香港中文大学信息工程学院电子信息工程系
- 作品数：64 被引量：244H指数：8
- 相关作者：金雷吴克利薛坤安锦顾文涛更多>>
- 相关机构：北京工业大学应用数理学院中国科学技术大学工程科学学院精密机械与精密仪器系中国科学技术大学工程科学学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金香港特区政府研究资助局资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学语言文字机械工程更多>>
- 基于状态空间实现的EDS频率与时延联合估计被引量：2
- 2011年
- 针对指数衰减正弦信号(EDS)模型提出了状态空间实现的频率、衰减因子及时延联合估计方法.在此方法中,得到了一个状态过渡矩阵和观测矩阵,频率和衰减因子估计由状态过渡矩阵的特征值获得,时延由观测矩阵和估计的频率和衰减因子得到,结果具有闭式解,不需要搜索计算.由于状态空间方法具有对模型误差不敏感的优点,因而具有更好的数值稳定性.仿真实验表明在一定信噪比的情况下,该方法性能接近相应的CRLB下界.
- 吴云韬舒娟娟黄龙庭李红洋
- 关键词：时延
- 可产生耳声发射的耳蜗非线性传输线模型被引量：1
- 1997年
- 耳声发射是近年来耳科学领域很受重视的研究课题。本文的目的是从生理系统的仿真与建模的角度研究耳声发射的产生机理。基于电声学等效关系，本文给出了耳蜗的一维非线性传输线模型。该模型中引入非线性受控源做为耳声发射信号的产生源。计算结果表明，该模型除具有与耳蜗生理基本一致的选频特性外，还可成功地仿真两种重要的耳声发射信号、瞬时诱发耳声发射（ＴＥＯＡＥ）及变调失真耳声发射（ＤＰＯＡＥ）。
- 郑玲叶大田杨福生杨福生
- 关键词：耳声发射耳科学
- 未知光源位置环境中物体形状恢复的神经网络方法研究被引量：7
- 1999年
- 用神经网络方法解决未知光源位置环境中物体三维形状恢复的问题．对漫反射表面，用神经网络方法由已知表面形状物体及其对应图像的灰度值进行学习，所得权值可视为环境光源参数．由此可恢复同样光源环境中其它物体的三维形状．实验证明，神经网络方法可以解决未知光源位置环境（包括多个光源）中漫反射表面物体的三维形状恢复问题．
- 田英利马颂德徐孔达
- 关键词：神经网络图像处理
- 掺钴氧化锌的扫描隧道显微镜和扫描隧道谱研究
- 谢伟广薛坤夏大雪许建斌
- 基于语音生成和发音模型的语音合成新方法的探讨被引量：6
- 2000年
- 提出基于语音生成模型和发音模型ＲＴＬＡ合成模式实现以共振峰轨迹为目标的语音合成的新方法。该方法采用了基于发音声学原理的反射型传输线模型来实现语音合成器。用于控制合成器的声道面积函数参数由以三个共振峰轨迹为目标的语音生成逆向解获得。该方法不仅可以得到动态过渡和自然度好的合成语音，能够方便灵活地控制或改变语音音色，合成器所需的输入控制参数少，参数更新率低。
- 俞振利程伯中
- 关键词：语音合成
- 退火对离子注入GaN产生的深能级的影响
- 2002年
- 我们最近报道了大剂量Al+注入原生GaN后对其光学性质的影响。表明Al+的注入可能产生了某种深能级电子陷阱 ,由于电子陷阱俘获导带电子 ,导致发光猝灭。而经一定条件的退火处理 ,可使深的电子陷阱发生变化 ,因而与缺陷间的跃迁相关的黄色荧光可得到一定程度的恢复。由于注入样品的电阻率高达 1 0 1 2 Ω·cm ,因此不能用已有的常规方法测量。我们为此发展了一种称为“光增强电流谱”(PSCS)新方法 ,用于测量高阻样品中的深能级。研究发现 ,在经过快速退火处理的样品中 ,不能消除由于注入产生的准连续深能级带 ;而在某种常规条件退火的样品中 ,发现了 5个位于导带下 1 .77eV ,1 .2 4eV ,1 .1 6eV ,0 .90eV和 0 .86eV的深电子陷阱 ,它们都是Al+注入经退火后形成的稳定结构。实验发现退火使注入产生的准连续深能级带转变为独立的深能级结构 ,虽不能使GaN的本征发光得到恢复 ,但对黄色荧光的恢复是有利的。此研究有助于了解退火处理对离子注入的GaN的电学结构与发光产生的影响。PSCS的意义在于它适用于测量一切高阻半导体样品中与非辐射跃迁相联系的深陷阱能级 。
- 许小亮何海燕刘洪图施朝淑葛惟昆Luo E ZSundaravel BWilson I H
- 关键词：退火离子注入GAN深能级光学性质电子陷阱
- 退火对大剂量Al离子注入GaN发光特性的影响被引量：1
- 2002年
- 首次报道了用不同浓度的Ａｌ离子注入于蓝宝石衬底上的ＧａＮ薄膜（注入能量为５００ｋｅＶ、注入浓度为１０１４～１０１５ ｃｍ－２）， 在做了不同温度和不同时间的快速热退火处理以及常规热退火处理后，在１２Ｋ下用Ｈｅ－Ｃｄ 激光（３２５ｎｍ）激发得到其发射谱。结果显示， 经大剂量Ａｌ注入后的样品，其光致发光谱中３．４５ｅＶ的带边激子发光以及２．９ ～ ３．３ｅＶ的４个声子伴随峰消失。此表明大剂量Ａｌ注入对ＧａＮ的晶体结构造成严重的损伤，以致本征发光消失。经１０１４ｃｍ－２剂量Ａｌ注入后的样品，在Ｎ２气氛中退火处理后，２．２ｅＶ缺陷发光峰得到了一定程度的恢复。而且，经常规退火处理后，此发射峰比快速退火处理的样品发射峰恢复得更好（其积分光强高３倍）。相似的结果亦显示于１０１５ ｃｍ－２ 浓度的Ａｌ 注入的样品。２．２ｅＶ 黄色荧光源于ＧａＮ的缺陷（如Ｇａ空位（ＶＧａ）， 或ＶＧａＨ２，或ＶＧａ－ＯＮ 复合体），其能级位于价带顶以上约１．１ｅＶ处。荧光发射可以来自"导带缺陷能级"的跃迁，也可能来自浅施主（如Ｎ位Ｏ，能级位于导带下～１０ ｍｅＶ）至上述缺陷能级之间的跃迁。Ｉ－Ｖ 测量显示，Ａｌ的注入区成为 ～ １０?
- 许小亮施朝淑陈永虎Luo E ZSundaravel BWilson I H
- 关键词：GAN发光特性退火氮化镓电子陷阱
- 可液相处理的新型半导体材料光电探测器:从红外到紫外
- 可液相处理的新型半导体材料例如胶体量子点，有机半导体和钙钛矿材料等因其低温廉价的合成制备手段，丰富的性能调控方式，兼容柔性衬底，和易于规模化和集成化的优点，有望弥补现有基于无机外延材料的传统光电探测器件的不足，在中红外到...
- 陈孟瑜
- 1.78μm应变InGaAs-InGaAsP-InP分布反馈量子阱激光器(英文)
- 2004年
- 采用低金属有机汽相外延(LP MOVPE)生长大应变InGaAs/InGaAsP做有源区,研制了激射波长为1.78μm的脊波导分布反馈(DFB)激光器,对于解理腔长为900μm的激光器,室温时其激射的阈值电流为33mA,最大单面光输出功率/和单面外微分量子效率分别为8mW和7%;此外,激射光谱边模抑制比(SMSR)为27.5dB。
- 王书荣王辉王宝军朱洪亮张靖丁颖赵玲娟周帆王鲁峰王圩
- 关键词：量子阱激光器DFB边模抑制比汽相外延外微分
- (CoPt/Ag)n纳米复合膜的结构与磁性
- 采用直流磁控溅射的方法制备了一系列（CoPt/Ag）n多层膜,然后在不同温度下进行了退火处理,并对其结构和磁性做了初步的表征,研究了Ag的含量以及薄膜中每一单元厚度与总厚度对退火后薄膜的结构以及磁性能的影响。结果表明,膜...
- 薛双喜王浩杨辅军王君安曹歆WY CheungSP Wong
- 关键词：垂直磁记录
- 文献传递
