西安交通大学电子与信息工程学院微电子技术研究所 作品数:38 被引量:206 H指数:10 相关作者: 罗晋生 朱惠贤 袁小云 王洪魁 李志国 更多>> 相关机构: 西北大学信息科学与技术学院 西安理工大学理学院 北京工业大学电子工程系 更多>> 发文基金: 陕西省科技攻关计划 北京市科技新星计划 国家教育部博士点基金 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 自动化与计算机技术 电气工程 更多>>
集成双层平面电感的单片DC/DC转换器设计 被引量:1 2007年 采用0.35μm标准CMOS工艺设计了3.3V/1.5V单片低压Buck转换器,开关频率为150MHz.本文采用了电压型脉宽调制的反馈控制模式,克服了频率提高所带来的转换器系统不稳定问题.对双层平面螺旋电感进行了设计与优化,获得品质因数2.6,电感值28nH的双层平面电感.模拟结果表明,对应于不同输入电压或不同负载,转换器系统工作稳定,输入调整率-40dB,输出调整率-60dB.输出电压纹波平均值可以控制在额定值75mV,转换效率71%. 李清华 邵志标 张春茗 耿莉关键词:输出电压纹波 深亚微米应变SiGe沟PMOSFET特性模拟 被引量:3 2003年 为研究深亚微米尺度下应变 Si Ge沟改进 PMOSFET器件性能的有效性 ,运用二维数值模拟程序MEDICI模拟和分析了 0 .1 8μm有效沟长 Si Ge PMOS及 Si PMOS器件特性。Si Ge PMOS垂直方向采用 Si/Si Ge/Si结构 ,横向结构同常规 PMOS,N+ -poly栅结合 P型δ掺杂层获得了合理阈值电压及空穴局域化。研究表明 ,经适当设计的 Si Ge PMOS比对应 Si PMOS的 IDmax、gm、f T均提高 1 0 0 %以上 ,表明深亚微米尺度 Si 杨荣 罗晋生关键词:SIGE 深亚微米 PMOSFET 高性能Rail-to-Rail恒定跨导CMOS运算放大器 被引量:8 2008年 基于UMC的0.6μm BCD 2P2M工艺,探讨了一种高性能Rail-to-Rail恒定跨导CMOS运算放大器.该运算放大器的输入级采用互补差分对,其尾电流由共模输入信号来控制,以此来保证输入级的总跨导在整个共模范围内保持恒定.输出级采用ClassAB类控制电路,并且将其嵌入到求和电路中,以此减少控制电路电流源引起的噪声和失调.为了优化运算放大器低频增益、频率补偿、功耗及谐波失真,求和电路采用了浮动电流源来偏置.该运算放大器采用米勒补偿实现了18MHz的带宽,低频增益约为110dB,Rail-to-Rail引起的跨导变化约为15%,功耗约为10mW. 张强 李攀 田泽 陈贵灿 刘宁关键词:恒定跨导 CMOS运算放大器 Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性 被引量:5 2001年 同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中 ,在高集电极———发射极电压、大电流下 ,由于热电正反馈 ,容易发生热击穿 ,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下 ,由于热电负反馈 ,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性 ,并对这一现象进行了新的解释 ,认为这是由于大电流下耗散功率增加 ,基区俄歇复合导致电流增益随温度增加而减小的结果 .这一现象有利于改善大电流下双极晶体管的抗烧毁能力 。 张万荣 李志国 王立新 汪东 崔福现 孙英华 程尧海 陈建新 沈光地 罗晋生关键词:异质结双极晶体管 负阻特性 硅 锗 Si/SiGe/SiHBT的优化设计 被引量:5 1998年 给出了常温和低温Si/SiGe/SiHBT的设计原则,并进行了讨论。指出了低温和室温HBT设计上的差异。这些原则可用于优化设计特定要求的Si/SiGe/SiHBT。 张万荣 李志国 郭伟玲 孙英华 穆甫臣 程尧海 沈光地 罗晋生关键词:异质结 晶体管 双极晶体管 应变p型Si_(1-x)Ge_x层中载流子冻析 被引量:6 1998年 本文用解析的方法研究了应变P型Si_(1-x)Gex层中载流子冻析现象.研究发现,用Si归一化的Si(1-x)Gex价带有效态密度,随x的增加而减小,而且温度T越低,随Ge组份x的增加而减少的速度越快与Si相比,常温下Ge组份x几乎对电离杂质浓度没有什么影响,而在低温下,随Ge组份x的增加,电离杂质浓度随之增加,载流子冻析减弱,这对低温工作的Si(1-x)Gex器件有利. 张万荣 李志国 罗晋生 孙英华 程尧海 陈建新 沈光地关键词:异质结器件 应变Si_(1-x)Ge_x层材料和Si/Si_(1-x)Ge_x器件物理参数模型 被引量:10 1998年 Si/Si1-xGex异质结系统已成功地应用于高速数字、高频微波和光电器件中。对这些器件进行理解和分析时,往往受到应变Si1-xGex材料参数缺乏的制约。本文建立和给出了常温和低温下重要应变Si1-xGex层材料和Si/Si1-xGex器件物理参数模型,对Si/Si1-xGex异质结器件的理解、研究和设计有重要的实际意义。 张万荣 李志国 郭伟玲 孙英华 穆甫臣 程尧海 沈光地 罗晋生关键词:应变层 物理参数 Ga_nN_m^-阴离子团簇的结构及稳定性的研究 被引量:11 2006年 利用密度泛函理论(DFT)对GanN-(n=2—8)和GanN2-(n=1—7)阴离子团簇的结构及稳定性进行了研究.在B3LYP/6-31G*水平上进行了结构优化和频率分析,得到了GanN-(n=2—8)和GanN2-(n=1—7)阴离子团簇的基态结构.在这些团簇中,原子总数小于等于6的团簇的几何结构为平面结构,原子总数大于6的团簇的几何结构为立体结构;在所研究的团簇中,Ga4N-,Ga6N-,Ga4N2-和Ga5N2-的基态结构较稳定. 李恩玲 王雪雯 陈贵灿 马红 薛英应变SiGe沟道PMOSFET亚阈值特性模拟 被引量:3 2005年 通过简化的模型,对应变SiGe沟道PMOSFET及SiPMOSFET的亚阈值特性作出了简单的理论分析,然后用二维模拟器Medici进行了模拟和对比;研究了截止电流和亚阈值斜率随SiGePMOSFET垂直结构参数的变化关系。模拟结果同理论分析符合一致,表明应变SiGe沟道PMOSFET的亚阈值特性比SiPMOSFET更差,并且对垂直结构参数敏感,在器件设计时值得关注。 屠荆 杨荣 罗晋生 张瑞智关键词:亚阈值特性 基于DVI的时钟数据恢复电路设计 被引量:3 2008年 设计了一种实现DVI(digital visual interface)数字视频信号接收器的新型时钟数据恢复电路.通过在过采样电路和数字锁相环之间增加弹性缓冲电路,在实现10bit数据恢复的同时,使采样时钟频率减小为数据频率的2.5倍,DPLL同时对10bit并行的数据进行相位检测判断,提高了判断的正确率,使数据传输的误码率得到改善.采用SMIC0.18μm CMOS工艺流片,测试结果表明,输入三路并行的1.65Gbps/ch UXGA格式像素数据和传输电缆长度2m条件下,输出系统时钟信号最大抖动峰-峰值为183ps,均方值为24ps,满足DVI规范要求. 肖剑 陈贵灿 张福甲 王永顺关键词:DVI 时钟数据恢复 过采样 DPLL