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株式会社瑞萨科技

作品数：1,429 被引量：1H指数：1
相关机构：松下电器产业株式会社三洋电机株式会社罗姆股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程交通运输工程更多>>

合作机构

文献类型

  • 1,423篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 13篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 4篇电气工程
  • 2篇化学工程
  • 2篇机械工程
  • 2篇交通运输工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 899篇半导体
  • 364篇半导体器件
  • 358篇电路
  • 225篇半导体集成
  • 215篇芯片
  • 198篇半导体装置
  • 187篇存储器
  • 163篇集成电路
  • 149篇半导体集成电...
  • 137篇半导体芯片
  • 133篇绝缘膜
  • 122篇布线
  • 108篇晶体管
  • 87篇信号
  • 81篇非易失性
  • 79篇电压
  • 78篇存储装置
  • 74篇电源
  • 69篇电极
  • 66篇栅极

机构

  • 1,429篇株式会社瑞萨...
  • 29篇松下电器产业...
  • 24篇罗姆股份有限...
  • 24篇三洋电机株式...
  • 23篇株式会社东芝
  • 22篇索尼株式会社
  • 21篇日立超大规模...
  • 19篇力晶半导体股...
  • 16篇夏普株式会社
  • 15篇日本电气株式...
  • 14篇冲电气工业株...
  • 11篇瑞萨东日本半...
  • 10篇株式会社瑞萨...
  • 7篇瑞萨北日本半...
  • 5篇株式会社瑞萨...
  • 5篇株式会社日立...
  • 4篇株式会社瑞萨...
  • 3篇日立制作所
  • 3篇新光电气工业...
  • 3篇富士通微电子...

传媒

  • 1篇世界电子元器...
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇工业设计

年份

  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 162篇2010
  • 266篇2009
  • 251篇2008
  • 209篇2007
  • 148篇2006
  • 191篇2005
  • 198篇2004
共 1,429 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
电源驱动器电路
在本发明的电源驱动器电路中，电力损失少，在对输出变化的响应特性优越的同时，谋求小型化。在构成用PWM方式对使电流流过线圈(L0)的功率晶体管(Q1、Q2)进行开关控制而输出使输入电压升压或降压了的电压的开关电源装置的驱动...
石垣卓也佐濑隆志叶田玲彦立野孝治工藤良太郎
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半导体装置的制造方法
在衬底(1)的主表面上形成绝缘膜(7)。在绝缘膜(7)上形成导电膜(8)，在该导电膜(8)上形成下层抗蚀剂膜(9)、中间层(10)、防反射膜(11)和上层抗蚀剂膜。通过检测该上层抗蚀剂膜的高度来检测曝光时的焦点位置。在检...
石桥健夫
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高频功率放大器的电子部件
本发明提供一种高频功率放大的电子部件(RF功率模块)，其将自动执行在发送开始时用于正确输出功率的预充电电平设置，而不需要基带IC上运行的用于预充电的软件处理程序，其能减少用户、也就是移动电话制造商的负担。所述被配置成放大...
高桥恭一筒井孝幸赤嶺均森泽文雅松平信洋
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存储卡
本发明提供一种超小型、薄尺寸的设置有用于防止错误插入存储卡插槽的机制的存储卡。一种多功能存储卡包括卡体和用于容纳卡体的盖。卡体由封装多个安装在布线基底主表面上的半导体芯片的铸模树脂制成。卡体被容纳到盖中且布线基底的背表面...
西泽裕孝大泽贤治大迫润一郎和田环杉山道昭户塚隆
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半导体器件的制造方法
针对对于具有高击穿电压场效应晶体管的半导体器件的扭结效应进行抑制或防止的目的，在高击穿电压pMIS的沟道区沿栅极宽度方向两端的每个沟槽型隔离部分与半导体衬底之间的边界区域中，在远离高击穿电压pMIS的每个具有场缓和功能的...
安冈秀记吉住圭一纐缬政巳
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具备环形振荡电路的随机数产生装置
在本随机数产生装置的环形振荡器(12)中，EX－OR门(21)和4个反相器(22)形成环路。该环路在启动信号为“L”电平时成为稳定状态，在启动信号为“H”电平时成为振荡状态。响应于比环路的延迟时间短的脉冲宽度的启动信号，...
福岛和彦山口敦男
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半导体器件及其制造方法
本发明的课题是在管芯键合中可使用无铅焊锡。在半导体芯片(1)与Cu合金制的键和焊盘(4)之间配置应力缓冲板(8)，通过用以固相温度大于等于270℃且液相温度小于等于400℃的Sn-Sb-Ag-Cu为主要构成元素的无铅焊锡...
梶原良一伊藤和利键井秀政冈浩伟中村弘幸
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具备电极的半导体器件及该半导体器件的制造方法
半导体器件的制造方法包含：隔着控制栅绝缘膜(4)形成控制栅电极(5)的第1电极形成工序；以及在半导体衬底(1)的表面上形成存储节点绝缘膜(6)的工序。包含在存储节点绝缘膜(6)的表面上形成存储栅电极的第2电极形成工序。第...
冈崎勉芦田基小崎浩司古贺刚冈田大介
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半导体装置的制造方法
在衬底(1)的主表面上形成绝缘膜(7)。在绝缘膜(7)上形成导电膜(8)，在该导电膜(8)上形成下层抗蚀剂膜(9)、中间层(10)、防反射膜(11)和上层抗蚀剂膜。通过检测该上层抗蚀剂膜的高度来检测曝光时的焦点位置。在检...
石桥健夫
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存储卡
本发明提供一种超小型、薄尺寸的设置有用于防止错误插入存储卡插槽的机制的存储卡。一种多功能存储卡包括卡体和用于容纳卡体的盖。卡体由封装多个安装在布线基底主表面上的半导体芯片的铸模树脂制成。卡体被容纳到盖中且布线基底的背表面...
西泽裕孝大泽贤治大迫润一郎和田环杉山道昭户塚隆
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