西安理工大学自动化与信息工程学院电子工程系
- 作品数：316 被引量：889H指数：12
- 相关作者：陈治明张华曹曹琳马文龙李青民更多>>
- 相关机构：陕西师范大学计算机科学学院中国科学院半导体研究所西北大学信息科学与技术学院电子科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>
- 液相材料的透射电镜表征技术进展
- 2024年
- 近年来,液相透射电子显微镜(LP-TEM)的出现和冷冻透射电子显微镜(Cryo-TEM)的发展引起了人们的极大兴趣。这两种技术可以为功能材料的表征提供互补的信息,正在改变业界对溶液中材料形成物理和化学机制的理解。首先,本文介绍了应用于LP-TEM的重要工具-液体池,特别是石墨烯等低维半导体材料制备的新型液体池;然后,综述了Cryo-TEM在纳米颗粒、生物医学和电化学领域的研究进展,展示了LP-TEM和Cryo-TEM在溶液中形成材料方面的独特能力;最后,对LP-TEM和Cryo-TEM未来的挑战和机遇做了展望。
- 吴亮贡楷文
- 关键词：电子显微镜
- SiGeC/Si功率二极管的数值模拟与分析被引量：4
- 2006年
- 将SiGeC技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了一种新型p+(SiGeC)n-n+异质结功率二极管结构.在分析SiGeC合金材料物理特性的基础上,给出了该结构的关键物理参数模型,并在此基础上利用MEDICI模拟,对比分析了C的引入对器件各种电特性的影响.此外,还模拟比较了不同p+区厚度对器件反向漏电流的影响.结果表明:在SiGe/Si功率二极管中加入少量的C,在基本不影响器件正向I V特性和反向恢复特性的前提下,大大减少了器件的反向漏电流,并且C的加入还减小了器件特性对材料临界厚度的依赖性,提高了器件稳定性.
- 高勇刘静马丽余明斌
- 关键词：功率二极管反向恢复漏电流
- 变参数RS译码器IP核的实现被引量：3
- 2005年
- 设计出一种码长可以变化的RS码译码器IP核电路,可进行RS(15,5)、RS(15,7)、RS(15,9)以及RS(15,11)的译码。译码器电路使用BM迭代译码算法,并在硬件电路中加以改进,使得电路能扩充到编译纠错位数多的复杂RS码。该译码器电路尽可能多地使用可以共享的模块,降低了电路的规模。硬件电路采用V erilogHDL进行描述,并在FPGA上进行了验证,同时给出了硬件电路在逻辑分析仪上得到的结果。
- 陈启亮余宁梅刘高辉
- 关键词：RS译码器IP核BM迭代算法
- 多通道可编程声音发生器的设计
- 2006年
- 针对消费性电子产品对声音处理单元APU(Audio Process Unit)的需要,设计了5通道的可编程声音发生器PSG(Programmable Sound Generator),可提供4个模拟声道和1个PCM(Pulse Code Modulation)数字通道。可同时产生高频乐音,低频乐音,还可以播放增量脉冲编码调制方式编码的语音信号,并具有振幅、频率可自动调整,方波占空比可以设定,声道定时关闭等多种特性。五个通道之间是并行的,每个端口寄存器都分配有自己的地址,其参数的设置不会影响其他通道。该PSG已用于家庭娱乐和学习系统中,并通过了FPGA验证,应用测试结果表明其性能达到设计要求。
- 关保贞高勇杨媛
- 3C-SiC的液相外延生长及其结构的保持与分析被引量：2
- 2004年
- 3C SiC因其优越的物理和电学性能是制造耐高温、大功率、高频率器件的理想材料。本文报道了采用液相外延法从硅熔体中生长 3C SiC及抑制其相变的研究进展。采用X射线衍射、透射电镜、Raman散射等检测手段对样品进行结构分析 ,结果表明所制备的样品为 3C
- 封先锋陈治明马剑平蒲红斌李留臣
- 关键词：液相外延生长RAMAN散射SIC单晶电学性能熔体
- 具有隐埋型场阻止(FS)层IGBT的特性研究
- 2020年
- 本文采用Sentaurus-TCAD软件研究了一种具有隐埋型场阻止(FS)层IGBT的静、动态特性,并与常规型FS-IGBT进行了对比。分析了不同FS峰值掺杂浓度及深度对正、反向阻断特性及导通特性及开关特性的影响。研究结果表明,采用隐埋型FS层,可以大幅度改善IGBT的反向阻断特性,同时正向阻断、导通及开关特性也有所改善,并且高温漏电流更小,高温稳定性能更好。
- 刘聪王彩琳
- 关键词：电力半导体器件阻断电压
- 低功耗CMOS低噪声放大器的分析与设计被引量：4
- 2010年
- 基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低功耗约束下的CMOS低噪声放大器。与传统的共源共栅结构相比,该电路在共源晶体管的栅源间并联一个电容,以优化噪声;并引入一个电感,与级间寄生电容谐振,以提高增益;通过减小晶体管的尺寸,实现了低功耗。模拟结果表明,在2.45 GHz工作频率下,增益大于14 dB,噪声系数小于1 dB,直流功耗小于2 mW。
- 刘高辉张金灿
- 关键词：低噪声放大器CMOS模拟集成电路
- 用于WCDMA系统的一种新型神经元MOS复数匹配滤波器(英文)被引量：1
- 2007年
- 提出了一种新型神经元MOS复数匹配滤波器结构,用于实现WCDMA系统中复四相扩频调制信号的解扩运算.主要对关键电路进行了分析,与线性运算器件实现的复数匹配滤波器电路相比,具有结构简单的优点,大大降低了器件数目,HSPICE仿真结果验证了该电路结构的可行性.
- 刘高辉余宁梅高勇杨媛
- 关键词：匹配滤波器WCDMA
- ATMEL大容量闪速存储器及其应用被引量：1
- 1999年
- 介绍了ＡＴＭＥＬ２９系列大容量闪速存储器的性能特点和器件操作；结合实际应用详细说明了ＡＴ２９Ｃ０１０Ａ在微型智能检测仪表中的硬件接口和软件编程注意事项。
- 李广峰杨媛高勇李福德
- 关键词：闪速存储器仪表智能仪表
- 基于面部全局抑郁特征局部感知力增强和全局-局部语义相关性特征融合的抑郁强度识别
- 2024年
- 现有基于深度学习的大多数方法在实现患者抑郁程度自动识别的过程中,主要存在两大挑战:(1)难以利用深度模型自动地从面部表情有效学习到抑郁强度相关的全局上下文信息,(2)往往忽略抑郁强度相关的全局和局部信息之间的语义一致性。为此,该文提出一种全局抑郁特征局部感知力增强和全局-局部语义相关性特征融合(PLEGDF-FGLSCF)的抑郁强度识别深度模型。首先,设计了全局抑郁特征局部感知力增强(PLEGDF)模块,用于提取面部局部区域之间的语义相关性信息,促进不同局部区域与抑郁相关的信息之间的交互,从而增强局部抑郁特征驱动的全局抑郁特征表达力。然后,提出了全局-局部语义相关性特征融合(FGLSCF)模块,用于捕捉全局和局部语义信息之间的关联性,实现全局和局部抑郁特征之间的语义一致性描述。最后,在AVEC2013和AVEC2014数据集上,利用PLEGDF-FGLSCF模型获得的识别结果在均方根误差(RMSE)和平均绝对误差(MAE)指标上的值分别是7.75/5.96和7.49/5.99,优于大多数已有的基准模型,证实了该方法的合理性和有效性。
- 孙强李正何浪
- 关键词：人脸图像语义一致性
