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富士电机电子技术株式会社
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94
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2006
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电子照相光电导体及其制造方法
本发明的一个目的是提供一种电子照相光电导体,该光电导体实现了改进的电学性能稳定性,防止了图像失真如记忆的发生,并且与树脂粘合剂有机材料和电荷传输材料的类型以及工作环境的温度和湿度的变化无关。一种电子照相光电导体至少包括形...
高木郁夫
中村洋一
根桥和希
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磁记录介质
本发明提供一种磁记录介质,所记录的磁信号的稳定性优异并且可进行基于热辅助磁记录方式的磁信号记录。将磁记录层(50)应用于磁记录介质(1),所述磁记录层(50)包含Pt含量为44at%以上55at%以下并且Ni/(Co+N...
佐山淳一
根本广明
井手浩
片冈弘康
高桥伸幸
岛津武仁
北上修
冈本聪
青井基
电子照相光敏材料、电子照相光电导体及其制造方法
提供一种具有高表面电荷保留率的电子照相光敏材料、含该光敏材料的电子照相光电导体和这种光敏材料及光电导体的制造方法,其特征在于向具有电荷产生功能的光敏材料中加入苯邻二甲酰亚胺盐化合物。
中村洋一
铃木信二郎
喜纳秀树
原健一
佐佐木辉夫
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用于开关电源电路的控制系统
根据本发明的用于控制开关式电源电路的控制系统包括:在从开关暂停转换到开关周期时限制变压器6的励磁电流的设定装置,慢慢地改变由设定装置所设定的设定值以防止变压器6的励磁电流快速变化并减少变压器6的励磁声音,及逐渐改变该设定...
藤田宪司
西川幸广
文献传递
半导体器件制造方法
一种包括沟槽形成工艺的半导体器件制造方法,其中沟槽用具有高结晶度的外延层掩埋,同时掩模氧化膜保持未去除。在n型硅衬底的表面上形成n型半导体,且在n型半导体的表面上形成掩模氧化膜和掩模氮化膜(掩模层叠膜)。接着,通过光刻和...
山口一哉
文献传递
半导体器件
主要半导体元件的表面结构和第一P阱24b位于N<Sup>-</Sup>漂移层23的主表面中。温度检测二极管22由位于第一P阱24b中的N阱25中的P<Sup>+</Sup>阳极区26以及位于P<Sup>+</Sup>阳极...
吉川功
山崎智幸
小野泽勇一
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垂直磁记录介质
本发明的目的是提供一种垂直磁记录介质,通过减弱转换场提高易记录性,而不会破坏热稳定性。本发明的垂直磁记录介质中包括第一磁记录层5和第二磁记录层7,其间插入耦合层6,使两者铁磁耦合。第一和第二磁记录层在Hk<Sub>1</...
竹野入俊司
酒井泰志
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半导体器件及其制造方法
提供一种半导体器件,其中创建用于防止焊料流动的挡料是很简单的,且其可靠性很高。通过由在预定图案中涂覆而设置在金属基底上的挡料的手段,可限制在将多个电路板接合到金属基底中所用的焊料的流动。
鸟羽进
両角朗
降幡一生
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醌化合物、电子照相用感光体和电子照相装置
本发明提供在电子照相用感光体和有机EL等用途中有用且电子输送能力优异的化合物。并且,通过将该新的有机材料在感光层中作为电荷输送物质使用,提供高灵敏度的复印机用和打印机用的带正电型电子照相用感光体以及使用该感光体的电子照相...
大仓健一
中村洋一
竹嶋基浩
长谷川良树
剑持宏行
小林透
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电子照相的光电导体及其制造方法
本发明的目的是提供一种电子照相的光电导体,其通过包含一种在光电导体中从未用过的化合物添加剂而具有剩余电势和重复电势的优良特性。本发明的另一个目的是提供一种制造这种光电导体的方法。本发明的电子照相的光电导体包含导电基材和在...
中村洋一
会泽宏一
佐佐木辉夫
原健一
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