武汉大学物理科学与技术学院声光材料与器件教育部重点实验室
- 作品数：37 被引量：92H指数：5
- 相关作者：王明军魏伟张剑程莉李军更多>>
- 相关机构：中国地质大学材料科学与化学工程学院教育部纳米矿物材料及应用工程研究中心中国地质大学材料科学与化学工程学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>
- ZnSe复合孪晶纳米带的TEM表征被引量：3
- 2008年
- 通过热蒸发的方法在镀金的硅衬底上得到了硒化锌(ZnSe)复合孪晶纳米带。利用透射电镜选区电子衍射(SAED)方法并结合明场像确定了ZnSe复合孪晶纳米带的结构及生长方向,发现ZnSe复合孪晶纳米带由取向互为{113}镜面孪晶的两个纳米子带组成,单个纳米子带又由纳米量级的<111>旋转孪晶片层构成。采用会聚束电子衍射(CBED)技术确定了ZnSe复合孪晶纳米带沿<111>方向的极性。根据CBED结果并结合实验过程的设定,对ZnSe复合孪晶纳米带的形成机制进行了讨论。
- 曹广义金磊王建波
- 关键词：硒化锌选区电子衍射
- 微弧氧化法制备TiO2/YAG:Ce3+复合薄膜及其光催化性能的研究
- 采用微弧氧化技术在钛合金基体表面“原位”制备出了TiO2/YAG：Ce3+复合光催化薄膜，并利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、能谱仪(EDS)、X-射线衍射仪(XRD)、电化学工作站及紫外－可见分光光度计对其形貌...
- 王永钱江旭东潘春旭
- 关键词：微弧氧化TIO2光催化
- 纳米压印制作半导体激光器的分布反馈光栅被引量：4
- 2010年
- 分布反馈(DFB)光栅的制作是半导体激光器芯片的关键工艺,通过纳米压印技术在InP基片表面涂覆的光刻胶上压印出DFB光栅图形,并分别通过湿法腐蚀和干法刻蚀技术将光栅图形转移到InP基片上。所制作的DFB光栅周期为240nm(对应于1 550nm波长的DFB激光器),光栅中间具有λ/4相移结构。采用纳米压印技术制作的DFB光栅相对于通常双光束干涉法制作的光栅具有更好的均匀性以及更低的线条粗糙度,而且解决了双光束干涉法无法制作非均匀光栅的技术难题。相对于电子束直写光刻法,采用纳米压印技术制作DFB光栅具有快速与低成本的优势。采用纳米压印技术在InP基片上成功制作具有相移结构的DFB光栅,为进一步进行低成本高性能的半导体激光器芯片的制作奠定了良好基础。
- 王定理周宁王磊刘文徐智谋石兢
- 关键词：纳米压印半导体激光器干法刻蚀技术湿法腐蚀
- 脉冲激光沉积法在Si基片上生长BNT铁电多层薄膜
- 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)基片上直接制备了c轴一致取向的LSCO(La0.5S0.5CoO3)电极层和Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)铁电薄膜,并利用X-射线衍射、扫描电镜分析测定了薄...
- 张华刚李美亚李少珍于本方魏建华赵兴中
- 关键词：铁电性SI基
- 文献传递
- 表面等离子体激元纳米集成光子器件被引量：17
- 2006年
- 纳米集成光子学的核心关键技术之一在于新型高效纳米光耦合器、纳米光波导等纳米光子器件的设计与制备.表面等离子体激元(SPPs)是由外部电磁场与金属表面自由电子相互作用形成的一种相干共振,除具有巨大的局部场增强效应外,还具有将激发电磁场能量限制在纳米尺度范围的特点.基于SPPs的各种纳米光子器件被誉为当今最有希望的纳米全光集成回路的基础,成为目前国际上的一个研究热点.文章对基于SPPs的纳米集成光子器件的最新研究进展和研究成果进行评述.
- 汪国平
- 关键词：表面等离子体
- 磁性和非磁性元素掺杂的自旋梯状化合物Sr_(14)(Cu_(0.97)M_(0.03))_(24)O_(41)(M=Zn,Ni,Co)的结构和电输运性质被引量：1
- 2010年
- 利用固相反应法制备了Sr14Cu24O41及其系列B位掺杂Sr14(Cu0.97M0.03)24O41(M=Zn,Ni,Co)的样品.X射线衍射分析显示,所有样品均为纯相,晶格常数a与c没有明显的变化;Zn掺杂样品晶格常数b没有明显变化,而Ni,Co掺杂样品晶格常数b分别稍有增加.选区电子衍射研究揭示:磁性元素Ni,Co及非磁性元素Zn掺杂,可能主要替代了Sr14Cu24O41结构中自旋链上的Cu原子,从而影响了自旋链上的dimer排列,破坏电荷有序超结构.电输运测量显示:Zn2+,Ni2+,Co3+离子掺杂样品的电阻率降低,但仍体现半导体行为,所有的掺杂样品都存在一个渡越温度Tρ,当T>Tρ时,其导电机理是以单空穴热激发导电占主要地位,在T
- 程莉汪丽莉蒲十周胡妮张悦刘雍魏伟熊锐石兢
- 关键词：输运性质
- ZnO纳米线阵列的图形化生长被引量：1
- 2007年
- 采用光刻和射频磁控溅射技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相榆运和水热合成法，制备了最小单元为30μm的图形化的ZnO纳米线阵列。X射线衍射（XRD）分析显示单晶纳米线阵列具有高度的c轴[001]择优取向生长性质，从扫描电子显微镜（SEM）照片看出，阵列图形完整清晰，边缘整齐，纳米线阵列在室温下光致发光（PL）谱线中在380hm左右具有强烈的紫外发射峰，可见光区域发射峰得到了抑制，证明ZnO纳米线阵列氧空位缺陷少，晶体质量高。
- 艾磊方国家刘逆霜王明军赵兴中
- 关键词：ZNO纳米线光刻水热合成
- 种子层对染料敏化ZnO纳米棒光伏电池性能的影响
- 2007年
- 用射频溅射法在透明导电玻璃上分别沉积了氧化锌（ZnO）和掺铝氧化锌（AZO）薄膜，其可见光透射率达到85％以上。用水热法在不同的薄膜作种子层的导电玻璃上生长了纳米棒，x射线衍射分析（XRD）发现所制得的纳米棒都有（002）择优取向；扫描电子显微镜（SEM）结果表明，采用不同的实验条件和参数可以有效的影响纳米棒的长度、直径、密度等，并得到了垂直于衬底的纳米结构。用所得到的纳米结构制作太阳能电池的效率达到了0．26％。
- 王明军方国家艾磊刘逆霜高慧敏赵兴中
- 关键词：ZNO纳米棒水热法染料敏化太阳能电池
- EBSD在InGaAsP／InP异质结构弹性应力区域的研究被引量：1
- 2007年
- 利用扫描电镜附件电子背散射衍射（Electron Backscattering Diffraction，EBSD）技术，用菊池花样质量（IQ）作为应力敏感参数，研究了InGaAsP／InP异质结构缓冲层和外延层界面处的应力分布。
- 范丽霞卢卓宇任峰薄昌忠付强
- Ho掺杂的BiFeO_3多铁陶瓷的制备及性能被引量：6
- 2009年
- 用固相反应和快速退火冷却法制备了纯的BiFeO3(BFO)陶瓷和15%Ho掺杂的Bi0.85Ho0.15FeO3(BHFO)陶瓷,研究了室温下陶瓷的晶格结构及其铁电、介电、漏电和磁性能.结果表明,Ho掺杂有助于减少BiFeO3陶瓷中的杂相,改善其铁电、介电、漏电和磁性能.与BFO陶瓷相比,BHFO陶瓷具有典型的电滞回线;当电场强度为150 kV/cm时,其2Pr(剩余极化值)为15μC/cm2.同时,BHFO具有比BFO显著增大的介电常数和明显降低的介电损耗.磁性能测试表明,BHFO陶瓷表现出弱的铁磁性.
- 余洋胡忠强邱达裴玲于本方李美亚
- 关键词：铁电性介电性磁性
