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东京毅力科创株式会社

作品数：10,982 被引量：0H指数：0
相关机构：国立大学法人东北大学株式会社富士金国际商业机器公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学理学更多>>

合作机构

文献类型

  • 10,978篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 901篇电子电信
  • 437篇自动化与计算...
  • 403篇文化科学
  • 210篇理学
  • 191篇金属学及工艺
  • 99篇电气工程
  • 90篇化学工程
  • 60篇经济管理
  • 53篇医药卫生
  • 41篇轻工技术与工...
  • 29篇建筑科学
  • 26篇一般工业技术
  • 24篇机械工程
  • 16篇交通运输工程
  • 9篇环境科学与工...
  • 8篇矿业工程
  • 8篇石油与天然气...
  • 6篇天文地球
  • 5篇动力工程及工...
  • 4篇农业科学

主题

  • 4,263篇基板
  • 1,414篇等离子体
  • 1,083篇蚀刻
  • 984篇晶片
  • 975篇等离子体处理
  • 888篇半导体
  • 850篇气体
  • 669篇基片
  • 594篇成膜
  • 571篇排气
  • 539篇处理系统
  • 528篇支承
  • 486篇存储介质
  • 458篇电源
  • 416篇抗蚀剂
  • 405篇喷嘴
  • 375篇电极
  • 354篇介质
  • 342篇晶圆
  • 335篇掩模

机构

  • 10,982篇东京毅力科创...
  • 117篇国立大学法人...
  • 46篇株式会社富士...
  • 26篇国际商业机器...
  • 22篇株式会社东芝
  • 13篇岩谷产业株式...
  • 11篇奥克泰克有限...
  • 10篇日本瑞翁株式...
  • 10篇喜开理株式会...
  • 10篇CKD株式会...
  • 10篇尔必达存储器...
  • 8篇霓佳斯株式会...
  • 8篇高级技术材料...
  • 8篇福吉米株式会...
  • 7篇长冈技术科学...
  • 7篇克拉-坦科股...
  • 7篇宇部兴产株式...
  • 7篇平田机工株式...
  • 7篇国立大学法人...
  • 7篇科发伦材料株...

传媒

  • 4篇表面技术

年份

  • 809篇2024
  • 813篇2023
  • 756篇2022
  • 765篇2021
  • 681篇2020
  • 580篇2019
  • 483篇2018
  • 286篇2017
  • 309篇2016
  • 366篇2015
  • 284篇2014
  • 361篇2013
  • 705篇2012
  • 617篇2011
  • 601篇2010
  • 721篇2009
  • 537篇2008
  • 491篇2007
  • 358篇2006
  • 232篇2005
共 10,982 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
电容器及其制造方法
本发明提供一种具有可以较短的烧固时间形成且质量较高的电介体层的电容器及其制造方法。通过气体供给源(112)等将处理装置(100)内的气氛调节为例如氧气氛等。使热处理装置(101)内的气氛为氧气氛，并使温度上升至预定程度。...
山西良树原田宗生北野高弘川口达三广田良浩松田健志山田欣司篠田智隆王道海奥村胜弥
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成膜装置和气化器
本发明提供一种成膜装置，其具有：供给由液体或气液混合物构成的原料的原料供给部；使原料气化并生成原料气体的原料气化部；和使用生成的原料气体进行成膜处理的成膜部，其中在从原料气化部至成膜部的导入部分的原料气体的输送路径的途中...
饭塚八城安室章木村宏一郎辻德彦
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等离子体处理装置和等离子体处理方法
本发明提供一种等离子体发生装置，可以抑制由产生等离子体引起的对被处理体的损坏，进行适当的等离子体处理。该等离子体处理装置至少包含：对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理室；将所述被处理体配置在所述等离子体处理室内的被处...
野泽俊久石桥清隆中西敏雄
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等离子体处理装置
一种等离子体处理装置，由：通过外壁围成、并具备保持被处理基板的保持台的处理容器；与上述处理容器连接的排气系统；向上述处理容器中供给等离子体气体的等离子体气体供给部；对应于上述被处理基板而设置于上述处理容器上的微波天线；以...
大见忠弘平山昌树须川成利后藤哲也
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基板处理方法和基板处理装置
基板处理方法包括准备基板的工序、以及进行基板的蚀刻处理的工序。在准备基板的工序中，准备具有层叠膜的基板，该层叠膜包括膜厚不同的多个硅氧化膜。在进行基板的蚀刻处理的工序中，用添加了盐酸的蚀刻液进行基板的蚀刻处理。
吉田祐希
等离子体处理装置和静电吸盘
本发明的等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；配置在等离子体处理腔室内的基座；和配置在基座的上部的静电吸盘，静电吸盘包括：具有基片支承面和环支承面的电介质部件；配置在电介质部件内的吸附电极；配置在电介质部件内且配置在吸...
佐藤隆彦吉田哲雄
配管构造和处理装置
本公开提供一种能够将多个配管的传导性设为一定并且改善占地面积效率性的配管构造和处理装置。一种配管构造，其将在第1室相邻配置的多个处理组件和在位于所述第1室的下层的第2室配置、并与所述多个处理组件对应地设置的多个真空泵连接...
门部雅人似鸟弘弥
基板处理方法和基板处理装置
一种基板处理方法，其针对将第1基板和第2基板接合而成的重合基板，对该第1基板进行磨削处理，其中，该基板处理方法包括以下步骤：测量所述重合基板的总厚度分布；测量所述第1基板的厚度分布；从所述重合基板的总厚度分布中减去所述第...
福永信贵金子知广松本武志
膜厚测定系统、膜厚测定方法以及存储介质
一种膜厚测定系统,其取得与形成有膜厚不同的第一膜的N个第一基板的表面的第一位置相关的分光数据,对N个第一基板的每一个取得第一位置的第一膜的膜厚,用摄像部对形成有膜厚不同的第二膜的N个第二基板的表面进行摄像而取得第一图像数...
梅原康敏
文献传递
基板清洗方法、处理容器清洗方法及基板处理装置
一种基板清洗方法，包括：在处理容器的内部布置基板的工序；从布置在所述处理容器的内部的气体喷嘴的喷射口喷射气体的工序；使通过来自所述气体喷嘴的气体的喷射而产生的垂直冲击波与所述基板的主表面碰撞的工序；以及通过使所述垂直冲击...
池田恭子土桥和也中岛常长关口贤治锦户修一中城将人安武孝洋
文献传递
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