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广东先导微电子科技有限公司

作品数:403 被引量:1H指数:1
相关机构:广东先导稀材股份有限公司有研国晶辉新材料有限公司有色金属技术经济研究院更多>>
相关领域:金属学及工艺化学工程电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 392篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 4篇标准

领域

  • 60篇金属学及工艺
  • 44篇化学工程
  • 38篇电子电信
  • 29篇自动化与计算...
  • 26篇文化科学
  • 17篇理学
  • 8篇环境科学与工...
  • 7篇经济管理
  • 5篇交通运输工程
  • 4篇机械工程
  • 4篇轻工技术与工...
  • 3篇冶金工程
  • 3篇建筑科学
  • 3篇医药卫生
  • 2篇天文地球
  • 2篇动力工程及工...
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇矿业工程

主题

  • 104篇晶片
  • 44篇半导体
  • 41篇石英管
  • 36篇砷化镓
  • 35篇高纯
  • 30篇单晶
  • 26篇抛光
  • 24篇磷化铟
  • 21篇多晶
  • 21篇氯化
  • 16篇坩埚
  • 14篇清洗工艺
  • 14篇
  • 13篇砷化镓单晶
  • 11篇石墨
  • 10篇退火
  • 10篇外设
  • 9篇单质
  • 9篇退火炉
  • 7篇熔料

机构

  • 403篇广东先导微电...
  • 7篇广东先导稀材...
  • 4篇有色金属技术...
  • 4篇有研国晶辉新...
  • 3篇武汉拓材科技...
  • 3篇成都中建材光...
  • 3篇楚雄川至电子...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇云南鑫耀半导...
  • 1篇清远先导材料...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇孙聂枫

传媒

  • 4篇广东化工
  • 2篇广州化工
  • 1篇信息记录材料

年份

  • 117篇2024
  • 129篇2023
  • 128篇2022
  • 29篇2021
403 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种三氯化磷还原装置
本实用新型公开了一种三氯化磷还原装置,包括顺次连通的供料装置、制备装置、产品收集装置和尾气处理装置;制备装置包括主反应器,主反应器的进料端连通于供料装置的下游,主反应器的出料端通过导料管连通于产品收集装置的上游,主反应器...
周慧黠乐卫华李房斌吴广杰徐成
一种晶棒夹持工具
本实用新型属于半导体加工领域,公开了一种晶棒夹持工具。包括底座,所述底座的一端设置固定挡板,所述底座的上表面设置用于放置晶棒的防滑垫,所述底座上还设置将晶棒固定在防滑垫的紧固组件;所述固定挡板的一端抵接晶棒的端部,所述固...
詹晨晨廖和杰刘火阳马金峰唐林锋
一种抛光液配液桶
本申请涉及半导体晶片生产技术领域,具体公开了一种抛光液配液桶,包括:配药桶与排气组件;所述配药桶包括桶体与桶盖;所述桶体内设置有降温件;所述桶盖密封盖设于所述桶体上;所述排气组件包括排气管与气体处理器;所述排气管一端连通...
吴倩周铁军田玉莲王金灵
确定晶片掰片位置的方法
本公开提供了一种确定晶片掰片位置的方法,包括以下步骤:S1,设置第一晶片和模板,并在第一晶片上设置定位边,在模板上分别设置定位边和定位孔;S2,设置标示图;S3,将第一晶片放在标示图上,并在标示图做出用于后续待掰制晶片定...
吴春龙马金峰唐勇
一种引流装置
本实用新型公开了一种引流装置,其由装置外壳、分液板、通孔板以及导流板组成,其通孔板和分液板从上至下依次固定设置在装置外壳中,导流板与装置外壳的侧板下端钩状结构的挂钩卡接,该引流装置可以通过挂板设置任一位置,且输入端口通过...
张冲波刘火阳周铁军马金峰
超高纯铝的制备方法
本公开提供了一种超高纯铝的制备方法,其包括步骤:步骤一,将铝锭进行真空蒸馏,降温后取出铝;步骤二,王水处理玻璃碳舟或氮化硼舟;步骤三,将步骤一所得到铝在高纯石墨坩埚内熔化后倒入玻璃碳舟或氮化硼舟内冷却得到铝锭,步骤四,用...
李清宇何志达朱刘黄杰杰
文献传递
一种晶圆放片装置及方法
本发明公开了一种晶圆放片装置及方法,所述晶圆放片装置及方法应用于半导体外延设备,主要包括:一个与底板平面呈20~30°夹角的晶圆装载盒平台,一个与晶圆装载盒卡槽水平对齐且具有相同宽度与间距的晶片导入装置。当进行放片操作时...
郭炳熙周铁军米艳娇
一种磷化铟晶片的清洗工艺
本发明属于半导体衬底制造领域,一种磷化铟晶片的清洗工艺。包括以下步骤:将经抛光、化蜡的晶片依次置于热的浓硫酸、冷的浓硫酸中浸泡处理;置于S1清洗液中清洗处理,所述S1清洗液为四甲基氢氧化铵溶液;置于S2清洗液中清洗处理,...
郑金龙唐勇黄艺毅周铁军马金峰王国超张冲波刘良副
一种碲锌镉晶片的抛光方法
本发明属于晶片加工技术领域,公开了一种碲锌镉晶片的抛光方法。包括以下步骤:将晶棒切成晶片;将切出的晶片的111B面腐蚀出单晶区域,并记录好单晶区域的位置;对腐蚀后的晶片的111B面和111A面都进行粗抛;对粗抛后的晶片的...
廖和杰马金峰刘火阳周铁军
一种雾化清洗机
本实用新型公开了一种雾化清洗机,旨在提高晶片的清洗效率,其技术方案:一种雾化清洗机,包括机座,所述机座上设有一清洗筒,所述清洗筒的一端为开放端且其上设有一盖体;所述清洗筒内设有固定模块、药液输出装置,所述固定模块用于固定...
郑金龙周铁军马金峰吴倩詹晨晨
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