呈弧状凸起的内环顶角，外环顶角处的弧...
夏志平田浩洋陈洪雷孙样慧温建功
文献传递
静电防护电路、静电防护器件及其制造方法
本公开提供了一种静电防护电路、静电防护器件及其制造方法，静电防护电路包括第一和第二防护单元，每个防护单元包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻构成的第一电流路径以及第二电阻和第一二极管构成的第二电流路径，第一静电防护单元与...
喻洋刘宪成
功率半导体器件及其制造方法
本公开提供了一种功率半导体器件及其制造方法，功率半导体器件中的多个第二沟槽沿第一方向和第二方向排列且相互连通，每个第一沟槽位于由第二沟槽围绕的区域中，以使得第一沟槽的俯视形状为矩形片状，可以减小屏蔽栅带来的寄生电阻，从而...
陈勇张邵华杨青森陈琛刘块
晶体管及其制作方法
本申请公开了一种晶体管及其制作方法，所述晶体管包括：外延结构；具有衬底以及位于所述衬底表面上的外延层，所述外延层包括依次形成在所述衬底上的成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层、间隔层、非故意掺杂层以及P型层；在平行于所...
高维强肖金平贾利芳闻永祥
半导体器件及其制造方法
本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。制造方法包括在衬底第一至第二阱区上分别形成第一、第二栅叠层，在衬底第三阱区、第四阱区上形成第三栅叠层；采用光刻胶掩膜、采用第一栅叠层、第三栅叠层为硬掩膜，在第一阱区形成第二掺杂类型...
王昊陈洪雷夏志平姚国亮陈伟
文献传递
半导体器件
公开了一种半导体器件，半导体器件包括：衬底，衬底中设置有实现器件功能的元胞器件结构；位于衬底上方的台阶状器件结构，台阶状器件结构覆盖部分衬底；位于台阶状器件结构上方的介质层和阻挡层，阻挡层位于介质层上方，介质层和阻挡层覆...
杨彦涛隋晓明李云飞杨青森楚婉怡王岁虎
微型麦克风
公开了一种微型麦克风，微型麦克风包括：衬底，衬底包括第一空腔；第一牺牲层，位于衬底上，第一牺牲层包括第二空腔；振膜层，振膜层的至少一部分由第一牺牲层支撑，位于第二空腔上方的振膜层形成振动隔膜；第二牺牲层，位于振膜层上，第...
孙福河李佳许乐军金文超闻永祥
文献传递
一种微机电传感器的背腔的制造方法
本申请公开了一种微机电传感器的背腔的制造方法，该背腔的制造方法包括：采用第一Bosch工艺在衬底中形成凹槽，第一Bosch工艺包括向衬底多次交替输送刻蚀气体与保护气体，衬底具有相对的正面与背面，凹槽自衬底的背面延伸至衬底...
金文超孙福河李佳季锋闻永祥
功率半导体器件及其制造方法
本公开提供了一种功率半导体器件及其制造方法，功率半导体器件中的屏蔽栅和控制栅位于同一沟槽中，所有控制栅通过第一导电连接层进行连接，不需要设置单独的控制栅沟槽，减少版次，降低成本，并且与传统屏蔽栅工艺兼容，减小了工艺复杂度...
陈勇张邵华杨青森陈琛刘块
半导体器件
公开了一种半导体器件，包括：绝缘栅双极型晶体管，绝缘栅双极型晶体管包括元胞区和终端区，终端区位于元胞区外围；钳位结构，位于终端区，钳位结构包括多个无源半导体器件，多个无源半导体器件设置在绝缘栅双极型晶体管的栅极电极和集电...
韩健顾悦吉黄示吕梦凡张瑞丽周琼琼何火军
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