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捷捷半导体有限公司

作品数：186 被引量：3H指数：1
相关机构：中国科学院微电子研究所中国电子科技集团第十三研究所南京邮电大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺经济管理更多>>

合作机构

文献类型

  • 177篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 3篇标准

领域

  • 42篇电子电信
  • 15篇自动化与计算...
  • 10篇金属学及工艺
  • 5篇经济管理
  • 3篇电气工程
  • 2篇化学工程
  • 2篇石油与天然气...
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇医药卫生

主题

  • 43篇半导体
  • 42篇芯片
  • 38篇二极管
  • 27篇电极
  • 26篇封装
  • 23篇塑封
  • 21篇半导体器件
  • 16篇扩散
  • 13篇电子设备
  • 13篇引线
  • 13篇封装结构
  • 12篇钝化层
  • 12篇阳极
  • 10篇单晶
  • 9篇电阻
  • 9篇光刻
  • 8篇引脚
  • 8篇晶片
  • 8篇硅单晶
  • 8篇硅片

机构

  • 186篇捷捷半导体有...
  • 7篇中国科学院微...
  • 2篇南京邮电大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇浙江大学
  • 1篇中国计量大学
  • 1篇北京中科新微...
  • 1篇杭州高坤电子...
  • 1篇佛山市川东磁...
  • 1篇江苏捷捷微电...
  • 1篇深圳基本半导...
  • 1篇河北中电科航...
  • 1篇上海季丰电子...
  • 1篇安徽荣创芯科...

传媒

  • 2篇数字通信世界
  • 1篇天津化工
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子世界
  • 1篇新型工业化

年份

  • 24篇2024
  • 41篇2023
  • 14篇2022
  • 20篇2021
  • 24篇2020
  • 28篇2019
  • 24篇2018
  • 11篇2017
共 186 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
单一负信号触发的双向晶闸管芯片及其制造方法
本发明公开了单一负信号触发的双向晶闸管芯片，其P型对通隔离环的正面设有正面氧化膜和门极电极，门极电极与P型对通隔离环之间设有N+型门极区，正面P型短基区的正面设有正面氧化膜和主端子T2，主端子T2与正面P型短基区之间设有...
周健朱法扬王成森俞荣荣
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一种半导体放电管
本申请提出一种半导体放电管，涉及半导体功率器件技术领域。该半导体放电管包括N型衬底、第一P型短基区、第二P型短基区、第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区、第三P型重掺杂区、第四P型重掺杂区、第一N型发射区、第二N型发射区、...
朱明张超欧阳潇
文献传递
低压降二极管及其制造方法
本发明的实施方式提供了一种低压降二极管及其制造方法，属于半导体技术领域，在N+型掺杂类型的衬底上，光刻出注入孔内疏外密且内小外大的注入图形，并注入第二设定浓度的掺杂离子，进行去胶和清洗，在去胶和清洗结束后，外延生长N型漂...
张超黎重林庄翔胡潘婷
一种共阳极整流半桥芯片及其制备方法
本发明涉及一种共阳极整流半桥芯片，包括P型区、由原始硅片形成的N型区、设置在N型区内的N+区、设置在芯片上表面的第一钝化膜层，设置在第一钝化层上的第二钝化膜层，芯片上表面通过两层钝化膜层蚀刻有引线孔，所述引线孔表面以及芯...
王成森王琳周榕榕钱清友
一种低热阻扁平插件式塑封单相整流桥
一种低热阻扁平插件式塑封单相整流桥，包括塑封体（16），铜引线框架（8），内引线（3）和外引线（4），铝基板（11），绝缘层（12），铜箔焊接层（13），低温焊料层（14），基岛，温焊料层，二极管芯片。二极管芯片上设一层...
李成军王成森王琳薛治祥姚霜霜
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一种故障开路型保护器件
本实用新型公开了一种故障开路型保护器件，包括壳体一，所述的壳体一内装置过电压保护元件，所述过电压保护元件上设置有过电压保护元件上电极片和过电压保护元件下电极片，所述过电压保护元件上电极片与连接铜片通过低温焊膏焊接牢固，所...
吴家健孙健锋
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一种故障开路型保护器件
本发明公开了一种故障开路型保护器件，包括壳体一，所述的壳体一内装置过电压保护元件，所述过电压保护元件上设置有过电压保护元件上电极片和过电压保护元件下电极片，所述过电压保护元件上电极片与连接铜片通过低温焊膏焊接牢固，所述过...
吴家健孙健锋
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一种低击穿电压放电管及其制作方法
本发明公开了一种低击穿电压放电管及其制造方法，该放电管由集成于一个芯片的二极管、三极管、可控硅组成，三极管的BVCEO实现器件的低击穿电压，并由三极管击穿后产生的电流为可控硅提供门极驱动电流。本发明使得放电管具有更低的（...
张超朱明
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一种静电保护器件和电子设备
本申请实施例提供一种静电保护器件和电子设备，涉及静电保护器件技术领域。该静电保护器件包括第一掺杂类型的用于连接I/O的第一电极下方的掺杂结构、第二掺杂类型的高阻外延层和第一掺杂类型的用于连接VCC的第二电极下方的掺杂结构...
庄翔鲍灵凤黄雁飞张超
一种塑封SiC肖特基二极管器件
本实用新型公开了一种塑封SiC肖特基二极管器件，包括金属散热底板、外引脚、SiC肖特基二极管芯片、连接桥片，金属散热底板顶部中心区域设有凸台，外引脚包括外引脚焊接区、外引脚引出端，SiC肖特基二极管芯片包括朝下的阳极区和...
钱清友王成森徐洋范敏波江林华
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